据写入晶体管，通过在不同的时间段控制补偿电容的两端接入相应的电压，从而可以同时完成阈值补偿和IRDrop (IR压降，出现在集成电路中电源和地网络上电压下降或升高的一种现象)补偿。
[0047]在优选情况下，所述驱动晶体管DTFT的阈值电压和所述数据写入晶体管的阈值电压是相等的，这样可以达到对驱动晶体管的阈值电压补偿的最优效果，然而在实际情况下，驱动晶体管的阈值电压和数据写入晶体管的阈值电压之间会有一定的差值，但是该差值需要非常小才能保证对驱动晶体管的阈值电压的补偿效果。
[0048]在图1中，驱动晶体管DTFT和数据写入晶体管TIN采用的是p型晶体管，在实际操作时，驱动晶体管DTFT和数据写入晶体管TIN也可以采用η型晶体管。
[0049]本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。此外，按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为η型晶体管或P型晶体管。在本发明实施例提供的驱动电路中，所有晶体管均是以P型晶体管为例进行的说明，可以想到的是在采用η型晶体管实现时是本领域技术人员可在没有做出创造性劳动前提下轻易想到的，因此也是在本发明的实施例保护范围内的。
[0050]具体的，如图2所示，所述电容控制模块包括:
[0051]复位晶体管Tini，栅极接入第一扫描信号Scanl，第一极与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接，第二极接入所述复位电压Vini ;
[0052]参考电压接入晶体管Tref，栅极接入第二扫描信号Scanl，第一极接入所述参考电压Vref，第二极与所述驱动晶体管DTFT的第一极连接；以及，
[0053]第一控制晶体管TC1，栅极接入第三扫描信号Scan3，第一极接入所述第一电源电压VI，第二极与所述驱动晶体管DTFT的第一极连接。
[0054]具体的，如图3所示，所述发光控制模块包括:
[0055]第二控制晶体管TC2，栅极接入第四扫描信号Scan4，第一极与所述驱动晶体管DTFT的第二极连接，第二极与发光元件13连接。
[0056]具体的，如图4所示，所述发光元件包括有机发光二极管OLED ；
[0057]所述第二控制晶体管TC2的第二极与所述有机发光二极管OLED的阳极连接；
[0058]所述有机发光二极管OLED的阴极接入第二电源电压V2。
[0059]具体的，当所述数据写入晶体管为P型晶体管时，Vin1-Vdata > Vth,Vini+Vref-VDD-Vdata < Vth ;当所述数据写入晶体管为η型晶体管时，Vin1-Vdata < Vth,Vini+Vref-VDD-Vdata > Vth ；
[0060]其中，Vini为所述复位电压，Vdata为所述数据电压，Vth为所述数据写入晶体管的阈值电压，Vref为所述参考电压，VDD为所述第一电源电压；
[0061]各电压的大小关系如上设置的目的是控制在每一显示周期的第二阶段，数据写入晶体管先导通后断开。
[0062]下面通过一具体实施例来说明本发明所述的像素驱动电路:
[0063]如图5所示，本发明所述的像素驱动电路的该具体实施例包括驱动晶体管DTFT ;所述驱动晶体管DTFT为P型TFT ;
[0064]补偿电容Cst，第一端与所述驱动晶体管DTFT的栅极G连接，第二端与所述驱动晶体管DTFT的源极S连接；
[0065]电容控制模块，用于在每一显示周期的第一阶段控制复位电压Vini接入所述补偿电容Cst的第一端，控制高电平VDD接入所述补偿电容Cst的第二端，在每一显示周期的第二阶段控制参考电压Vref接入所述补偿电容Cst的第二端，在每一显示周期的第三阶段控制所述高电平VDD接入所述补偿电容Cst的第二端；所述第二阶段包括写数据时间段和阈值补偿时间段；
[0066]数据写入晶体管TIN，栅极与所述驱动晶体管DTFT的栅极G连接，源极接入数据电压Vdata，漏极与所述驱动晶体管DTFT的栅极G连接，用于在所述第一阶段断开，在所述写数据时间段导通，以通过所述数据电压Vdata对所述补偿电容Cst充电，直至在所述阈值补偿时间段所述数据写入晶体管TIN断开；所述数据写入晶体管TIN的阈值电压与所述驱动晶体管DTFT的阈值电压相等；以及，
[0067]发光控制模块，用于在每一显示周期的第三阶段控制所述驱动晶体管DTFT的漏极与有机发光二极管OLED的阳极连接；所述OLED的阴极接入低电平VSS ;
[0068]所述驱动晶体管DTFT，用于在每一显示周期的第三阶段导通，以驱动所述有机发光二极管OLED发光；
[0069]所述电容控制模块包括:
[0070]复位晶体管Tini，栅极接入第一扫描信号Scanl，第一极与所述驱动晶体管DTFT的栅极G连接，第二极接入所述复位电压Vini ;
[0071]参考电压接入晶体管Tref，栅极接入第二扫描信号Scanl，第一极接入所述参考电压Vref，第二极与所述驱动晶体管DTFT的源极S连接；以及，
[0072]第一控制晶体管TC1，栅极接入第三扫描信号Scan3，第一极接入所述第一电源电压VDD，第二极与所述驱动晶体管DTFT的源极S连接；
[0073]所述发光控制模块包括:
[0074]第二控制晶体管TC2，栅极接入第四扫描信号Scan4，第一极与所述驱动晶体管DTFT的漏极连接，第二极与所述有机发光二极管OLED的阳极连接；
[0075]当所述数据写入晶体管为P型晶体管时，Vin1-Vdata > Vth,Vini+Vref-VDD-Vdata < Vth ;当所述数据写入晶体管为η型晶体管时，Vin1-Vdata < Vth,Vini+Vref-VDD-Vdata > Vth ；
[0076]Vth为所述数据写入晶体管TIN的阈值电压。
[0077]在如图5所示的具体实施例中，所有的晶体管都是P型TFT。
[0078]如图6所示，本发明如图5所示的像素驱动电路在工作时，
[0079]在每一显不周期的第一阶段Tl，Scanl和Scan3为低电平，Scan2和Scan4为高电平，Tini和TCl都导通，复位电压Vini接入补偿电容Cst的第一端，高电平VDD接入补偿电容Cst的第二端，补偿电容Cst的第一端和补偿电容Cst的第二端之间的电位差为Vin1-VDD ；
[0080]在每一显示周期的第二阶段T2包括的数据写入时间段，ScanU Scan3和Scan4为高电平，Scan2为低电平，Tref导通，参考电压Vref接入补偿电容Cst的第二端，由于存储电容Cst两端的电压差不会突变，因此所述存储电容Cst的第一端的电位跳变为Vini+Vref-VDD，此时数据写入晶体管TIN导通，通过数据电压Vdata对补偿电容Cst充电，直至所述数据写入晶体管TIN的栅极电位为Vdata+Vth时所述数据写入晶体管TIN断开，Vth为所述数据写入晶体管TIN的阈值电压；
[0081]在每一显示周期的第二阶段T2包括的阈值补偿时间段，所述数据写入晶体管TIN断开，Scanl、Scan3和Scan4为高电平，Scan2为低电平，Tref导通，参考电压Vref接入补偿电容Cst的第二端，所述驱动晶体管DTFT的栅极的电位保持为Vdata+Vth ;
[0082]在每一显示周期的第三阶段T3:
[0083]Scanl和Scan2为高电平，Scan3和Scan4为低电平，TCl和TC2都导通，高电平VDD接入所述补偿电容Cst的第二端，所述驱动晶体管的漏极与有机发光二极管OLED的阳极连接；
[0084]由于所述补偿电容Cst两端的电位差不能突变，因此所述驱动晶体管的栅极的电位跳变为Vdata+Vth+VDD-Vref，驱动晶体管导通以驱动有机发光二极管OLED发光；
[0085]并驱动晶体管DTFT的栅源电压Vgs如下:
[0086]Vgs = Vdata+Vth+VDD-Vref-VDD = Vdata+Vth-Vref ;其中，Vth 为数据写入晶体管的阈值电压；
[0087]因此此时流过有机发光二极管OLED的驱动电流I如下:
[0088]I = KX (Vgs-Vthd)2= KX (