形变，从而可以改变形变层16对上述显示区的覆盖面积。
[0030]如图2所示，参考电位层15和形变层16可以分别与第一 TFT元件13和第二 TFT元件14电连接。通过在扫描线S上施加电压信号可以同时控制第一 TFT元件13和第二 TFT元件14的开关状态。当在扫描线S上施加高压信号时，可以分别通过数据线Dl和D2在第一 TFT元件13和第二 TFT元件14的输入电极上输入不同的电压信号。这样，第一 TFT元件13和第二 TFT元件14的输出电极可以分别将不同的电压信号施加在参考电位层15和形变层16上。由于形变层16的一端固定在TFT基板11上，而另一端可以自由活动，因此形变层16可以以其固定端为轴，发生与其所受到的外力相关的弹性形变，从而改变其对显示区的覆盖面积。在本实施例中，形变层16所受到的外力可以是参考电位层15和形变层16之间的电压差所形成的电场力。
[0031]下面结合图3详细说明本实施例中显示器的显示原理。图3示出了本申请实施例的一种显示器的控制原理示意图。在图3中，TFT基板11所包括的三个像素单元分别处于不同的透光状态。对于左边的像素单元来说，其参考电位层15和形变层16上均未施加电压，因此形变层16未受到任何外力，可以保持其初始状态，使得背光可以部分通过该像素单元。对于中间的像素单元来说，其参考电位层15和形变层16上被施加了极性相反的电压，因此二者之间产生相互吸引的电场力。形变层16可以在这个电场力的作用下发生向参考电位层15表面靠近的弹性形变，并完全覆盖在参考电位层15表面，使得背光光线无法通过该像素单元。对于右边的像素单元来说，其参考电位层15和形变层16上被施加了极性相同的电压，因此二者之间产生相互排斥的电场力。形变层16可以在这个电场力的作用下发生远离参考电位层15的弹性形变，并不再遮挡参考电位层15，使得背光光线可以完全通过该像素单元。由上可见，通过改变参考电位层15和形变层16之间的电位差，可以在二者之间形成不同强度的电场，导致形变层16可以根据所受到的不同强度的电场力发生不同程度的弹性形变，从而改变其对参考电位层15的遮挡程度。这样，就可以控制TFT基板11中每个像素单元的透光率即灰度，从而可以实现对图像的显示。
[0032]需要说明的是，当形变层16完全覆盖在参考电位层15的表面时，形变层16的面积应该能够遮挡住全部显示区，使得背光光线完全无法穿过显示区，从而达到较好的黑色显示效果，提高显示器的对比度。
[0033]在本实施例的一个可选实现方式中，形变层16的材料可以为金属材料，上述氧化层的材料可以为该金属材料的氧化物。例如，金属材料可以是钛、铜或银中的一种。在一种可能的实现方式中，形变层16的材料可以为铝，则氧化层的材料为氧化铝。由于氧化铝的物理和化学性能稳定，绝缘性好，因此能够确保形变层16和参考电位层15之间的良好绝缘。
[0034]在本实施例的一个可选实现方式中，形变层16所处的空间为常压空间。在本实施例中，由于形变层16的表面上覆盖有性质十分稳定的氧化层，不存在因为氧化而发生老化的问题，因此其处于常压空间中即可正常工作。由于将形变层16设置于真空或低压环境中是非必要的，因此可以进一步简化本实施例中显示器的制作工艺，降低生产成本。
[0035]在本实施例中的彩膜基板12可以包括第二基板121以及设置于第二基板121面向TFT基板11 一侧表面上的彩膜层122和黑矩阵123。彩膜层122对应的区域是TFT基板11上的显示区，而黑矩阵123对应的区域则为不透光的非显示区。可选地，本实施例中的彩膜基板12还可以包括设置于第二基板121朝向TFT基板11 一侧表面的透明平坦层124，该平坦层124可以用于保护彩膜基板12的色阻材料。也就是说，彩膜层122可以被设置于第二基板121和平坦层124之间。这样，平坦层124就可以实现对彩膜层122的保护作用。
[0036]在本实施例的一个可选实现方式中，TFT基板11与彩膜基板12之间设置有支撑部件17。可选地，支撑部件17的形状可以为圆柱结构、立方体结构、球体结构、椎体结构和棱台结构中的任意一种。支撑部件17可以被设置于显示器10的非显示区域内，以避免其对显示区的遮挡。当形变层16发生最大形变时，支撑部件17的厚度大于形变层16最高点与TFT基板11上表面之间的距离。也就是说，支撑部件17可以用于确保TFT基板11和彩膜基板12之间有足够的距离，而不会对形变层16的弹性形变程度产生任何限制。
[0037]在本实施例的一个可选实现方式中，显示器10还可以包括:覆盖形变层16与TFT基板11的连接部分的保护层18，该保护层18用于固定上述连接部分。为了使形变层16与TFT基板11的连接更加稳固，以避免形变层16在形变的过程中发生脱落，可以进一步在二者的连接部分上覆盖一个保护层18。该保护层18可以为粘附性高的材料，如二氧化硅等。
[0038]可选地，形变层16的厚度可以大于等于lnm，小于等于lOOOOnm，其具体厚度可以根据所需要的形变程度来设定。
[0039]本申请实施例提供的显示器，首先可以在TFT基板和彩膜基板之间设置参考电位层和形变层，并在形变层表面形成氧化层，以使其与参考电位层绝缘。然后可以通过参考电位层和形变层之间的电压差来使得形变层发生弹性形变，从而改变其对显示区的覆盖面积，以实现对显示区出射光线的控制。由于本申请实施例中的显示器结构较为简单，不需要在参考电位层和形变层之间设置额外的绝缘层，也不需要液晶显示器中的配向膜、偏光片等结构，因此在工艺流程上易于实现，制作成本低。
[0040]下面结合图4-图7，对本申请实施例提供的一种显示器的制造方法做详细说明。
[0041]首先，在步骤SI中，如图4所示，可以提供一个TFT基板11。TFT基板11包括:第一基板111以及设置于第一基板111上表面的、呈阵列排布的多个第一 TFT元件13、多个第二 TFT元件14以及覆盖于第一 TFT元件13和第二 TFT元件14之上的透明平坦层112。在本实施例中，透明平坦层112可以是绝缘的透明层。
[0042]接着，在步骤S2中，如图5所示，可以在透明平坦层112内形成与第一 TFT元件13的输出电极133贯通的第一通孔134以及与第二 TFT元件14的输出电极143贯通的第二通孔144。具体可以通过光刻或激光刻蚀等制作工艺形成第一通孔134和第二通孔144。
[0043]继而，在步骤S3中，如图6所示，可以在透明平坦层112之上形成参考电位层15，该参考电位层15通过第一通孔134与第一 TFT元件13的输出电极133电连接。
[0044]具体地，可首先在透明平坦层112上表面形成整层的透明导电层。在此过程中，透明导电层的材料可以沉积在第一通孔134内，以实现与输出电极133的电连接。然后可以通过光刻工艺对上述透明导电层进行刻蚀，形成特定形状的参考电位层15。在本实施例中，参考电位层15位于TFT基板11的显示区之上。
[0045]之后，在步骤S4中，如图7所示，在参考电位层15上形成形变层16，该形变层16可以通过第二通孔144与第二 TFT元件14的输出电极143电连接。并在形变层16的表面形成氧化层，该氧化层用于将形变层16与参考电位层15绝缘。
[0046]具体地，可以首先在参考电位层15上覆盖光刻胶层。在光刻胶固化后，在光刻胶层上形成形变层16。可选地，可以通过镀膜以及刻蚀工艺形成特定形状的形变层16。在镀膜时，