一种单色磊晶led显示模组的复合玻璃基板的制造方法

文档序号:9752113阅读:424来源:国知局
一种单色磊晶led显示模组的复合玻璃基板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法。
【背景技术】
[0002]在传统的半导体显示器产品发展到今天,配套的或是交叉行业的资源已经极大地丰富和完善。在传统的LED产品结构中,通常采用FR4电路板用来做LED电路基板。
[0003]但是,在传统电路板作为LED电路基板时,其材料的材质里存在的杂质,气孔,热应力,热膨胀等缺陷,都会造成致命的产品稳定性信赖性的隐患。而且在半导体显示器的分辨率提高到一定程度时(例如像素间距要求小于IMM时)无法实现加工。因此传统电路板是完全没法满足小尺寸、高精度的要求的。同时,后续与LED的接合工艺繁琐,导致成本较高,一个LED电路基板承载的多个LED晶片间性能的一致性也无法得到保障,可能会对最终产品的性能造成影响。

【发明内容】

[0004]本发明的目的是提供一种单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法。
[0005]本发明提供了一种单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法,包括:
[0006]对玻璃模板进行加工,在玻璃模板的一侧表面制作多个大小、高度、间距分别相等的矩阵柱;
[0007]对SiC衬板上钻多个台阶孔,所述多个台阶孔之间的间距与所述多个矩阵柱之间的间距相等;
[0008]将所述SiC衬板通过台阶孔,与所述玻璃模板的矩阵柱进行对位装配,将所述多个矩阵柱分别由所述台阶孔的小孔径一侧插入对应的台阶孔中;
[0009]对装入SiC衬板的玻璃模板进行高温热压,使所述SiC衬板与所述玻璃模板相粘接;
[0010]冷却后,对所述玻璃模板上装有SiC衬板的一侧表面进行研磨抛光;
[0011]高温退火和清洗后得到所述复合玻璃基板。
[0012]优选的,所述矩阵柱的柱径小于SiC衬板台阶孔的小孔径的四分之三。
[0013]优选的,所述台阶孔的最大孔径小于LED显示模组显示像素间距的二分之一;各台阶孔的大孔径为所述像素间距的整数倍。
[0014]优选的,在所述高温退火和清洗后,所述方法还包括:
[0015]对所述复合玻璃基板进行测试。
[0016]本发明提供的单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法,采用玻璃模板和SiC衬板对位装配,通过高温热压相粘接,对SiC衬板一侧研磨抛光,用以后续在SiC衬板上磊晶生长LED,最后经过高温退火消除复合玻璃基板内的应力。本发明提供的单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法,简便易行,成本低,适于大规模生产应用,后续在复合玻璃基板上可以一次性完成多个LED的后续磊晶生长LED形成LED显示模组,从而有效的保证了 LED显示模组的多个LED晶片间的一致性,即保证了具有一致性良好的显示效果。
【附图说明】
[0017]图1为本发明实施例提供的单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法;
[0018]图2为本发明实施例提供的制造方法的过程示意图之一;
[0019]图3为本发明实施例提供的制造方法的过程示意图之二 ;
[0020]图4为本发明实施例提供的制造方法的过程示意图之三;
[0021]图5为本发明实施例提供的制造方法的过程示意图之四。
【具体实施方式】
[0022]下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
[0023]本发明的单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法,主要用于LED显示屏,超小间距LED显示屏,超高密度LED显示屏,LED正发光电视,LED正发光监视器,LED视频墙,LED指示,LED特殊照明等领域的显示面板制造。
[0024]图1为本发明实施例提供的单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法的流程图。本发明的制造方法包括如下步骤:
[0025]步骤101,对玻璃模板进行加工,在玻璃模板的一侧表面制作多个大小、高度、间距分别相等的矩阵柱;
[0026]具体的,首先,对具有光学透明度的玻璃模板进行机械加工,形成多个矩阵柱,如图2所示,其中2a为侧视图,2b为俯视图。矩阵柱21为在玻璃模板的一侧表面上凸出的玻璃柱,优选为圆柱形。矩阵柱的作用是在熔融态的时候固定SiC衬板。
[0027]步骤102,对SiC衬板上钻多个台阶孔,所述多个台阶孔之间的间距与所述多个矩阵柱之间的间距相等;
[0028]具体的,如图3所示,台阶孔的两端分别具有大孔径31和小孔径32两个孔径,大孔径和小孔径在SiC衬板内部交接于台阶33处。
[0029]矩阵柱的高度大于小孔径的孔深,但小于SiC衬板的厚度。
[0030]优选的,台阶孔的最大孔径小于LED显示模组显示像素间距的二分之一;各台阶孔的大孔径为所述像素间距的整数倍。
[0031]步骤103,将所述SiC衬板通过台阶孔,与所述玻璃模板的矩阵柱进行对位装配,将所述多个矩阵柱分别由所述台阶孔的小孔径一侧插入对应的台阶孔中;
[0032]具体的,如图4所示,利用矩阵柱与插入台阶孔中,可以实现SiC衬板与玻璃模板的对位装配。
[0033]步骤104,对装入SiC衬板的玻璃模板进行高温热压,使所述SiC衬板与所述玻璃模板相粘接;
[0034]具体的,在对装入SiC衬板的玻璃模板进行定位热压,温度控制在使矩阵柱处于熔融态的温度即可。其中,常温下是固体的物质在到达一定温度后熔化,成为液态,称为熔融状态。对玻璃而言在1350度时出现熔融态,当控制温度下线波动时开始出现固液共存的溶融态。
[0035]矩阵柱在SiC衬板的台阶孔中处于熔融态,从而与SiC衬板进行接合。又因为矩阵柱的高度大于小孔径的孔深,因此熔融后再冷却的矩阵柱会在台阶处形成卡位结构51,具体如图5所示。从而通过熔融后的矩阵柱,实现SiC衬板与玻璃模板的牢固连接。
[0036]步骤105,冷却后,对所述玻璃模板上具有SiC衬板的一侧表面进行研磨抛光;
[0037]具体的,对接合后的玻璃模板上具有SiC衬板的一侧进行研磨抛光,可以采用化学机械抛光(CMP)或其他方式来实现。
[0038]步骤106,高温退火和清洗后得到所述复合玻璃基板。
[0039]具体的,高温退火的目的在于消除玻璃模板和SiC衬板之间的应力,清洗后即制得需要的复合玻璃基板。
[0040]步骤107,对所述复合玻璃基板进行测试。
[0041]后续可以一次性的在复合玻璃基板的SiC衬板上进行多个LED的磊晶生长,从而直接在复合玻璃基板上形成LED显示模组。
[0042]本发明提供的单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法,采用玻璃模板和SiC衬板对位装配,通过高温热压相粘接,对SiC衬板一侧研磨抛光,用以后续在SiC衬板上磊晶生长LED,最后经过高温退火消除复合玻璃基板内的应力。本发明提供的单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法,简便易行,成本低,适于大规模生产应用,后续在复合玻璃基板上可以一次性完成多个LED的后续磊晶生长LED形成LED显示模组,从而有效的保证了 LED显示模组的多个LED晶片间的一致性,即保证了具有一致性良好的显示效果。
[0043]上述实施例中所述的温度、浓度、时间等参数,仅为具体实施例,并非对本发明的限定,本领域技术人员在不付出创造性劳动的情况下,均可对上述参数进行调整,以得到与本发明相同的效果,因此对各参数数值的调整均应包括在本发明的保护范围内。
[0044]以上所述的【具体实施方式】,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的【具体实施方式】而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括: 对玻璃模板进行加工,在玻璃模板的一侧表面制作多个大小、高度、间距分别相等的矩阵柱; 对SiC衬板上钻多个台阶孔,所述多个台阶孔之间的间距与所述多个矩阵柱之间的间距相等; 将所述SiC衬板通过台阶孔,与所述玻璃模板的矩阵柱进行对位装配,将所述多个矩阵柱分别由所述台阶孔的小孔径一侧插入对应的台阶孔中; 对装入SiC衬板的玻璃模板进行高温热压,使所述SiC衬板与所述玻璃模板相粘接; 冷却后,对所述玻璃模板上装有SiC衬板的一侧表面进行研磨抛光; 高温退火和清洗后得到所述复合玻璃基板。2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述矩阵柱的柱径小于SiC衬板台阶孔的小孔径的四分之三。3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述台阶孔的最大孔径小于LED显示模组显示像素间距的二分之一;各台阶孔的大孔径为所述像素间距的整数倍。4.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在所述高温退火和清洗后,所述方法还包括: 对所述复合玻璃基板进行测试。
【专利摘要】本发明涉及一种单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法,包括:对玻璃模板进行加工,在玻璃模板的一侧表面制作多个大小、高度、间距分别相等的矩阵柱;对SiC衬板上钻多个台阶孔,所述多个台阶孔之间的间距与所述多个矩阵柱之间的间距相等;将所述SiC衬板通过台阶孔,与所述玻璃模板的矩阵柱进行对位装配,将所述多个矩阵柱分别由所述台阶孔的小孔径一侧插入对应的台阶孔中;对装入SiC衬板的玻璃模板进行高温热压,使所述SiC衬板与所述玻璃模板相粘接;冷却后,对所述玻璃模板上装有SiC衬板的一侧表面进行研磨抛光;高温退火和清洗后得到所述复合玻璃基板。
【IPC分类】G09F9/33
【公开号】CN105513502
【申请号】CN201410486656
【发明人】严敏, 程君, 周鸣波
【申请人】严敏, 程君, 周鸣波
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2014年9月22日
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