专利名称：Led磊晶结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种LED嘉晶结构,尤其涉及一种具有较佳出光效率的LED嘉晶结构。
背景技术：
LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点。然而由于LED的结构中电极是设置在左右两侧，因此电流由P电极流向N电极前会在N型磊晶层处汇集。电流的汇集是会造成电流拥挤效应，即在电流拥挤处温度就愈来愈高，此高温将影响LED的使用寿命以及发光效率。目前改善电流拥挤效应的方式， 为延长P电极以及N电极的长度，以减缓电流拥挤在某一区域，通过延展电极的长度增加电流由P电极流向N电极的路径，以避免单一路径过度拥挤的效应产生。虽然延长电极可以降低电流拥挤的现象，但是延长的电极也缩减了 LED结构的发光面积，尤其是以蚀刻制程在出光面上的电极制作，減少了很多的发光面积。所以如何使电流分布均匀，又能增加发光面积，是目前LED产业努力的课题。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种能增加发光面积的LED磊晶结构。ー种LED磊晶结构，包括ー个基板、一个缓冲层以及ー个磊晶层。所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的顶面。所述磊晶层包括ー个第一 N型磊晶层以及ー个第二 N型磊晶层，所述第一、ニ N型磊晶层之间形成ー个阻挡层，所述阻挡层具有图型化沟槽设置，使所述第一、ニ N型磊晶层通过所述沟槽接触连接。所述第二 N型磊晶层上依序成长ー个发光层、ー个P型磊晶层以及ー个导电层。ー种LED磊晶制程，其包括以下的步骤，
提供ー个基板，在所述基板上生长ー个缓冲层，并在所述缓冲层的顶面成长ー个第一 N型嘉晶层;
成长ー个阻挡层，以无掺杂或低掺杂成长在所述第一 N型磊晶层的顶面；
蚀刻阻挡层，在所述阻挡层形成图型化沟槽，并使所述沟槽到达所述第一 N型磊晶层；成长ー个第二N型磊晶层，在所述阻挡层的顶面，并通过所述沟槽与所述第一N型磊晶层接触；
依序成长磊晶层，在所述第二 N型磊晶层的顶面，成长ー个发光层、ー个P型磊晶层以及ー个导电层；及
设置电扱，在所述磊晶层蚀刻至所述阻挡层或所述第一 N型磊晶层，设置ー个N型电极，及在所述导电层设置ー个P型电极。上述的LED磊晶结构，由于所述第一、ニ N型磊晶层之间形成所述阻挡层，所述阻挡层具有图型化沟槽设置，构成图型化电子阻挡层，所述图型化电子阻挡层能导引磊晶层内电流流向的均匀分布，避免电流拥挤的现象。同时，所述磊晶层的表面不必以蚀刻方式延长所述N型电极，从而可以有效增加发光面积提闻LED嘉晶的发光效率。
图I是本发明LED磊晶结构中阻挡层实施方式的示意图。图2是本发明LED磊晶结构实施方式的示意图。图3是本发明LED磊晶结构实施方式的剖视图。图4是本发明LED磊晶结构制程的步骤流程图。图5是对应图4设置电极步骤的蚀刻位置示意图。主要元件符号说明 __
权利要求
1.一种LED磊晶结构，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层，所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的顶面，其特征在于所述磊晶层包括一个第一 N型磊晶层以及一个第二 N型磊晶层，所述第一、二 N型磊晶层之间形成一个阻挡层，所述阻挡层具有图型化沟槽设置，使所述第一、二 N型磊晶层通过所述沟槽接触连接，所述第二 N型磊晶层上依序成长一个发光层、一个P型磊晶层以及一个导电层。
2.如权利要求I所述的LED磊晶结构，其特征在于所述导电层的顶面上具有一个P型电极设置，所述P型电极包括打线端以及延长端，所述打线端位于所述导电层的一个侧边上，所述延长端以图型化设置。
3.如权利要求2所述的LED磊晶结构，其特征在于所述延长端与所述沟槽图型化相对应，并在所述磊晶层的顶面与内部交错设置。
4.如权利要求2所述的LED磊晶结构，其特征在于所述P型电极的相对侧具有一个N型电极设置，所述N型电极设置于所述阻挡层或是所述第一 N型磊晶层上。
5.如权利要求I所述的LED磊晶结构，其特征在于所述基板为蓝宝石基板。
6.一种LED磊晶制程，其包括以下的步骤 提供一个基板，在所述基板上生长一个缓冲层，并在所述缓冲层的顶面成长一个第一 N型嘉晶层; 成长一个阻挡层，以无掺杂或低掺杂成长在所述第一 N型磊晶层的顶面； 蚀刻阻挡层，在所述阻挡层形成图型化沟槽，并使所述沟槽到达所述第一 N型磊晶层； 成长一个第二 N型磊晶层，在所述阻挡层的顶面，并通过所述沟槽与所述第一 N型磊晶层接触； 依序成长磊晶层，在所述第二 N型磊晶层的顶面，成长一个发光层、一个P型磊晶层以及一个导电层；及 设置电极，在所述磊晶层蚀刻至所述阻挡层或所述第一 N型磊晶层，设置一个N型电极，及在所述导电层设置一个P型电极。
7.如权利要求6所述的LED磊晶制程，其特征在于所述提供一个基板步骤中，所述缓冲层为III族氮化合物半导体，所述第一 N型磊晶层为III族氮化合物半导体接触层。
8.如权利要求6所述的LED磊晶制程，其特征在于所述成长一个阻挡层步骤中，所述阻挡层为无掺杂或低掺杂III族氮化合物半导体电子阻挡层。
9.如权利要求6所述的LED磊晶制程，其特征在于所述成长一个第二N型磊晶层步骤中，所述第二 N型磊晶层为III族氮化合物半导体层。
10.如权利要求6所述的LED磊晶制程，其特征在于所述依序成长磊晶层步骤中，所述发光层为活性层，所述P型磊晶层为III族氮化合物半导体接触层，所述导电层为透明导电层。
11.如权利要求6所述的LED磊晶制程，其特征在于所述设置电极步骤中，在所述磊晶层的一个侧边上，蚀刻一个打线端大小的范围设置所述N型电极。
全文摘要
本发明提供一种LED磊晶结构，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层。所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的顶面。所述磊晶层包括一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层，所述第一、二N型磊晶层之间形成一个阻挡层，所述阻挡层具有图型化沟槽设置，使所述第一、二N型磊晶层通过所述沟槽接触连接。所述第二N型磊晶层上依序成长一个发光层、一个P型磊晶层以及一个导电层。本发明并提供所述LED磊晶结构的制程。
文档编号H01L33/00GK102856454SQ20111018177
公开日2013年1月2日 申请日期2011年6月30日 优先权日2011年6月30日
发明者林雅雯, 黄世晟, 凃博闵, 黄嘉宏, 杨顺贵 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司