像素驱动电路及驱动方法、移位寄存器、显示面板和装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路及驱动方法、移位寄存器、显示面板和装置。
【背景技术】
[0002]OLED(Organic Light-Emitting D1de，有机发光二极管)为自发光材料，不需用到背光板，同时视角广、画质均匀、反应速度快、较易彩色化、用简单驱动电路即可达到发光、制程简单、可制作成挠曲式面板，符合轻薄短小的原则，因此OLED的应用范围涵盖各尺寸面板。
[0003]OLED的寿命一直是各大厂商关注的重点，OLED本身在发光过程中发生老化，导致亮度降低，其中老化机理有OLED器件中的缺陷，OLED自身材料劣化等多种，在实验中发现OLED发光后，再次加载反向压差，可以起到延长OLED寿命的效果。现有的AMOLED(Active-matrix organic light emitting d1de，有源矩阵有机发光二极管)像素驱动电路设计中，少有针对OLED器件本身老化进行优化的像素驱动电路。
【发明内容】
[0004]本发明的主要目的在于提供一种像素驱动电路及驱动方法、移位寄存器、显示面板和装置，以解决现有技术中不存在针对OLED器件本身老化进行优化的像素驱动电路从而导致OLED器件寿命短的问题。
[0005]为了达到上述目的，本发明提供了一种像素驱动电路，用于驱动发光二极管0LED，包括驱动晶体管、存储电容和数据写入单元；所述驱动晶体管，栅极通过所述数据写入单元接入数据电压，第一极与所述OLED的阴极连接，第二极接地；所述存储电容连接于所述驱动晶体管的栅极与所述驱动晶体管的第一极之间；所述OLED的阳极接入驱动电压；所述数据写入单元接入第η行扫描信号，用于在所述第η行扫描信号有效时将所述数据电压写入所述驱动晶体管的栅极；
[0006]所述像素驱动电路还包括:
[0007]反向控制单元，接入第η-2行扫描信号，并与所述OLED的阴极连接，用于在所述第η-2行扫描信号有效时，控制所述OLED的阴极接入所述第η_2行扫描信号；所述第η_2行扫描信号的电压大于所述驱动电压，η为大于2的整数。
[0008]实施时，所述反向控制单元包括:反向控制晶体管，栅极和第一极接入所述第η-2行扫描信号，第二极与所述OLED的阴极连接。
[0009]实施时，本发明所述的像素驱动电路还包括:
[0010]关断控制单元，接入第η-1行扫描信号，并分别与所述OLED的阳极和所述OLED的阴极连接，用于在所述第η-1行扫描信号有效时控制导通所述OLED的阳极与所述OLED的阴极之间的连接。
[0011]实施时，所述关断控制单元包括:
[0012]关断控制晶体管，栅极接入所述第η-1行扫描信号，第一极与所述OLED的阳极连接，第二极与所述OLED的阴极连接。
[0013]本发明还提供了一种像素驱动电路的驱动方法，用于驱动上述的像素驱动电路，所述驱动方法包括:
[0014]当所述第η-2行扫描信号有效时，控制OLED的阴极接入所述第η_2行扫描信号；所述第η-2行扫描信号的电压大于所述驱动电压，η为大于2的整数；
[0015]当所述第η行扫描信号有效时，数据电压写入单元控制将数据电压写入驱动晶体管的栅极。
[0016]实施时，本发明所述的驱动方法还包括:
[0017]当第η-1行扫描信号有效时，关断控制单元控制导通所述OLED的阳极与所述OLED的阴极之间的连接。
[0018]本发明还提供了一种移位寄存器，包括N级上述的像素驱动电路，N为大于2的整数；
[0019]第η级像素驱动电路分别接入第η行扫描信号和第η-2行扫描信号，η为大于2而小于或等于N的整数。
[0020]实施时，第η级像素驱动电路还接入第η-1行扫描信号。
[0021]本发明还提供了一种显示面板，包括上述的移位寄存器。
[0022]本发明还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。
[0023]与现有技术相比，本发明所述的像素驱动电路及驱动方法、移位寄存器、显示面板和装置，在一帧画面显示的最后时刻在OLED两端加载反向压差，可以防止OLED器件的老化，起到延长OLED寿命的效果。
【附图说明】
[0024]图1是本发明一实施例所述的像素驱动电路的结构图；
[0025]图2是本发明另一实施例所述的像素驱动电路的结构图；
[0026]图3是本发明又一实施例所述的像素驱动电路的电路图；
[0027]图4是本发明再一实施例所述的像素驱动电路的结构图；
[0028]图5是本发明一具体实施例所述的像素驱动电路的电路图。
【具体实施方式】
[0029]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0030]本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中第一极可以为源极或漏极，第二极可以为漏极或源极。此外，按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为η型晶体管或P型晶体管。在本发明实施例提供的驱动电路中，所有晶体管均是以η型晶体管为例进行的说明，可以想到的是在采用P型晶体管实现时是本领域技术人员可在没有做出创造性劳动前提下轻易想到的，因此也是在本发明的实施例保护范围内的。
[0031]如图1所示，本发明实施例所述的像素驱动电路，用于驱动发光二极管OLED，包括驱动晶体管M1、存储电容Cs和数据写入单元10 ;
[0032]所述驱动晶体管Ml，栅极通过所述数据写入单元10接入数据电压Vdata，第一极与所述OLED的阴极连接，第二极与地端GND连接；
[0033]所述存储电容Cs连接于所述驱动晶体管Ml的栅极与所述驱动晶体管Ml的第一极之间；
[0034]所述OLED的阳极接入驱动电压Vdd ；
[0035]所述数据写入单元10接入第η行扫描信号Vscan (η)，用于在所述第η行扫描信号Vscan (η)有效时将所述数据电压Vdata写入所述驱动晶体管Ml的栅极；
[0036]所述像素驱动电路还包括:
[0037]反向控制单元11，接入第η-2行扫描信号Vscan (η-2)，并与所述OLED的阴极连接，用于在所述第η-2行扫描信号Vscan(η-2)有效时，控制所述OLED的阴极接入所述第η-2行扫描信号Vscan(η-2)，使得所述OLED两端加载反向压差；所述第η_2行扫描信号Vscan (η-2)的电压大于所述驱动电压Vdd，η为大于2的整数。
[0038]在如图1所示的像素驱动电路的实施例中，所述驱动晶体管Ml为η型TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)，在实际操作时，所述驱动晶体管Ml也可以替换为p型TFT，晶体管的类型更换为本领域技术人员所公知，在此不再赘述。
[0039]本发明如图1所示的实施例所述的像素驱动电路通过采用反向控制单元，以控制在一帧画面显示的最后时刻在OLED两端加载反向压差，同时OLED关断不发光，可以在利用现有的扫描信号，无需增加新的控制信号的前提下对OLED器件本身的老化进行优化，延缓OLED亮度衰减，起到延长OLED寿命的效果。
[0040]具体的，如图2所示，所述反向控制单元11可以包括:反向控制晶体管M2，栅极和第一极接入所述第η-2行扫描信号Vscan (η-2)，第二极与所述OLED的阴极连接；
[0041]在如图2所示的实施例中，所述反向控制晶体管M2为η型TFT，在实际操作时，所述反向控制晶体管M2也可以替换为P型TFT，只需相应的第η-2行扫描信号Vscan (η-2)的极性变化即可，晶体管的类型更换为本领域技术人员所公知，在此不再赘述；
[0042]当所述第η-2行扫描信号Vscan (η-2)有效时，即所述第η_2行扫描信号Vscan(η-2)为高电平时，所述反向控制晶体管M2导通，使得所述OLED的阴极接入所述第η-2行扫描信号Vscan (η-2)，由于所述第η_2行扫描信号Vscan (η-2)的电压大于所述驱动电压Vdd，所以此时所述OLED两端加载反向压差，同时OLED关断不发光，以对OLED的老化进行优化，延缓OLED亮度衰减，延长OLED的寿命。
[0043]在具体实施时，如图3所示，所述数据写入单元10可以包括数据写