1.一种采样保持电路，包括采样保持单元和为所述采样保持单元提供使能信号的控制单元；所述采样保持单元的输入端接入采样输入信号；其特征在于，所述采样保持电路还包括放电单元；所述控制单元包括放电控制模块；
所述放电控制模块，与所述采样保持单元连接，用于当所述采样保持单元开始放电时根据所述采样输入信号输出放电控制信号；
所述放电单元，分别与所述采样保持单元的输出端和所述放电控制模块连接，用于在所述放电控制信号的控制下，控制在预定时间内所述采样保持单元完成放电操作。
2.如权利要求1所述的采样保持电路，其特征在于，所述放电控制模块包括：
判断子模块，与所述采样保持单元连接，用于当判断到所述采样输入信号的速率大于预定速率和/或所述采样输入信号的电压幅值变化值的绝对值大于预定电压幅值时输出有效的第一控制信号；以及，
控制子模块，分别与所述判断子模块和所述采样保持单元连接，用于当接收到有效的第一控制信号，并且所述采样保持单元开始放电时，生成并输出放电控制信号。
3.如权利要求1或2所述的采样保持电路，其特征在于，所述放电单元包括：
开关晶体管，栅极与所述放电控制模块连接，第一极与所述采样保持单元的输出端连接，第二极接地；
放电电阻，第一端与所述采样保持单元的输出端连接，第二端与采样保持电路的输出端连接；以及，
放电电容，第一端与所述放电电阻的第二端连接，第二端接地。
4.如权利要求3所述的采样保持电路，其特征在于，所述放电控制模块还用于当所述采样保持单元完成放电操作时输出停止控制信号。
5.如权利要求3所述的采样保持电路，其特征在于，所述开关晶体管为N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET、P沟道增强型MOSFET或P沟道耗尽型MOSFET。
6.一种采样保持电路的放电控制方法，其特征在于，包括：
采样保持电路的输入端接入采样输入信号；
当所述采样保持电路开始放电时，控制单元包括的放电控制模块根据所述采样输入信号输出放电控制信号；
在所述放电控制信号的控制下，放电单元控制在预定时间内所述采样保持单元完成放电操作。
7.如权利要求6所述的采样保持电路的放电控制方法，其特征在于，所述当所述采样保持电路开始放电时，控制单元包括的放电控制模块根据所述采样输入信号输出放电控制信号步骤包括：
当放电控制模块包括的判断子模块判断到所述采样输入信号的速率大于预定速率和/或所述采样输入信号的电压幅值变化值的绝对值大于预定电压幅值时，所述判断子模块输出有效的第一控制信号；
当所述放电控制模块包括的控制子模块接收到有效的第一控制信号，并且所述采样保持单元开始放电时，所述控制子模块控制生成并输出放电控制信号。
8.如权利要求6或7所述的采样保持电路的放电控制方法，其特征在于，当所述采样保持电路包括开关晶体管、放电电阻和放电电容时，所述在所述放电控制信号的控制下，放电单元控制在预定时间内所述采样保持单元完成放电操作步骤包括：
当所述开关晶体管的栅极接入所述放电控制信号时，所述开关晶体管导通。
9.如权利要求8所述的采样保持电路的放电控制方法，其特征在于，还包括：
当所述采样保持单元完成放电操作时，所述放电控制模块输出停止控制信号；
当所述开关晶体管的栅极接入所述停止控制信号时，所述开关晶体管断开。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至5中任一权利要求所述的采样保持电路。