技术特征：
技术总结
本发明涉及一种二氧化硅包覆三氟化钆带套带结构纳米带的制造技术，属于准一维纳米材料制造技术领域。本发明包括三个步骤：(1)配制纺丝液；(2)采用单轴静电纺丝技术制造PVP/[Gd(NO3)3+TEOS]原始复合纳米带；(3)制造GdF3@SiO2带套带结构纳米带，采用氟化氢铵为氟化剂，活性碳粒为辅助还原剂，在空气中将原始复合纳米带加热氟化处理，得到GdF3@SiO2带套带结构纳米带，宽度为1.06±0.02μm，厚度为145nm，长度大于30μm，磁化强度为1.80emu·g‑1。本发明的制造方法简单易行，可以批量生产，这种特殊结构的准一维纳米材料具有广阔的应用前景。
技术研发人员：李丹;马千里;王进贤;于文生;宋岩;宋超
受保护的技术使用者：长春理工大学
技术研发日：2018.06.08
技术公布日：2018.12.07