有机发光二极管像素电路和显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种有机发光二极管像素电路和显示装置，属于显示【技术领域】，其可解决现有的内置型触摸屏的控制电路和制造工艺较为复杂的问题。本实用新型的有机发光二极管像素电路的数据写入单元用于将电源电压信号写入所述存储单元和将数据线电压信号写入所述存储单元；所述存储单元用于为所述驱动单元提供电压；所述触摸侦测单元用于感受触摸，并产生侦测信号；所述驱动单元用于将所述侦测信号转变为触控输出信号，并经触摸侦测单元将触控输出信号输出到驱动集成电路，同时驱动单元还用于为所述有机发光二极管提供驱动电流；所述发光控制单元用于将所述驱动单元与有机发光二极管导通。本实用新型可使触摸显示装置更薄更轻。
【专利说明】有机发光二极管像素电路和显示装置
【技术领域】
[0001]本实用新型属于触摸显示【技术领域】，具体涉及一种有机发光二极管像素电路和显示装置。
【背景技术】
[0002]触摸屏(touch screen panel)是目前最简单、方便、自然的一种人机交互的设备，已经在各种各样的电子产品中得到了广泛应用，如手机，笔记本电脑，数码相机等。触摸屏按照技术可以分为两类:外置型(external)触摸屏和内置型(in-cell)触摸屏。外置型触摸屏是在显示面板上面设置一个触摸装置，触摸装置一般包括触摸板和保护层(如金刚玻璃)，触摸板设置在显示面板之上，触摸屏靠触摸板感知光线或压力的变化来工作。
[0003]内置型触摸屏技术是将触摸板感知信号的功能嵌入到像素电路中，通过加载控制电路，使得显示屏具备感知触摸信号的能力。
[0004]发明人发现现有技术中至少存在如下问题:对于内置型触摸屏，把触摸板感知信号的功能嵌入到像素电路中，其控制电路较为复杂，制造工艺也较为复杂，不利于产品良率和生产效率的提高。另外，对于内置型触摸屏，其像素的开口率会降低，进而导致显示屏显示品质下降。
实用新型内容
[0005]本实用新型所要解决的技术问题包括，针对现有技术中内置型触摸屏的控制电路和制造工艺较为复杂从而不利于提闻广品良率和生广效率的问题，提供一种控制电路和制造工艺都较为简单的有机发光二极管像素电路和显示装置。
[0006]解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种有机发光二极管像素电路，其包括:
[0007]数据写入单元、存储单元、驱动单元、有机发光二极管、发光控制控制单元和触摸侦测单元；其中:
[0008]所述数据写入单元用于在触摸侦测阶段和有机发光二极管发光阶段在发光控制线和扫描线的控制下将电源电压信号写入所述存储单元，并在扫描线的控制下将数据线电压信号写入所述存储单元；
[0009]所述存储单元用于为所述驱动单元提供电压；
[0010]所述触摸侦测单元用于在触摸侦测阶段在触摸信号电平控制线控制下感受触摸，并产生侦测信号；
[0011]所述驱动单元用于在触摸侦测阶段在触摸电平信号控制线的控制下将所述侦测信号转变为触控输出信号，并经触摸侦测单元将触控输出信号输出到驱动集成电路，同时驱动单元还用于在有机发光二极管发光阶段为所述有机发光二极管提供驱动电流；
[0012]所述发光控制单元用于在有机发光二极管发光阶段在触摸电平信号控制线的控制下将所述驱动单元与有机发光二极管导通。[0013]优选的是,所述存储单元包括存储电容。
[0014]优选的是，所述驱动单元包括第四薄膜晶体管，其栅极与所述存储电容第一端连接。
[0015]优选的是，所述数据写入单元包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管；其中:
[0016]所述第一薄膜晶体管的栅极与发光控制线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极接地；
[0017]所述第二薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极接地；
[0018]所述第三薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管的源极连接；
[0019]所述第五薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述第五薄膜晶体管的源极与电源信号线连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与所述存储电容第二端和所述第二薄膜晶体管的源极连接；
[0020]所述第六薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述第六薄膜晶体管的源极与数据信号线连接，所述第六薄膜晶体管的漏极与所述第四薄膜晶体管的源极连接；
[0021]所述第七薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述第七薄膜晶体管的源极与电源信号线连接，所述第七薄膜晶体管的漏极与所述第四薄膜晶体管的源极连接。
[0022]优选的是，所述有机发光二极管的阴极接地。
[0023]优选的是，所述发光控制单元包括第八薄膜晶体管，所述第八薄膜晶体管的源极与所述第四薄膜晶体管的漏极连接，所述第八薄膜晶体管的栅极与触摸电平信号控制线连接，所述第八薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管的源极和有机发光二极管的阳极连接。
[0024]优选的是，所述触摸侦测单元包括光电二极管、第九薄膜晶体管和第十薄膜晶体管，其中:
[0025]所述光电二极管的阴极与所述存储电容的第一端连接；
[0026]所述第九薄膜晶体管的源极与电源信号线连接，所述第九薄膜晶体管的漏极与所述光电二极管的阳极连接，所述第九薄膜晶体管的栅极与触摸电平信号控制线连接；
[0027]所述第十薄膜晶体管的源极与所述第四薄膜晶体管的漏极连接，所述第十薄膜晶体管的栅极与触摸电平信号控制线连接，所述第十薄膜晶体管的漏极与传感器线连接。
[0028]优选的是，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第九薄膜晶体管和第十薄膜晶体管是N型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管和第八薄膜晶体管为P型薄膜晶体管或所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第十薄膜晶体管是P型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管和第八薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。
[0029]优选的是，所述第一至第九薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管、单晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管、有机薄膜晶体管中的任意一种。
[0030]优选的是，所述有机发光二极管为上发光型有机发光二极管。[0031]本实用新型的有机发光二极管像素电路包括光电二极管，其使得显示屏具有能够直接感知触摸所产生的信号的能力，从而使得像素的控制电路更为简单，工艺步骤得到简化，进而提高了生产效率以及产品良率，最重要是有利于降低生产成本。同时，本实用新型的有机发光二极管像素电路能够补偿薄膜晶体管的阈值电压的非均匀性，从而能够提高有机发光显示器的画面均匀性。另外，生产工艺上减少了两层氧化铟锡薄膜能有效提高光透过率，从而能提升显示屏的显示品质。
[0032]本实用新型还提供一种显示装置，其包括上述的有机发光二极管像素电路。
[0033]本实用新型的显示装置由于包括上述的有机发光二极管像素电路，因此显示装置的整体厚度更薄，重量更轻，生产成本也会进一步降低。通过在每个亚像素中设置上述电路可以明显地提高显示屏感受触摸的灵敏度，而且由于光电二极管是通过感受光线变化来工作的，所以能够在显示屏幕上实现浮动触摸。
【专利附图】
【附图说明】
[0034]图1和图3为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路图；
[0035]图2和图4为本实用新型的实施例1的驱动有机发光二极管像素电路的时序图；
[0036]图5为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路的触摸侦测阶段的初始化阶段的等效电路图；
[0037]图6为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路的触摸侦测阶段的数据电压信号写入阶段的等效电路图；
[0038]图7为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路的触摸侦测阶段的接地电平写入阶段的等效电路图；
[0039]图8为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路的触摸侦测阶段的侦测触摸产生的信号阶段的等效电路图；
[0040]图9为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路的有机发光二极管发光阶段的初始化阶段的等效电路图；
[0041]图10为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路的有机发光二极管发光阶段的数据电压信号写入阶段的等效电路图；
[0042]图11为本实用新型的实施例1的有机发光二极管像素电路的有机发光二极管发光阶段的等效电路图；
[0043]其中附图标记为:T1:第一薄膜晶体管；T2:第二薄膜晶体管；Τ3:第三薄膜晶体管；Τ4:第四薄膜晶体管；Τ5:第五薄膜晶体管；Τ6:第六薄膜晶体管；Τ7:第七薄膜晶体管；Τ8:第八薄膜晶体管；Τ9:第九薄膜晶体管；Τ10:第十薄膜晶体管；PD:光电二极管；0LED:有机发光二极管；DD:电源信号线；EM:发光控制线；scan:扫描信号线；data:数据信号线；select:触摸信号电平控制线；Cst:存储电容；sensor line:传感器线。
【具体实施方式】
[0044]为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细描述。
[0045]实施例1:[0046]本实施例提供一种有机发光二极管像素电路，如图1所示，其包括:其包括:
[0047]数据写入单元、存储单元、驱动单元、有机发光二极管、发光控制控制单元和触摸侦测单元；其中:
[0048]数据写入单元用于在触摸侦测阶段和有机发光二极管发光阶段在发光控制线和扫描线的控制下将电源电压信号写入存储单元，并在扫描线的控制下将数据线电压信号写入存储单元；
[0049]存储单元用于为驱动单元提供电压；
[0050]触摸侦测单元用于在触摸侦测阶段在触摸信号电平控制线控制下感受触摸，并产生侦测信号；
[0051]驱动单元用于在触摸侦测阶段在触摸电平信号控制线的控制下将侦测信号转变为触控输出信号，并经触摸侦测单元将触控输出信号输出到驱动集成电路，同时驱动单元还用于在有机发光二极管发光阶段为有机发光二极管提供驱动电流；
[0052]发光控制单元用于在有机发光二极管发光阶段在触摸电平信号控制线的控制下将驱动单元与有机发光二极管导通。
[0053]本实施例中，优选的，数据写入单元包括第一薄膜晶体管Tl、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7 ;存储单元包括存储电容Cst ;驱动单元包括第四薄膜晶体管T4 ;发光控制控制单元包括第八薄膜晶体管T8 ;触摸侦测单元包括光电二极管PD、第九薄膜晶体管T9和第十薄膜晶体管T10。
[0054]具体地，有机发光二极管0LED，其阴极接地。进一步优选的，有机发光二极管OLED为上发光型有机发光二极管OLED ；
[0055]第一薄膜晶体管Tl，其栅极与发光控制线EM连接，漏极接地；
[0056]第二薄膜晶体管T2，其栅极与扫描信号线scan连接，漏极接地；
[0057]第三薄膜晶体管T3，其栅极与扫描信号线scan连接，漏极与第一薄膜晶体管Tl的源极连接；
[0058]存储电容Cst，其第一端与第三薄膜晶体管T3的源极连接；
[0059]第四薄膜晶体管T4，其栅极与存储电容Cst第一端连接；
[0060]第五薄膜晶体管T5，其栅极与扫描信号线scan连接，源极与电源信号线DD连接，漏极与存储电容Cst第二端和第二薄膜晶体管T2的源极连接；
[0061]第六薄膜晶体管T6，其栅极扫描信号线scan连接，源极与数据信号线data连接，漏极与第四薄膜晶体管T4的源极连接；
[0062]第七薄膜晶体管T7，其栅极与扫描信号线scan连接，源极与电源信号线DD连接，漏极与第四薄膜晶体管T4的源极连接；
[0063]第八薄膜晶体管T8，其源极与第四薄膜晶体管T4的漏极连接，栅极与触摸信号电平控制线select连接，漏极与第一薄膜晶体管Tl的源极和有机发光二极管OLED的阳极连接;
[0064]光电二极管ro的阴极与存储电容Cst的第一端连接；
[0065]第九薄膜晶体管T9的源极与电源信号线DD连接，漏极与光电二极管H)的阳极连接，栅极与触摸信号电平控制线select连接；
[0066]第十薄膜晶体管TlO的源极与第四薄膜晶体管T4的漏极连接，栅极与触摸信号电平控制线select连接,漏极与传感器线sensor line连接。
[0067]在本实施例中，第一薄膜晶体管Tl、第二薄膜晶体管T2、第七薄膜晶体管T7、第九薄膜晶体管T9和第十薄膜晶体管TlO优选为N型薄膜晶体管，第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6和第八薄膜晶体管T8优选为P型薄膜晶体管。
[0068]需要说明的是，本实施例中，也可以把第一薄膜晶体管Tl、第二薄膜晶体管T2、第四薄膜晶体管T4、第七薄膜晶体管T7、第九薄膜晶体管T9和第十薄膜晶体管TlO选定为P型薄膜晶体管，把第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6和第八薄膜晶体管T8选定为N型薄膜晶体管，其像素电路图如图3所示，相应地其时序图如图4所示。
[0069]显然，为了实现薄膜晶体管的导通或关断功能，可以通过改变该薄膜晶体管的控制电平和相应地改变该薄膜晶体管的类型来实现。如第一薄膜晶体管为N型时在高电平控制下导通，也可以把其改变为P型管而在低电平控制下导通。遵照此思路也可以改变本实施例中某个单元中的受同一个电平控制信号控制的各薄膜晶体管的类型，只要保证该单元实现其原有的功能以及不影响其他器件的原有功能的发挥即可，在这种情况下也可以实现本实用新型的目的。
[0070]优选的，各薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管、单晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管、有机薄膜晶体管中的任意一种。
[0071]本实施例的有机发光二极管像素电路包括光电二极管，其使得显示屏具有能够直接感知触摸所产生的信号的能力，从而使得像素的控制电路更为简单，工艺步骤得到简化，进而提高了生产效率以及产品良率，最重要是有利于降低生产成本。同时，本实用新型的有机发光二极管像素电路能够补偿薄膜晶体管的阈值电压的非均匀性，从而能够提高有机发光显示器的画面均匀性。另外，生产工艺上减少了两层氧化铟锡薄膜能有效提高光透过率，从而能提升显示屏的显示品质。
[0072]结合图1，有机发光二极管像素电路的驱动方法包括触摸信号侦测阶段和驱动有机发光二极管OLED发光阶段，如图2所示，其工作过程如下:
[0073]阶段1:触摸信号侦测阶段，其具体包括:
[0074]阶段101:初始化阶段，其等效电路图如图5所示。其中，数据信号线data为低电平，扫描信号线scan为低电平，控制第二薄膜晶体管T2和第七薄膜晶体管T7截止及第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5和第六薄膜晶体管T6导通；发光控制线EM为高电平，控制第一薄膜晶体管Tl导通；触摸信号电平控制线select为低电平，控制第八薄膜晶体管T8导通及触摸信号侦测模块关闭。
[0075]从而，电源信号经由第五薄膜晶体管T5传送到存储电容Cst的第二端，对存储电容Cst进行充电，A点电压为接地电平，其值为Vss，第四薄膜晶体管T4进入饱和状态。
[0076]阶段102:数据电压信号写入阶段，其等效电路图如图6所示。其中，数据信号线data为低电平，扫描信号线scan为低电平，控制第二薄膜晶体管T2和第七薄膜晶体管T7截止及第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5和第六薄膜晶体管T6导通，发光控制线EM为低电平，控制第一薄膜晶体管Tl截止，触摸信号电平控制线select为低电平，控制第八薄膜晶体管T8导通及触摸信号侦测模块关闭。
[0077]从而，第四薄膜晶体管T4处于饱和状态，数据电压信号经由第六薄膜晶体管T6、第四薄膜晶体管Τ4、第九薄膜晶体管T9和第三薄膜晶体管Τ3写入A点，A点电压为Vdata+Vth, Vdata为数据信号线data电压，Vth为第四薄膜晶体管T4的阈值电压。
[0078]阶段103:接地电平写入阶段，其等效电路图如图7所示。其中，数据信号线data为低电平，扫描信号线scan为高电平，控制第二薄膜晶体管T2和第七薄膜晶体管T7导通及第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5和第六薄膜晶体管T6截止；发光控制线EM为高电平，控制第一薄膜晶体管Tl导通；触摸信号电平控制线select为低电平，控制第八薄膜晶体管T8导通及触摸信号侦测模块关闭。
[0079]从而，接地电平Vss经由第二薄膜晶体管T2写入B点，此时由于A点悬空，A点电平由 Vdata+Vth 变为 Vdata+Vth+Vss。
[0080]阶段104:侦测触摸产生的信号阶段，其等效电路图如图8所示。其中，数据信号线data为低电平，扫描信号线scan为高电平，控制第二薄膜晶体管T2和第七薄膜晶体管T7导通及第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5和第六薄膜晶体管T6截止；发光控制线EM为高电平，控制第一薄膜晶体管Tl导通；触摸信号电平控制线select为高电平，控制第八薄膜晶体管T8截止及触摸信号侦测模块导通。
[0081]从而，电源信号经由第七薄膜晶体管T7管写入第四薄膜晶体管T4的漏极，漏极电压为VDD,此时,如果光电二极管F1D处于光照下,存储电容Cst上的电荷由于光电二极管F1D受光照所产生的漏电流而大幅减少，导致A点电压大幅下降，A点电压下降会导致流经第四薄膜晶体管T4的电流减小。如果光电二极管H)处于触摸(此时光线减弱或无光照)之下，相对于上述光电二极管H)处在光照下的情况，其会产生较小的漏电流或者没有漏电流产生，相应地，流经第四薄膜晶体管T4的电流会小幅变小或者不发生变化。上述流经第四薄膜晶体管T4的电流经第十薄膜晶体管TlO并由传感器线sensor line传输到驱动集成电路(图1中未示出)进行侦测解析。
[0082]阶段2:驱动有机发光二极管OLED发光阶段
[0083]在该阶段内，触摸信号电平控制线select为低电平，控制触摸信号侦测模块关闭及第八薄膜晶体管T8导通，该阶段具体包括:
[0084]阶段201:预充电阶段，其等效电路图如图9所示。其中，数据信号线data为高电平，扫描信号线scan为低电平，控制第二薄膜晶体管T2和第七薄膜晶体管T7截止及第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5和第六薄膜晶体管T6导通；发光控制线EM为高电平，控制第一薄膜晶体管Tl导通。第四薄膜晶体管T4进入饱和状态，此时A点电平为Vss。
[0085]阶段202:数据电压信号写入阶段，其等效电路图如图10所示。其中，数据信号线data为高电平，扫描信号线scan为低电平，控制第二薄膜晶体管T2和第七薄膜晶体管T7截止及第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5和第六薄膜晶体管T6导通；发光控制线EM为低电平，控制第一薄膜晶体管Tl截止。
[0086]从而，存储电容Cst经由第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4开始放电，直到第四薄膜晶体管T4的栅极电压为阈值电压Vth时，存储电容Cst两端的电压为VBA=VDD-Vdata-Vth。
[0087]阶段203:有机发光二极管OLED发光阶段，其等效电路图如图11所示。其中，数据信号线data为低电平，扫描信号线scan为低电平，控制第二薄膜晶体管T2和第七薄膜晶体管T7导通及第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5和第六薄膜晶体管T6截止；发光控制线EM为低电平，控制第一薄膜晶体管Tl截止。
[0088]从而，存储电容Cst第二端B点电压为接地电压Vss，此时，存储电容Cst第一端也即第四薄膜晶体管T4的栅极，由于悬空发生跳变，使得存储电容Cst两端的电压恒定，SPVAB=Vdata+Vth-VDD=Vgs。此时，流经第四薄膜晶体管T4的电流为:
[0089]I=k (Vgs-V th) 2=k (V data+V th-VDD-V th) 2=k (V data-VDD)2
[0090]由上式可知，该电流与第四薄膜晶体管T4的阈值电压Vth和有机发光二极管OLED两端的电压无关，基本消除了阈值电压非均匀性、漂移以及有机发光二极管OLED电气性能非均匀性的影响，因此流经第四薄膜晶体管T4的电流具有均匀性，从而流经有机发光二极管OLED电流也具有均匀性，而有机发光二极管OLED是电流型发光器件，由此有机发光二极管OLED的亮度具有均匀性，进而提高了有机发光显示屏的画面的亮度均匀性。
[0091 ] 需要说明的是，在阶段201和阶段202数据信号线电压Vdata可以是一个范围，如图2中画有填充线的矩形所示，即在一定范围内的数据信号线电压均能使第四薄膜晶体管驱动有机发光二极管发光。
[0092]还需要说明的是，在有机发光二极管像素电路工作过程中，由于像素电路对输入信号的反应十分迅速，因此上述阶段I和阶段2之间的切换时间是极其短暂的，即侦测触摸产生的信号与驱动有机发光二极管发光从而显示所需内容是在极短的时间内完成的。
[0093]本实施例的有机发光二极管像素电路的驱动方法控制信号少，时序简单，电路容易实现，方便实用。
[0094]实施例2:
[0095]本实施例提供一种显示装置，其包括上述的有机发光二极管像素电路，当然还包括如基板等已知的结构。显示装置可以为OLED显示装置或者使用OLED显示技术的手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等具有显示功能的产品或部件。
[0096]本实施例的显示装置由于包括上述的有机发光二极管像素电路，因此显示装置的整体厚度更薄，重量更轻，生产成本也会进一步降低。通过在每个亚像素中设置上述电路可以明显地提高显示屏感受触摸的灵敏度，而且由于光电二极管是通过感受光线变化来工作的，所以能够在显示屏幕上实现浮动触摸。
[0097]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种有机发光二极管像素电路，其特征在于，包括: 数据写入单元、存储单元、驱动单元、有机发光二极管、发光控制控制单元和触摸侦测单元；其中: 所述数据写入单元用于在触摸侦测阶段和有机发光二极管发光阶段在发光控制线和扫描线的控制下将电源电压信号写入所述存储单元，并在扫描线的控制下将数据线电压信号写入所述存储单元； 所述存储单元用于为所述驱动单元提供电压； 所述触摸侦测单元用于在触摸侦测阶段在触摸信号电平控制线控制下感受触摸，并产生侦测信号； 所述驱动单元用于在触摸侦测阶段在触摸电平信号控制线的控制下将所述侦测信号转变为触控输出信号，并经触摸侦测单元将触控输出信号输出到驱动集成电路，同时驱动单元还用于在有机发光二极管发光阶段为所述有机发光二极管提供驱动电流； 所述发光控制单元用于在有机发光二极管发光阶段在触摸电平信号控制线的控制下将所述驱动单元与有机发光二极管导通。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述存储单元包括存储电容。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述驱动单元包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅极与所述存储电容第一端连接。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述数据写入单元包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管；其中: 所述第一薄膜晶体管的栅极与发光控制线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极接地； 所述第二薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极接地； 所述第三薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管的源极连接； 所述第五薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述第五薄膜晶体管的源极与电源信号线连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与所述存储电容第二端和所述第二薄膜晶体管的源极连接； 所述第六薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述第六薄膜晶体管的源极与数据信号线连接，所述第六薄膜晶体管的漏极与所述第四薄膜晶体管的源极连接； 所述第七薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述第七薄膜晶体管的源极与电源信号线连接，所述第七薄膜晶体管的漏极与所述第四薄膜晶体管的源极连接。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述有机发光二极管的阴极接地。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述发光控制单元包括第八薄膜晶体管，所述第八薄膜晶体管的源极与所述第四薄膜晶体管的漏极连接，所述第八薄膜晶体管的栅极与触摸电平信号控制线连接，所述第八薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管的源极和有机发光二极管的阳极连接。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述触摸侦测单元包括光电二极管、第九薄膜晶体管和第十薄膜晶体管，其中: 所述光电二极管的阴极与所述存储电容的第一端连接； 所述第九薄膜晶体管的源极与电源信号线连接，所述第九薄膜晶体管的漏极与所述光电二极管的阳极连接，所述第九薄膜晶体管的栅极与触摸电平信号控制线连接； 所述第十薄膜晶体管的源极与所述第四薄膜晶体管的漏极连接，所述第十薄膜晶体管的栅极与触摸电平信号控制线连接，所述第十薄膜晶体管的漏极与传感器线连接。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第九薄膜晶体管和第十薄膜晶体管是N型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管和第八薄膜晶体管为P型薄膜晶体管； 或所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第十薄膜晶体管是P型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管和第八薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述第一至第九薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管、单晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管、有机薄膜晶体管中的任意一种。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述有机发光二极管为上发光型有机发光二极 管。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至10任意一项所述的有机发光二极管像素电路。
【文档编号】G09G3/32GK203520345SQ201320465021
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年7月31日 优先权日:2013年7月31日
【发明者】周全国, 祁小敬 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司