用于喷嘴和存储器元件的选择器的制作方法

打印系统可以包括具有用于将打印流体分配至目标的喷嘴的打印头。在二维(2d)打印系统中，目标是可以在其上形成打印图像的打印介质，如纸张或其它类型的衬底。2d打印系统的示例包括能够分配墨滴的喷墨打印系统。在三维(3d)打印系统中，目标可以是被沉积以形成3d对象的一层或多层构建材料。

附图说明

关于以下附图描述了本公开的一些实施方式。

图1是根据一些示例的包括电路、存储器元件和喷嘴的布置的框图。

图2是根据进一步示例的系统的框图。

图2a至图2g是根据多个不同示例的多个不同系统的框图。

图3、图4、图5、图5a、图5b、图6和图7是根据多个不同示例的包括喷嘴激活元件、存储器元件和选择电路的电路的示意图。

图8是根据进一步示例的包括选择器、存储器元件和喷嘴的一个或多个片的框图。

贯穿这些附图，完全相同的附图标记指代相似但不一定完全相同的元件。附图不一定按比例绘制，并且可以放大某些部分的尺寸以更清楚地展示所示的示例。此外，附图提供了与描述一致的示例和/或实施方式；然而，描述不限于附图中提供的示例和/或实施方式。

具体实施方式

在本公开中，除非上下文另外明确指示，否则使用术语“一个/一种(a/an)”或“所述(the)”旨在同样包括复数形式。同样地，当在本公开中使用时，术语“包括(includes/including/comprises/comprising)”、“具有(have/having)”指明存在所述元件，但不排除存在或添加其他元件。

打印系统中使用的打印头可以包括被激活以使打印流体微滴(droplet)从对应的喷嘴中喷出的喷嘴。每个喷嘴包括喷嘴激活元件。喷嘴激活元件在被激活时使打印流体微滴被相应的喷嘴喷出。在一些示例中，喷嘴激活元件包括在被激活时产生热量以使喷嘴的激发室中的打印流体蒸发的加热元件(例如，热敏电阻)。打印流体的汽化使打印流体的微滴从喷嘴中排出。在其他示例中，喷嘴激活元件包括压电元件。在被激活时，压电元件施加力使打印流体微滴从喷嘴中喷出。在进一步示例中，可以采用其他类型的喷嘴激活元件。

打印系统可以是二维(2d)打印系统或三维(3d)打印系统。2d打印系统分配如油墨等打印流体，以在如纸质介质或其他类型的打印介质等打印介质上形成图像。3d打印系统通过沉积连续层的构建材料来形成3d对象。从3d打印系统分配的打印流体可以包括油墨以及用于熔化构建材料层的粉末、明确限定构建材料层(如通过限定构建材料层的边缘或形状)等的试剂。

在后续讨论中，术语“打印头(printhead)”通常可以指代打印头片(printheaddie)或包括安装在支撑结构上的多个片的总组件。片(die)(还称为“集成电路(ic)片”)包括衬底，所述衬底上设置有用于形成喷嘴的各种层和/或用于控制喷嘴进行的流体喷射的控制电路系统。

尽管在一些示例中参考了打印系统中使用的打印头，但应注意，本公开的技术或机制适用于在能够通过喷嘴分配流体的非打印应用中使用的其他类型的流体喷射设备。这样的其他类型的流体喷射设备的示例包括在流体感测系统、医疗系统、车辆、流体流动控制系统等中使用的那些。

在一些示例中，可以用一个片来实现流体喷射设备。在进一步示例中，流体喷射设备可以包括多个片。

在包括打印头片或其他类型的流体喷射片的设备的尺寸不断缩小时，用于控制设备的电路系统的信号线的数量会影响设备的总尺寸。大量的信号线可能导致使用用于将信号线电连接至外部线路的大量的信号焊盘(被称为“接合焊盘(bondpad)”)。向流体喷射设备添加特征可能导致使用增加数量的信号线(和相应的接合焊盘)，这会例如占用宝贵的片空间。可以添加到流体喷射设备的另外的特征的示例包括存储器设备。

根据本公开的一些实施方式，流体喷射设备(包括一个片或多个片)的不同电路系统可以共享控制线和数据线以允许减少流体喷射设备的必须连接至外部线路的信号线的数量。如这里使用的，术语“线路”可以指代可以用于承载信号(或多个信号)的电导体(或替代性地，多个电导体)。

如图1所示，在一些示例中，用于存储器元件102和喷嘴104的电路100包括数据线、激发线(fireline)和选择器106。存储器元件102可以包括可以存储数据的存储器单元(或存储器单元组)。存储器元件102可以是形成存储器的部分的存储器元件的阵列(或其他集合)的部分。喷嘴104可以包括喷嘴激活元件、流体腔(fluidchamber)和流体孔口(fluidorifice)，其中，所述喷嘴激活元件在被激活时使流体腔中的流体通过流体孔口喷射到喷嘴104外的环境中。

在流体喷射设备与多个不同的存储器相关联的示例中，数据线可以用于传送(communicate)多个不同的存储器的第一存储器的数据。存储器元件102可以是多个不同的存储器的第二存储器的部分。例如，第一存储器可以是用于存储流体喷射设备的标识数据(以及可能的其他信息)(以便唯一地标识流体喷射设备)的id存储器。id存储器还可以存储其他数据。在这样的示例中，数据线可以被称为用于传送id存储器的数据(写入数据或读取数据)的id线。

第二存储器可以存储喷射数据，所述喷射数据可以用于启用或禁用某些喷嘴。在其他示例中，第二存储器可以存储其他数据。

在一些示例中，不同的存储器可以位于还包括用于输出(分配)流体的喷嘴的流体喷射片上。在其他示例中，不同的存储器可以位于与流体喷射片分离的片(或多个片)上。例如，第一存储器和第二存储器可以是与流体喷射片分离的片的部分，或者第一存储器和第二存储器可以是与流体喷射片分离的对应的片的部分。

选择器106响应于数据线的值来选择存储器元件102或喷嘴104。应注意，与用于承载地址的地址数据线形成对比，所述数据线用于传送数据。数据线的具体示例是id线(下文中进一步解释)。选择器106响应于数据线具有第一值来选择存储器元件102，并且响应于数据线具有与第一值不同的第二值来选择喷嘴104。激发线响应于喷嘴104被选择器106选中来控制喷嘴104的激活，并且响应于存储器元件102被选择器106选中来传送存储器元件102的数据(写入数据或读取数据)。

在一些示例中，电路100可以是与存储器元件102和喷嘴104相同的片的部分。例如，流体喷射片可以包括电路100、存储器元件102和喷嘴104。在其他示例中，电路100可以与包括存储器元件102和/或喷嘴104的一个或多个片分离。例如，电路100可以形成于与包括存储器元件102和/或喷嘴104的一个或多个片分离的排线(flexcable)、电路板、片或任何其他结构上。

图2是示例系统的框图，所述示例系统可以包括打印系统或其他类型的流体分配系统。系统包括流体喷射控制器202和流体喷射设备204。流体喷射控制器202与流体喷射设备204分离。例如，在打印系统中，流体喷射控制器202是属于打印系统的部分的打印头驱动控制器，而流体喷射设备204是属于打印盒(所述打印盒包括油墨或另一种试剂)的部分的或可以位于另一个结构上的打印头片。

流体喷射设备204包括各个对应的部分204-1、204-2和204-3。部分204-1包括喷嘴阵列206，所述喷嘴阵列包括选择性地可控以分配流体的喷嘴的阵列。部分204-2包括如用于存储流体喷射设备204的标识数据的id存储器208。部分204-3包括激发存储器(firememory)210，所述激发存储器可以用于存储与喷嘴阵列206有关的数据，其中，所述数据可以包括例如以下各项的任何或某种组合：片位置、区域信息、落重(dropweight)编码信息、验证信息、用于启用或禁用所选喷嘴的数据等等。在一些示例中，图1的存储器元件102可以是图2的激发存储器210的部分。

在一些示例中，id存储器208和激发存储器210可以用不同类型的存储器实施，以形成混合存储器布置。例如，id存储器208可以用电可编程只读存储器(eprom)来实施。激发存储器210可以用熔丝存储器(fusememory)来实施，其中，所述熔丝存储器包括可以选择性地熔断(或不熔断)以将数据编程到激发存储器210中的熔丝阵列。尽管上文列出了存储器的类型的具体示例，但是应注意，在其他示例中，可以用其他类型的存储器来实施id存储器208和激发存储器210。在一些情况下，可以用同一类型的存储器来实施id存储器208和激发存储器210。

此外，尽管特定类型的数据被指示为由id存储器208和激发存储器210存储，但是应注意，在其他示例中，存储器208和210可以存储其他或另外类型的数据。

在一些示例中，流体喷射设备204的部分204-1、204-2和204-3可以形成于共同的片(即，流体喷射片)上，使得喷嘴阵列206、id存储器208和激发存储器210形成于单个片上。在其他示例中，部分204-1可以实施在一个片(包括喷嘴阵列206的流体喷射片)上，而部分204-2和204-3实施在单独的片(或对应的单独的片)上。例如，id存储器208和激发存储器210可以形成于与流体喷射片分离的第二片上，或者替代性地，id存储器208和激发存储器210可以形成于与流体喷射片分离的对应的不同片上。在进一步示例中，id存储器208和喷嘴阵列206可以是一个片的部分，而激发存储器210是另一个片的部分。在其他示例中，激发存储器210和喷嘴阵列206可以是一个片的部分，而id存储器208是另一个片的部分。在进一步示例中，id存储器208的部分可以位于一个片上，并且id存储器208的另一部分可以位于另一个片上。在又进一步示例中，激发存储器210的一部分可以是一个片的部分，并且id存储器208的另一部分可以是另一个片的部分。

以下为不同布置的进一步示例。在第一布置中，如图2a所示，id存储器208和激发存储器210两者均可以位于流体喷射片220上。id线用于在流体喷射控制器202与流体喷射片上的id存储器208之间传送数据，并且激发线用于在流体喷射控制器202与流体喷射片上的激发存储器210之间传送数据。

在第二布置中，如图2b所示，id存储器208是流体喷射片220的部分，并且激发存储器210是第二片222的部分。id线用于在流体喷射控制器202与流体喷射片220上的id存储器208之间传送数据，并且激发线用于在流体喷射控制器202与第二片222上的激发存储器210之间传送数据。

在第三布置中，如图2c所示，激发存储器210是流体喷射片220的部分，并且id存储器208是第二片222的部分。id线用于在流体喷射控制器202与第二片222上的id存储器208之间传送数据，并且激发线用于在流体喷射控制器202与流体喷射片220上的激发存储器210之间传送数据。

在第四布置中，如图2d所示，id存储器208和激发存储器210两者均位于与流体喷射片220分离的第二片222上。id线用于在流体喷射控制器202与第二片222上的id存储器208之间传送数据，并且激发线用于在流体喷射控制器202与第二片222上的激发存储器210之间传送数据。

在第五布置中，如图2e所示，id存储器的第一部分208-1和激发存储器的第一部分210-1两者均可以位于流体喷射片220上，并且id存储器的第二部分208-2和激发存储器的第二部分210-2可以位于第二片222上。id线用于在流体喷射控制器202与流体喷射片220上的id存储器部分208-1和和第二片222上的id存储器部分208-2之间传送数据，并且激发线用于在流体喷射控制器202与流体喷射片220上的激发存储器部分210-1和第二片222上的激发存储器部分210-2之间传送数据。

在第六布置中，如图2f所示，id存储器的第一部分208-1和激发存储器210可以位于流体喷射片220上，并且id存储器的第二部分208-2可以位于第二片222上。id线用于在流体喷射控制器202与流体喷射片220上的id存储器208-1和第二片222上的id存储器部分208-2之间传送数据，并且激发线用于在流体喷射控制器202与流体喷射片220的激发存储器210之间传送数据。

在第七布置中，如图2g所示，id存储器208和激发存储器的第一部分210-1可以位于流体喷射片220上，并且激发存储器的第二部分210-2可以位于第二片222上。id线用于在流体喷射控制器202与流体喷射片220上的id存储器208之间传送数据，并且激发线用于在流体喷射控制器202与流体喷射片220上的激发存储器部分210-1和第二片222上的激发存储器部分210-2之间传送数据。

在其他示例布置中，除了流体喷射片外，还可以采用多于一个第二片，其中，一个或多个id存储器部分和/或一个或多个激发存储器部分可以跨多个第二片分布。

此外，尽管图2示出了存在两种不同类型的存储器的示例，但应注意，在其他示例中，流体喷射设备204中可以包括仅一种类型的存储器。

流体喷射设备204与响应于通过控制线214传送的各个控制信号来控制喷嘴阵列206、id存储器208和激发存储器210的激活或访问的控制电路212相关联。控制线214包括激发线、csync线、选择线、地址数据线、id线和其他线路。在其他示例中，可以存在多条激发线和/或多条选择线和/或多条地址数据线。

控制电路212包括选择器216(与图1的选择器106类似)。基于数据线(所述数据线在图2中是用于读取或写入id存储器208的标识数据的id线)的值，选择器216可以选择喷嘴阵列206和激发存储器210中的一个。

激发线用于在喷嘴阵列206响应于id线的第一值被选择器216选中时控制喷嘴阵列206的激活。激发线承载的激发信号在被设置成第一状态时使对应的喷嘴(或多个喷嘴)激活，如果这种喷嘴(或多个喷嘴)基于选择数据线和地址数据线的值寻址的话。如果激发信号处于与第一值不同的第二值，则不激活喷嘴(或多个喷嘴)。

csync信号用于在流体喷射设备204中发起地址(在后续讨论中被称为ax和ay)。选择线可以用于选择某些喷嘴或存储器元件。地址数据线用于承载地址位(或多个地址位)，以便为特定的喷嘴或存储器元件(或特定的喷嘴组或存储器元件组)寻址。

根据本公开的一些实施方式，为了提高流体喷射设备204上必须设置的输入/输出(i/o)焊盘的灵活性并减少其数量，每条激发线和id线(或更通常地，数据线)执行主要任务和次要任务两者。如上所述，激发线的主要任务是激活所选的一个或多个喷嘴。激发线的次要任务是传送激发存储器210的数据。以此方式，可以在流体喷射控制器202与激发存储器210之间设置数据路径(通过激发线)，而无需在流体喷射控制器202与流体喷射设备204之间设置单独的数据线。

id线的主要任务是传送id存储器208的数据。id线的次要任务是使选择器216选择喷嘴阵列206和激发存储器210中的一个。以此方式，可以使用共用的激发线来控制喷嘴阵列206的激活并传送激发存储器210的数据，其中，所述id线用于选择喷嘴阵列206何时由激发线控制以及激发线何时可以被用来传送激发存储器210的数据。

图3是包括喷嘴激活元件302和存储器元件304的电路的示意图。在一些示例中，喷嘴激活元件302采用热敏电阻的形式，所述热敏电阻在被激活时对喷嘴的流体腔中的流体进行加热，以使流体从喷嘴的流体孔口中喷出。在其他示例中，喷嘴激活元件可以包括压电元件或其他类型的喷嘴激活元件。在一些示例中，存储器元件304可以是图2的激发存储器210的部分。

在图3中，第一开关(所述第一开关可以使用晶体管306实施)与喷嘴激活元件302串联连接在激发线与节点n1之间。第二开关(所述第二开关可以使用晶体管308实施)与存储器元件304串联连接在激发线与节点n1之间。晶体管306具有由控制的栅极，并且晶体管308具有由id控制的栅极。表示id的反相。例如，id可以提供至反相器的输入端，这样产生了

因此，当晶体管308通过id(设定为活动值(activevalue)，如高值)导通时，晶体管306通过关闭的截止(因为被设定为非活动值(inactivevalue)，如低值)。另一方面，当晶体管306通过(设定为活动值，如高值)导通时，晶体管308截止。

以此方式，晶体管306和308可以选择喷嘴激活元件302或存储器元件304。图3的布置中的晶体管306和308是选择器106(图1)或选择器216(图2)的部分。

图3进一步描绘了节点n1与参考电压312(如地)之间的开关(实施为晶体管310)。晶体管310的栅极连接至解码器314的输出，所述解码器接收地址输入。解码器314可以是图2所示的控制电路212的部分。

地址输入包括由地址数据线的一个或多个地址位提供的地址以及ax信号和ay信号。在一些示例中，ax信号和ay信号是由地址发生器(图3中未示出)响应于选择线和csync线的输出。尽管图3中描绘了特定的地址输入，但应注意，解码器314通常接收地址作为输入并且基于地址控制晶体管310的激活。解码器可以响应于地址输入来有效地激活喷嘴激活元件302或存储器元件304(如id线所选择的)或保持其去激活。

通常，根据图3，用于存储器元件和用于输出流体的喷嘴的电路包括数据线、激发线和选择器。选择器包括响应于数据线的第一值来选择存储器元件的第一开关，并且包括响应于数据线的第二值来选择喷嘴的第二开关。激发线响应于喷嘴被选择器选中来控制喷嘴的激活，并且响应于存储器元件被选择器选中来传送存储器元件的数据。电路进一步包括响应于地址输入来选择存储器元件或喷嘴的解码器。

图4是用于选择性地激活/访问喷嘴激活元件302和存储器元件304的另一个示例布置的示意图。在图4中，第一晶体管402与喷嘴激活元件302串联连接在激发线与参考电压之间，并且第二晶体管404与存储器元件304串联连接在激发线与参考电压之间。

晶体管402的栅极连接至包括晶体管406(由控制)以及晶体管408(由id控制)的第一开关布置405。晶体管406在通过导通时将解码器314的输出连接至晶体管402的栅极。晶体管408连接在晶体管402的栅极与参考电压之间。

晶体管404的栅极连接至包括晶体管410和晶体管412的第二开关布置409。晶体管410的栅极连接至id，并且晶体管412的栅极连接至晶体管410在导通时将解码器314的输出连接至晶体管404的栅极，并且晶体管412连接在晶体管404的栅极与参考电压之间。

基于id和到对应的晶体管406、408、410和412的栅极的交替连接，包括晶体管406和408的第一开关布置405在处于活动状态时被激活以将解码器输出连接至晶体管402的栅极。另一方面，包括晶体管410和412的第二开关布置409响应于id处于活动状态而被激活以将解码器输出连接至晶体管404的栅极。

每个开关布置405或409在被去激活时将解码器输出与晶体管402或404的对应的栅极隔离。

在图4的布置中，开关布置405和409是选择器106(图1)或选择器216(图2)的部分。解码器314是图2的控制电路212的部分。

通常，根据图4，用于存储器元件和用于输出流体的喷嘴的电路包括数据线、激发线和选择器。选择器包括响应于数据线的第一值来选择存储器元件的第一开关布置，并且包括响应于数据线的第二值来选择喷嘴的第二开关布置。激发线响应于喷嘴被选择器选中来控制喷嘴的激活，并且响应于存储器元件被选择器选中来传送存储器元件的数据。电路进一步包括响应于地址输入来选择存储器元件或喷嘴的解码器。

图3和图4描绘了使用仅一个解码器来为喷嘴激活元件302和存储器元件304寻址的示例布置。在替代性示例中，可以使用多个解码器来分别为喷嘴激活元件302和存储器元件304寻址。图5中示出了这种双解码器布置的示例。

在图5中，喷嘴激活元件302和晶体管502串联连接在激发线与参考电压之间。存储器元件304与晶体管504和506串联连接在激发线与参考电压之间。

晶体管502的栅极由包括晶体管508、510、512、514和516的第一解码器控制。sn表示选择信号，而sn-1表示另一个选择信号。选择信号sn和sn-1通过一条或多条选择线传送。选择信号sn-1可以在比选择信号sn更早的时间激活。

晶体管508被布置为二极管，并且是用于对连接至晶体管508的源极的晶体管508的栅极进行预充电的预充电晶体管。选择信号sn-1通过预充电晶体管508耦接至晶体管502的栅极。

晶体管510连接在晶体管502的栅极与节点n2之间。晶体管512、514和516并联连接在节点n2与参考电压之间。晶体管512的栅极连接至ay，晶体管514的栅极连接至ax并且晶体管516的栅极连接至地址数据位dx。ax、ay、dx、sn和sn-1的组合形成了到第一解码器的地址输入。

在图5中，另一个晶体管518与晶体管512、514和516并联连接。晶体管518的栅极连接至id。所述晶体管518是选择器(106或216)的部分，而第一解码器(包括晶体管508、510、512、514和516)是控制电路212的部分。

晶体管504的栅极连接至包括晶体管520、522、524、526和528的第二解码器。第二解码器的晶体管520、522、524、526和528以与第一解码器的对应的晶体管508、510、512、514和516相同的方式连接。

如图5进一步所示，晶体管506的栅极连接至id。晶体管506是选择器(106或216)的部分，而包括晶体管520、522、524、526和528的第二解码器是控制电路212的部分。

如图5所示，使用两个单独的解码器来分别控制连接至喷嘴激活元件302和存储器元件304的对应的晶体管502和504。

当id处于活动状态(例如，高状态)时，晶体管518使晶体管502的栅极保持放电(即，禁用晶体管502的栅极)，使得喷嘴激活元件302保持去激活。另一方面，当id处于活动状态(例如，高状态)时，通过晶体管506建立信号路径，使得当晶体管504基于到第二解码器的地址输入而被导通时，存储器元件304的数据可以通过激发线传送。

另一方面，当id处于非活动状态(例如，低状态)时，晶体管506保持截止，使得存储器元件304被取消选定。然而，当id处于非活动状态(例如，低状态)时，晶体管518截止，使得当到第一解码器的地址输入使第一解码器激活晶体管502的栅极时，晶体管502的栅极可以充电至活动状态(即，晶体管518启用晶体管502的栅极的预充电)以导通晶体管502。

通常，根据图5，用于存储器元件和用于输出流体的喷嘴的电路包括数据线、激发线和选择器。选择器包括响应于数据线的第一值来选择存储器元件的第一开关，并且包括响应于数据线的第二值来选择喷嘴的第二开关。激发线响应于喷嘴被选择器选中来控制喷嘴的激活，并且响应于存储器元件被选择器选中来传送存储器元件的数据。电路进一步包括响应于地址输入来选择存储器元件的第一解码器，并且包括响应于地址输入来选择喷嘴的第二解码器。

在图5中，由id线控制的晶体管506连接在晶体管504与参考电压之间。在其他变形中，由id线控制的晶体管506可以移动到电路的不同部分。在一个这种变形中，如图5a所示，晶体管506连接在激发线与存储器元件304之间。替代性地，在图5b所示的另一个变形中，由id线控制的晶体管506作为启动开关被连接至晶体管504的栅极——即，晶体管506的漏极连接至连接晶体管520的源极和晶体管522的漏极的共用节点，并且晶体管506的源极连接至晶体管504的栅极。

图6描绘了使用图5的电路的示例布置。图6的布置包括id存储器208、激发存储器210和喷嘴阵列206。在图6中，激发存储器210包括存储器元件304以及晶体管504、506、520、522、524、526和528。应注意，对于激发存储器210的其他存储器元件来说，可以重复图6所示的激发存储器210中的电路的布置。

喷嘴阵列206包括喷嘴激活元件302以及晶体管502、508、510、512、514、516和518。对于喷嘴阵列206的其他喷嘴激活元件来说，可以重复喷嘴阵列206的图6所示电路布置。

例如，如图6所示，ax和ay是地址发生器602的输出，诸如响应于选择线上的选择信号和csync线上的csync信号。

id存储器208包括串联连接在id线与参考电压之间的存储器元件604和晶体管608、610和612。当晶体管608、610和612导通时，存储器元件604被寻址，使得存储器元件604的数据可以通过id线传送。晶体管608、610和612的栅极连接至移位寄存器解码器614的输出，所述移位寄存器解码器接收地址数据位d[](以及选择线)。

移位寄存器解码器614包括连接至作为到移位寄存器解码器614的输入的每个d[]地址数据位的移位寄存器。每个移位寄存器包括一系列移位寄存器单元，所述一系列移位寄存器单元可以被实施为触发器、其他存储元件或可以维持其值直至下次选择存储元件的任何取样维持电路(如用于对地址数据位进行预充电和评估的电路)。所述一系列中一个移位寄存器单元的输出可以提供至下一个移位寄存器单元的输入，以通过移位寄存器执行数据移位。通过每个移位寄存器提供的地址数据位连接至晶体管608、610和612中对应的晶体管的栅极上。通过使用移位寄存器解码器614中的移位寄存器，可以使用少量的地址数据位d[]来选择较大的地址空间。例如，每个移位寄存器可以包括8个(或任何其他数量的)移位寄存器单元。假设将三个地址数据位输入到包括三个移位寄存器的移位寄存器解码器614，每个的长度为8，则可以由移位寄存器解码器614寻址的地址空间是512位(而非在不使用移位寄存器解码器614的移位寄存器的情况下使用三个地址位d[]时的仅8位)。

控制图6所示的各个信号的定时，使得在对id存储器208的存储器元件604进行编程、对激发存储器210的存储器元件304进行编程以及激活喷嘴阵列206的喷嘴激活元件302期间无数据破坏发生。换句话说，当访问id存储器208时，激发存储器210和喷嘴阵列206被控制为非活动的。另一方面，当访问激发存储器210时，喷嘴阵列206中的id存储器208被控制为非活动的。当激活喷嘴阵列206时，id存储器208和激发存储器210被控制为非活动的。

在进一步示例中，如果使用多条激发线，则可以从激发存储器210的存储器元件并行地读取数据，以提高通过激发线访问激发存储器210的效率。

图7是另一个示例布置的示意图，所述另一个示例布置使用与图5的第一解码器类似的解码器(包括晶体管508、510、512、514和516)来控制与喷嘴激活元件302和参考电压串联连接的晶体管502的栅极。另外，晶体管518(与晶体管508、510、512、514和516并联连接)由id控制。

存储器元件304与晶体管702、706、708和710串联连接。晶体管702由id控制，并且晶体管706、708和710的栅极连接至移位寄存器解码器712的输出。移位寄存器解码器712与图6的移位寄存器解码器614类似地布置。移位寄存器解码器712包括用于接收相应地址数据位d[]的多个移位寄存器。另外，移位寄存器解码器712还包括用于接收选择信号sn的选择输入；如果sn是活动的，则移位寄存器解码器712的移位寄存器可以接收对应的地址数据位d[]并且沿着相应的移位寄存器单元将地址位移位。

当id处于活动状态(例如，高状态)时，如果地址数据位d[]和选择信号sn与存储器元件304相对应，则选择存储器元件304。当id处于非活动状态(例如，低状态)时，如果地址数据位d[]和选择信号sn与喷嘴激活元件302相对应，则选择喷嘴激活元件302。

图7中的晶体管702和518是选择器106或216的部分，并且解码器(包括晶体管508、510、512、514和516)和移位寄存器解码器712是图2的控制电路212的部分。

通常，根据图7，用于存储器元件和用于输出流体的喷嘴的电路包括数据线、激发线和选择器。选择器包括响应于数据线的第一值来选择存储器元件的第一开关，并且包括响应于数据线的第二值来选择喷嘴的第二开关。激发线响应于喷嘴被选择器选中来控制喷嘴的激活，并且响应于存储器元件被选择器选中来传送存储器元件的数据。电路进一步包括响应于地址输入来选择喷嘴的解码器，包括响应于地址输入来选择存储器元件的移位寄存器解码器。

图8描绘了具有包括存储器元件802、喷嘴804、耦接至喷嘴804和存储器元件802的激发线以及数据线的一个或多个片800的设备(例如，盒或其他类型的设备)。设备进一步包括响应于数据线来选择存储器元件802或喷嘴804的选择器806，其中，选择器806响应于数据线具有第一值来选择存储器元件802，并且响应于数据线具有与第一值不同的第二值来选择喷嘴804。激发线响应于喷嘴804被选择器806选中来控制喷嘴804的激活，并且响应于存储器元件802被选择器806选中来传送存储器元件802的数据。

在前述描述中，阐述了许多细节以提供对本文所公开的主题的理解。然而，可以在没有这些细节中的一些细节的情况下实践实施方式。其他实施方式可以包括来自上文所讨论的细节的修改和变化。所附权利要求旨在覆盖这些修改和变化。