8的边缘73对应于第三切角部分73，其中，第三切角部分73在具有基本上矩形形状的第二存储电极178的角部分处凹进。
[0103]这样，当形成第一存储电极155a和第二存储电极178时，通过形成被定位为在对角线上面对连接单元Cst3的存储补偿单元Cst2，即使由于曝光量的不均勾而发生覆盖改变，存储电容也可以基本上保持与之前相同。
[0104]在下文中，将参照图6对不管根据本发明的示例实施例的有机发光二极管显示装置的存储电容器结构中的覆盖改变如何而基本上保持存储电容的效果进行详细地描述。
[0105]如图6所示，当基于第一存储电极155a的位置沿左下对角线方向发生第二存储电极178的覆盖改变时，连接单元Cst3的第二存储电极178的第三切角部分73沿水平方向(例如，基于原始预定位置)移动了距离dl并且同时地(例如，同步地)沿竖直方向移动了距离d2。因此，第一存储电极155a和第二存储电极178的叠置面积减小了区域A，因此，连接单元Cst3的存储电容减小。然而，由于存储补偿单元Cst2的第二存储电极178的第二切角部分72沿水平方向(例如，基于原始预定的位置)移动了距离d3并且同时地(例如，同步地)沿竖直方向移动了距离d4，因此第一存储电极155a和第二存储电极178的叠置面积增大了区域B，因而使存储补偿单元Cst2的存储电容增大。这样，存储补偿单元Cst2的存储电容增加了与连接单元Cst3所减小的存储电容对应的量，结果，在存储电容上变化微小或没有变化。
[0106]此外，主余量宽度xl和yl可以对应于(或者可以为)第一存储电极155a的边缘的工艺余量和第二存储电极178的边缘的工艺余量的总和。
[0107]另外，补偿余量宽度x2和y2可以在从小于主余量宽度xl和yl的I %的宽度到基本上与主余量宽度xl和yl相同的宽度的范围内。例如，补偿余量宽度x2和y2的最小值可以是主余量宽度xl和yl与主余量宽度xl和yl的I %之间的差值，补偿余量宽度χ2和y2的最大值可以是基本上与主余量宽度相同的值。
[0108]这样，根据实施例，由于主余量宽度基于工艺余量的最大值，因此可以基本上保持(例如，始终保持)存储电容，而不管在与主余量宽度相同的补偿余量宽度范围内的覆盖改变如何。
[0109]在这种情况下，第二驱动电压线172b通过接触孔68与第一驱动电压线172a连接。这样，在一个实施例中，驱动电压线172通过连接竖直的第一驱动电压线172a和水平的第二驱动电压线172b而具有网状结构，以减小(或防止)驱动电压ELVDD的电压降。
[0110]第三数据连接构件179通过接触孔81与像素电极191连接，第二数据连接构件175通过接触孔82与初始化电压线192连接。
[0111]在下文中，将参照图7至图9根据层叠顺序对根据本发明的示例实施例的有机发光二极管显示装置的截面结构进行详细地描述。
[0112]在这种情况下，由于操作控制晶体管T5的层叠结构几乎与发光控制晶体管T6的层叠结构相同，因此将省略对操作控制晶体管T5的详细描述。
[0113]缓冲层120可以形成在基底110上。基底110可以通过由玻璃、晶体、陶瓷、塑料等制成的绝缘基底形成。缓冲层120在用于形成多晶半导体的结晶化工艺期间阻挡来自基底110的杂质，以改善多晶半导体的特性并减小施加到基底110的应力。
[0114]半导体130形成在缓冲层120上，半导体130包括驱动沟道131a、开关沟道131b、补偿沟道131c、初始化沟道131d、操作控制沟道131e和发光控制沟道131f。驱动源电极136a和驱动漏电极137a形成在半导体130中的驱动沟道131a的相应侧上，开关源电极136b和开关漏电极137b形成在开关沟道131b的相应侧上。另外，第一补偿源电极136cl和第一补偿漏电极137cl形成在第一补偿沟道131cl的相应侧上，第二补偿源电极136c2和第二补偿漏电极137c2形成在第二补偿沟道131c2的相应侧上，第一初始化源电极136dl和第一初始化漏电极137dl形成在第一初始化沟道131dl的相应侧上，第二初始化源电极136d2和第二初始化漏电极137d2形成在第二初始化沟道131d2的相应侧上。另外，操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e形成在操作控制沟道131e的相应侧上，发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f形成在发光控制沟道131f的相应侧上。
[0115]覆盖半导体130的第一绝缘层140形成在半导体130上。栅极布线121、122、123、155a、155b、155cl、155c2、155dl、155d2、155e、155f 和 172b 形成在第一绝缘层 140 上，栅极布线 121、122、123、155a、155b、155cl、155c2、155dl、155d2、155e、155f 和 172b 包括包含开关栅电极155b、第一补偿栅电极155cl和第二补偿栅电极155c2的扫描线121、包含第一初始化栅电极155dl和第二初始化栅电极155d2的先前扫描线122、包含操作控制栅电极155e和发光控制栅电极155f的发光控制线123、驱动栅电极(第一存储电极)155a以及第二驱动电压线172b。
[0116]覆盖栅极布线和第一绝缘层140的第二绝缘层160形成在栅极布线121、122、123、155a、155b、155cl、155c2、155dl、155d2、155e、155f 和 172b 以及第一绝缘层 140 上。在一个实施例中，第一绝缘层140和第二绝缘层160由氮化硅(SiNx)或氧化硅制成，例如，由二氧化娃(S12)制成。
[0117]包括数据线171、包含第二存储电极178的第一驱动电压线172a、第一数据连接构件174、第二数据连接构件175和第三数据连接构件179的数据布线171、172a、174、175、178和179形成在第二绝缘层160上。
[0118]这样，由于第二存储电极178与第二驱动电压线172a和数据线171由相同的材料形成并形成在同一层上，因此第二存储电极178不需要形成在单独的层上或由单独的金属形成，结果，可以减少在制造期间使用的掩模的数量。
[0119]数据线171穿过形成在第一绝缘层140和第二绝缘层160上的接触孔62与开关源电极136b连接，第一数据连接构件174的一端穿过形成在第一绝缘层140和第二绝缘层160上的接触孔61与第一存储电极155a连接，第一数据连接构件174的另一端穿过形成在第一绝缘层140和第二绝缘层160上的接触孔63与第二补偿漏电极137c2和第二初始化漏电极137d2连接。
[0120]第二数据连接构件175穿过形成在第一绝缘层140和第二绝缘层160上的接触孔64与第一初始化源电极136dl连接并穿过形成在第一绝缘层140和第二绝缘层160上的接触孔67与旁路漏电极137g连接。旁路漏电极137g和第一初始化源电极136dl不直接彼此连接而是通过第二数据连接构件175间接地彼此连接，以防止晶体管形成在第二驱动电压线172b的附近。
[0121]另外，矩形的第三数据连接构件179穿过形成在第一绝缘层140和第二绝缘层160上的接触孔66与发光控制漏电极137f连接。
[0122]覆盖数据布线和第二绝缘层160的钝化层180形成在数据布线171、172a、174、175、178和179以及第二绝缘层160上。钝化层180可以由有机层形成。像素电极191和初始化电压线192形成在钝化层180上。第三数据连接构件179穿过形成在钝化层180上的接触孔81与像素电极191连接，第二数据连接构件175穿过形成在钝化层180上的接触孔82与初始化电压线192连接。
[0123]覆盖钝化层180、初始化电压线192和像素电极191的像素限定层(I3DL) 350形成在钝化层180的边缘、初始化电压线192的边缘和像素电极191边缘上，并且像素限定层350具有暴露像素电极191的像素开口 351。像素限定层350可以由诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺的树脂或者硅系列无机材料制成。
[0124]有机发射层370形成在由像素开口 351暴露的像素电极191上，共电极270形成在有机发射层370上。这样，形成了包括像素电极191、有机发射层370和共电极270的有机发光二极管(OLED)。
[0125]在一个实施例中，像素电极191是作为空穴注入电极的阳极，共电极270是作为电子注入电极的阴极。然而，根据本发明的示例实施例不必局限于此，根据有机发光二极管显示装置的驱动方法，像素电极191可以是阴极且共电极270可以是阳极。当空穴和电子分别从像素电极191和共电极270注入到有机发射层370中时，通过结合注入的空穴和电子形成的(或获得的)激子从激发态降至基态，并发射光。
[0126]有机发射层370可以由低分子有机材料(或低分子量有机材料)或诸如聚3，4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)的高分子有机材料(或高分子量有机材料)制成。此外，有机发射层370可以由包括发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种的多个层形成。在一个实施例中，当有机发射层370包括所有层时，空穴注入层设置在作为阳极的像素电极191上，空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层顺序地层叠在空穴注入层上。
[0127]有机发射层370可以包括发射红光的红色有机发射层、发射绿光的绿色有机发射层和发射蓝光的蓝色有机发射层，红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层分别形成在红像素、绿像素和蓝像素处以实施彩色图像。
[0128]此外，在有机发射层370中，红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层全部一起层叠在红像素、绿像素和蓝像素上，并且对于每个像素形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器以实施彩色图像。作为另一示例，发射白光的白色有机发射层形成在全部红像素、绿像素和蓝像素上，并且对于每个像素形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器以实施彩色图像。当通过使用白色有机发射层和滤色器来实施彩色图像时，可以不使用用于将红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层分别沉积在单独的像素(即，红像素、绿像素和蓝像素)上的沉积掩模。
[0129]在另一示例中描述的白色有机发射层当然可以由一个有机发射层形成并且甚至包括可以通过层叠多个有机发射层来发射白光的构造。作为示例，白色有机发射层可以包括能够通过结合至少一个黄色有机发射层和至少一个蓝色有机发射层使白光发射的构造、能够通过结合至少一个青色有机发射层和至少一个红色有机发射层使白光发射的构造、能够通过结合至少一个品红色有机发射层和至少一个绿色有机发射层使白光发射的构造等。
[0130]保护有机发光二极管OLED的密封构件可以形成在共电极270上，密封构件可以通过密封剂密封在基底110上并且可由包括玻璃、晶体、陶瓷、塑料和金属的各种材料制成。同时，无机层和有机层可以沉积在共电极270上，而不使用密封剂以形成薄膜密封层。
[0131]同时，在示例实施例中，存储补偿单元由第一存储电极的第一切角部分52和第二存储电极178的第二切角部分72构成，但是另一示例实施例也是可能的，在所述另一示例实施例中，存储补偿单元由第一存储电极的第一角和第二存储电极的第二角构成以使存储电容最大化。
[0132]在下文中，将参照图10到图12对根据本发明的另一示例实施例的有机发光二极管显示装置进行详细的描述。
[0133]图10是根据本发明的另一示例实施例的有机发光二极管显示装置的布局图，图11是示出图10的存储电容器的放大布局图，图12是示出当图11中发生第二存储电极的覆盖改变时的存储电容器的放大布局图。
[0134]当对图10至图12中示出的另一示例实施例与图1至