形变层16的材料会填充第二通孔144，进而实现形变层16与所述第二 TFT元件14的输出电极143的电连接。在去除光刻胶后，形变层16的一端可以通过与第二通孔144连接的部分被固定，使得形变层16的其他部分可以以固定部分为轴，发生不同程度的弹性形变，从而改变其对TFT基板11中显示区的覆盖面积。
[0047]在本实施例中，在形成形变层16之后，还可以进一步使形变层16的表面发生氧反应，以形成氧化层。该氧化层可以用于将形变层16与参考电位层15绝缘。具体地，可以将形变层16置于高温(如400°C )腔体内，然后在腔体内通入氧气，使形变层16的表面能够发生氧化反应。可选地，整个氧化过程的时间可以大于等于I秒，小于等于1000秒。
[0048]可选地，为了使得形变层16在TFT基板11上连接更加稳固，可以在其与TFT基板11固定连接的部分上形成保护层18。保护层18可以为二氧化硅层，可通过沉积镀膜与刻蚀工艺形成。
[0049]最后，在步骤S5中，提供一彩膜基板12，将彩膜基板12与TFT基板11贴合，上述形变层16以及参考电位层15位于彩膜基板12与TFT基板11之间。具体可以在基板的四周涂上混合有间隔子(seal spacer)框胶，然后将两个基板进行贴合。在本实施例中，彩膜基板12可以包括第二基板121以及设置于第二基板121面向TFT基板11 一侧表面上的彩膜层122和黑矩阵123。可选地，本实施例中的彩膜基板12还可以包括设置于第二基板121朝向TFT基板11 一侧表面的透明平坦层124。可选地，TFT基板11与彩膜基板12之间还可以设置有支撑部件17。最终形成的显示器结构如图1所示。
[0050]在本实施例的一个可选实现方式中，可以在常压、真空或低压环境下，将彩膜基板12与TFT基板11进行贴合。其中，常压或低压环境可以为充满抑制氧化气体的环境。可选地，抑制氧化气体可以为氮气、或是任意一种惰性气体、或多种惰性气体的混合气体、或氮气与一种或是多种惰性气体的混合气体。
[0051]通过上述描述可知，本实施例提供的显示器的制造方法，通过在TFT基板上形成参考电位层和形变层，并在形变层表面形成氧化层，以使其与参考电位层绝缘，就可以得到显示器。在制作过程中，不需要在参考电位层和形变层之间设置额外的绝缘层，也不需要液晶显示器中的配向膜、偏光片等结构，因此在工艺流程上易于实现，制作成本低。
[0052]以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
【主权项】
1.一种显示器，其特征在于，包括: 相对设置的TFT基板以及彩膜基板，所述TFT基板包括:呈阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元均包括一个第一 TFT元件以及一个第二 TFT元件，所述像素单元中所述第一 TFT元件与第二 TFT元件之外的透光区域为显示区； 设置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一侧表面的透明参考电位层，所述透明参考电位层位于所述显示区之上；设置在所述参考电位层上的不透明形变层，所述形变层的表面覆盖有氧化层，所述氧化层用于将所述形变层与所述参考电位层绝缘； 其中，所述第一 TFT元件的输出电极与所述参考电位层电连接；所述第二 TFT元件的输出电极与所述形变层电连接；所述形变层用于根据其与所述参考电位层的电压差，以其与所述TFT基板的连接部分为轴发生与所述电压差对应程度的弹性形变，以改变所述形变层对所述显示区的覆盖面积。2.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述形变层的材料为金属材料，所述氧化层的材料为所述金属材料的氧化物。3.根据权利要求2所述的显示器，其特征在于，所述形变层的材料为铝，所述氧化层的材料为氧化铝。4.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述形变层所处的空间为常压空间。5.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，还包括: 设置在所述彩膜基板朝向所述TFT基板一侧表面的透明平坦层，所述平坦层用于保护所述彩膜基板的色阻材料。6.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述TFT基板与所述彩膜基板之间设置有支撑部件，所述形变层发生最大形变时，所述支撑部件的厚度大于所述形变层最高点与所述TFT基板上表面之间的距离。7.根据权利要求6所述的显示器，其特征在于，所述支撑部件形状为圆柱结构、立方体结构、球体结构、椎体结构或棱台结构。8.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，还包括: 覆盖所述连接部分的保护层，所述保护层用于固定所述连接部分。9.根据权利要求1至8任一项所述的显示器，其特征在于，所述形变层的厚度为大于等于lnm，小于等于lOOOOnm。10.一种显示器的制造方法，其特征在于，包括: 提供TFT基板，所述TFT基板包括:多个第一 TFT元件、多个第二 TFT元件以及覆盖于所述第一 TFT元件和所述第二 TFT元件之上的透明平坦层； 在所述透明平坦层内形成与所述第一 TFT元件的输出电极贯通的第一通孔以及与所述第二 TFT元件的输出电极贯通的第二通孔； 在所述透明平坦层之上形成参考电位层，所述参考电位层通过所述第一通孔与所述第一 TFT元件的输出电极电连接； 在所述参考电位层上形成形变层，所述形变层通过所述第二通孔与所述第二 TFT元件的输出电极电连接； 在所述形变层的表面形成氧化层，所述氧化层用于将所述形变层与所述参考电位层绝缘； 提供一彩膜基板，将所述彩膜基板与所述TFT基板贴合，所述形变层以及参考电位层位于所述彩膜基板与所述TFT基板之间； 其中，所述形变层能够以其与所述TFT基板的连接部分为轴发生不同程度的弹性形变，以改变其对所述第一 TFT元件与所述笫二 TFT元件之外的显示区的覆盖面积。11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在所述形变层的表面形成氧化层时，氧化时间大于等于I秒，小于等于1000秒。12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在常压、真空或低压环境下，将所述彩膜基板与所述TFT基板贴合。13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述常压或低压环境为充满抑制氧化气体的环境。
【专利摘要】本申请实施例公开了显示器及其制作方法。显示器包括：相对设置的TFT基板以及彩膜基板，TFT基板包括：呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元均包括一个第一TFT元件以及一个第二TFT元件，像素单元中第一TFT元件与第二TFT元件之外的透光区域为显示区；设置在TFT基板朝向彩膜基板一侧表面的透明参考电位层，透明参考电位层位于所述显示区之上；设置在参考电位层上的不透明形变层，形变层的表面覆盖有氧化层，氧化层用于将形变层与参考电位层绝缘；其中，形变层用于根据其与参考电位层的电压差，以其与TFT基板的连接部分为轴发生弹性形变，以改变形变层对显示区的覆盖面积。该显示器结构较为简单，在工艺流程上易于实现，制作成本低。
【IPC分类】G09F9/37
【公开号】CN105161022
【申请号】CN201510690259
【发明人】杨育青, 王磊
【申请人】厦门天马微电子有限公司, 天马微电子股份有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年10月22日