屏幕及具有该屏幕的可携式电子装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及图像传感器技术领域，特别涉及一种图像传感器与显示器相结合的屏幕及具有该屏幕的可携式电子装置。
【背景技术】
[0002]随着科技的发展，高性能的图像传感器已经成为可携式电子装置例如笔记本电脑、平板电脑、个人数字助理PDA或移动通信装置(如智能手机)的标配，而且这些可携式电子装置的图像传感器正在不断向更高分辨率、更大传感器尺寸、更优图像性能演进。
[0003]然而，受制于可携式电子装置小体积的限制，目前这些电子装置的摄像头模组通常只能采用非常小尺寸的图像传感器(例如1/8?1/4英寸)并配备相应尺寸的镜头。但是，在一定分辨率下，小尺寸图像传感器意味着小尺寸像素(例如0.9?1.21!!11)，这也意味着这些可携式电子装置的图像传感器的图像质量不能达到非常好，与专业相机(如单反相机、微单相机等)等的图像质量不可比拟(专业相机的像素尺寸通常为4?6um)。
[0004]因此，希望提出一种可携式电子装置，其图像传感器既可以突破传统可携式电子装置图像传感器的尺寸限制，发挥大尺寸图像传感器的成像质量优势，同时又不占用可携式电子装置的体积。
【发明内容】
[0005]为达成上述目的，本发明提供一种应用于可携式电子装置的屏幕，所述屏幕包括呈阵列分布的多个像素单元，每一所述像素单元包括均形成于基板上的一个感光像素以及多个LED发光像素；所述感光像素包括感光二极管，所述LED发光像素包括发光二极管。
[0006]可选的，每一所述像素单元包括呈正方形分布的一个所述感光像素和三个所述LED发光像素。
[0007]可选的，所述多个像素单元的各所述感光像素呈拜耳分布。
[0008]可选的，所述屏幕上可拆卸地安装一镜头，所述镜头的尺寸小于等于所述屏幕的尺寸，用于使入射光到达所述镜头覆盖的所述感光像素。
[0009]本发明还提供一种可携式电子装置，包括:屏幕，其包括呈阵列分布的多个像素单元，每一所述像素单元包括均形成于基板上的一个感光像素以及多个LED发光像素；所述感光像素包括感光二极管，所述LED发光像素包括发光二极管；以及控制器，用于控制所述感光像素和/或所述LED发光像素工作。
[0010]可选的，每一所述像素单元包括呈正方形分布的一个所述感光像素和三个所述LED发光像素。
[0011]可选的，所述多个像素单元的各所述感光像素呈拜耳分布。
[0012]可选的，所述可携式电子装置还包括镜头，其可拆卸地安装于所述屏幕上且所述镜头的尺寸小于等于所述屏幕的尺寸，用于使入射光到达所述镜头覆盖的所述感光像素。
[0013]可选的，所述镜头通过镜头吸附环安装于所述屏幕上。
[0014]可选的，当所述镜头仅覆盖部分的所述感光像素时，所述控制器控制未被所述镜头覆盖的感光像素不工作。
[0015]本发明的有益效果在于，将图像传感器与可携式电子装置的显示屏幕相融合，从而在不增加可携式电子装置体积的前提下扩大图像传感器的尺寸，发挥大尺寸图像传感器的成像质量优势。
【附图说明】
[0016]图1所示为本发明的可携式电子装置的示意图；
[0017]图2所示为本发明的可携式电子装置的屏幕的像素单元分布图；
[0018]图3所示为本发明的可携式电子装置的屏幕的剖视图；
[0019]图4所示本发明的可携式电子装置的屏幕与镜头结合的使用示意图。
【具体实施方式】
[0020]为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
[0021]图1所示为本发明一实施例的可携式电子装置I。可携式电子装置I包括屏幕10及一控制器。可携式电子装置可为笔记本电脑、平板电脑、个人数字助理或移动通信装置，本发明并不加以限制。在此可携式电子装置I是以智能手机这一移动通信装置为例。
[0022]请参照图1至图3，可携式电子装置I的屏幕包括呈阵列分布的多个像素单元11，每一个像素单元11包括一个感光像素以及多个LED发光像素。感光像素用于感光，其包括感光二极管；LED发光像素用于发光，其包括发光二极管。图3所示为像素单元阵列的剖视图，从图3可知，感光像素和LED发光像素均形成在同一基板上通过集成电路工艺制造，该工艺可以由前道有源区(包括LED发光二极管、图像传感器感光二极管)、后道互联区(M0S晶体管、金属层肌、12、10、14等)、界面区(包括微透镜、彩色滤镜等)工艺等构成。
[0023]具体来说，LED发光像素采用发光材料制作，发光材料可为有机发光材料。有机发光显示技术由非常薄的有机材料涂层和玻璃基板构成。当有电荷通过时这些有机材料就会发光。厂商可通过改变发光材料而得到所需之颜色。每个LED发光像素都由一个对应的驱动电路独立驱动。
[0024]感光像素采用集成电路前照式CMOS图像传感器工艺制作，包括形成有源区、井区离子注入、MOS晶体管栅工艺、感光二极管掺杂、MOS晶体管侧墙及源漏工艺、后道金属互联、深槽刻蚀以及钝化层形成、形成彩色滤镜/微透镜等主要步骤。具体来说，制作工艺步骤如下:(1)形成有源区，通过刻蚀并回填二氧化硅的方式，形成STI(浅槽隔离)；(2)阱区掺杂；除了常规的I/O器件、Core器件的阱区离子注入外，还需进行感光二极管表面的P+掺杂，以及调节感光像素的其他MOS晶体管(如复位管RX、传输管TX、源跟随器SF、行选管RS)阈值电压的掺杂；(3)形成MOS晶体管的栅氧以及多晶硅栅；(4)进行感光二极管区的N+