液晶装置和电子设备的制作方法

专利名称：液晶装置和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及例如具有触键功能的液晶装置、以及具备这样的液晶装置 而构成的电子设备的技术领域。
背景技术：
在该种液晶装置中，为了将夹持液晶层的TFT阵列基板和对置基板之 间的间隔(所谓基板间间隙)维持恒定，在这些基板之间散布作为隔离物 的珠子(beads)。通过这样的珠子，会引起液晶装置的对比度降低，使液 晶装置的显示性能降低。特别是在通过沿着TFT阵列基板的基板面的横向 电场进行液晶的取向控制的横向电场方式的液晶装置中，对比度降低显 著。为了抑制这样的对比度降低，已知通过配置在TFT阵列基板或对置基 板上的柱状隔离物来维持基板间间隙的液晶装置。柱状隔离物例如是通过 对丙烯酸材料或聚酰亚胺材料等正型感光材料进行曝光而形成(例如，参 照专利文献1和2)。另外，专利文献3公开了一种具备被埋入到相互粘接 一对基板的密封部内且具有高刚性模量的隔离物的液晶装置。另一方面，在该种液晶装置中，例如具有如下所示的触键功能，所述 触键功能通过检测出由手指等输入装置按压显示面而产生的TFT阵列基 板和对置基板之间的静电电容的变化，可以检测出手指等输入装置按压了 液晶显示装置的显示面，而可以进行各种信息的输入。专利文献1:特开平10 — 82909号公报专利文献2:特开平6 —175133号公报专利文献3:特开2002—333630号公报但是，在该种液晶装置中，使用光刻技术形成相互间具有相同尺寸的 隔离物在技术上比较困难，存在多个隔离物之间相互产生尺寸差异这样的 技术问题。此外，根据使用液晶装置的周边温度等环境，有时液晶装置会 收縮，难以维持基板间间隙。另外，当使用光刻法同时形成多个隔离物时，为了稳定地形成隔离物， 必须增大应成为隔离物的曝光前树脂的尺寸，隔离物的长宽比减小，并且 根据隔离物的尺寸，开口率也减小。在这里，当通过减小隔离物的尺寸来 提高开口率时，隔离物变得强度不足，通过隔离物无法维持基板间间隙。 当为了弥补隔离物的强度不足而提高基板上的隔离物的密度时，曝光处理 的次数增大，使液晶装置的制造工序变得复杂。另外，在具有触键功能的液晶装置中，通过检测出由按压对置基板发生的对置基板和TFT阵列基板之间的静电电容的变化，可以输入各种信 息，但问题是当对置基板接触TFT阵列基板时，这些基板之间发生短路， 无法检测静电电容。发明内容由此，本发明正是鉴于上述问题点等而完成的发明，其目的在于，提 供一种不使制造工序复杂化并通过维持基板间间隙来提高可靠性的液晶 装置、以及具备这样的液晶装置而成的电子设备。此外，其目的还在于， 提供一种具有触键功能的液晶装置，该液晶装置可以减轻按压对置基板时 产生的不良情况，还提供具备这样的液晶装置而成的电子设备。本发明的液晶装置为了解决上述课题，具备基板、与该基板对置配置 的对置基板、夹持在上述基板和上述对置基板之间的液晶层、和配置在上 述基板和上述对置基板之间且具有互不相同的长宽比的多个隔离物。根据本发明的液晶装置，基板是形成有例如TFT(Thin Film Transistor) 等像素开关用元件的TFT阵列基板。在该液晶装置的动作时，例如通过对 液晶层的取向进行控制，可以在显示区域显示所希望的图像，所述液晶层 被夹持在形成于TFT阵列基板上的像素电极和形成于对置基板上的对置 电极之间。多个隔离物被配置在基板和上述对置基板之间，具有互不相同的长宽 比。多个隔离物例如是由丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等正型的感光材料构 成，使用光刻法对该树脂实施曝光处理，由此形成为规定的形状。多个隔 离物具有互不相同的长宽比，所以例如在液晶装置随着温度降低发生收縮 的情况下，即便无法通过多个隔离物中具有某一高度的隔离物来维持基板间间隙，也可以通过长宽比小于该隔离物的、换言之具有低于具有某一高 度的隔离物的其他高度的隔离物来维持基板间间隙。因此，例如即便在根 据环境温度液晶装置发生收縮的情况下，可以通过具有互不相同的长宽比 的多个隔离物的任意一个来确保基板间间隙，由此可以提高液晶装置的可 靠性。另外，如此长宽比互不相同的多个隔离物当中相互间具有相同长宽 比的隔离物被均匀地配置在基板上，这样可以通过基板整体来均匀地维持 基板间间隙，所以是优选的。此外，根据本发明的液晶装置，通过预先调节用于成为隔离物的曝光 前的树脂的尺寸、更为具体地说是调节该树脂的宽度，通过一次曝光处理 可以形成长宽比互不相同的隔离物、换言之高度互不相同的隔离物，不会 使液晶装置的制造工序复杂化。更为具体地说，进行曝光处理时，光蔓延 至成为曝光对象的树脂中，所以一并对宽度互不相同的多个树脂部实施曝 光处理，由此可以根据这些树脂部的宽度的不同形成具有互不相同的长宽 比的多个隔离物。因此，为了形成具有互不相同的长宽比的多个隔离物， 不需要进行多次曝光处理，不会使液晶装置的制造工序复杂化。由此，根据本发明的液晶装置，可以提供不使制造工序复杂化且通过 维持基板间间隙提高可靠性的液晶装置。在本发明的液晶装置的一个方式中，上述基板上的显示区域包括从 上述液晶层观察，将从上述基板侧入射的光源光作为根据上述液晶层的取 向状态进行过调制的调制光，并使其向上述对置基板侧透过的透过区域；和使从上述对置基板侧入射的入射光向上述对置基板侧反射的反射区域；上述多个隔离物中的一个隔离物以及长宽比与上述一个隔离物不同的其 他隔离物分别被配置在上述透过区域和上述反射区域。根据该实施方式，多个隔离物中的一个隔离物以及长宽比与上述一个 隔离物不同的其他隔离物分别被配置在上述透过区域和上述反射区域，由 此可以确保这些区域各自的基板间间隙，可以防止液晶装置的显示品位的 降低。在本发明的其他方式中，具备如下所示的触键结构，所述触键结构根 据通过从上述对置基板的两面中未面向上述液晶层的面侧按压上述对置 基板而在上述对置基板和上述基板之间产生的静电电容的变化，可以向该液晶装置输入各种信息；上述多个隔离物中规定的隔离物按照不与上述对 置基板接触的方式形成在上述基板上。根据该实施方式，触键结构被构成为可以通过静电电容方式借助手指 等输入手段输入各种信息。在该实施方式中，即便在通过按压对置基板而 使对置基板朝向基板挠曲的情况下，对置基板的挠曲被规定的隔离物限 制，可以防止对置基板和基板相互接触。根据该实施方式，即便在按压对 置基板的情况下，也可以通过规定的隔离物确保对置基板和基板之间的基 板间间隙，可以维持触键功能。本发明的电子设备为了解决上述课题，具备上述本发明的液晶装置。根据本发明的电子设备，具备上述的本发明的液晶装置而成，所以可 以实现具有触键功能且可以进行高品位显示的投射型显示装置、移动电 话、电子笔记本、文字处理器、取景器型或监视器直视型的磁带录像机、 工作站、电视电话、POS终端等各种电子设备。另外，作为本发明的电子 设备，例如也可以实现电子纸张等电泳装置等。关于本发明的这样的作用和其他增益，可以从以下说明的实施方式得 到明确。


图1是从对置基板侧观察本实施方式的液晶装置的俯视图。 图2是图1的II一IK剖面图。图3是构成本实施方式的液晶装置的显示区域的形成为矩阵状的多个 像素中各种元件、配线等的等效电路。图4是本实施方式的液晶装置中形成数据线、扫描线、像素电极等的 TFT阵列基板的相邻的多个像素组的俯视图。图5是图4的V—V'剖面图。图6是图4的VI—V厂剖面图。图7是作为本实施方式的电子设备的一个例子的计算机的立体图。 图8是作为本实施方式的电子设备的一个例子的移动电话的立体图。 图中l一液晶装置，IO—TFT阵列基板，20 —对置基板，43 —第三 层间绝缘膜，50—液晶层，151a、 151b —隔离物。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的液晶装置以及电子设备的各实施方式进行 说明。<1:液晶装置〉<1一1:液晶装置的总体构成>首先，参照图1和图2，对本实施方式的液晶装置1的整体构成进行 说明。图1是从对置基板侧观察TFT阵列基板以及在其上形成的各构成要素的液晶装置i的俯视图，图2是图i的n—n'的剖视图。本实施方式的液晶装置1以驱动电路内置型的TFT有源矩阵驱动方式被驱动。此外，液 晶装置1具有根据后述的对置基板21和像素电极9a之间产生的静电电容 的变化而可以输入各种信息的触键功能。在图1和图2中，在液晶装置l中，TFT阵列基板10和对置基板20 被对置配置。在TFT阵列基板10和对置基板20之间密封液晶层50， TFT 阵列基板10和对置基板20通过设置在位于图像显示区域10a周围的密封 区域的密封材料52相互粘接，所述图像显示区域10a是设置有多个像素 部的显示区域。密封材料52由用于贴合两个基板的例如紫外线固化树脂、热固化树 脂等构成，在制造工序中被涂敷在TFT阵列基板10上之后，通过紫外线 照射、加热等被固化。在密封材料52中，散布有用于使TFT阵列基板IO 和对置基板20的间隔(基板间间隙)为规定值的玻璃纤维或玻璃珠等间 隙材料。对图像显示区域10a的框缘区域进行规定的遮光性的框缘遮光膜53， 与配置有密封材料52的密封区域的内侧并行地设置在对置基板20侧。不 过，这样的框缘遮光膜53的一部分或全部可以作为内置遮光膜设置在TFT 阵列基板10侧。另外，存在位于图像显示区域10a周边的周边区域。换 言之，在本实施方式中，特别是从TFT阵列基板10的中心来看，该框缘 遮光膜53以远被规定为周边区域。在周边区域中、位于配置有密封材料52的密封区域的外侧的区域中， 沿着TFT阵列基板10的一边设置有数据线驱动电路101和外部电路连接端子102。扫线驱动电路104沿着与该一边相邻的2个边设置，且被框缘 遮光膜53覆盖。进而，为了连接如此设置在图像显示区域10a两侧的2 个扫线驱动电路104之间，沿着TFT阵列基板10的剩余一边且以框缘遮 光膜53覆盖的方式设置有多条配线105。在对置基板20的4个角部配置有作为两个基板间的上下导通端子发 挥功能的上下导通部件106。另一方面，在TFT阵列基板10上与这些角 部对置的区域设置有上下导通端子。由此，可以实现TFT阵列基板10和 对置基板20之间的电导通。对置电极21具有固定电位，与像素电极9a 一起构成本发明的"触键结构"的一例。在图2中，在TFT阵列基板10上，在形成有像素开关用的TFT或扫 描线、数据线等配线之后的像素电极9a上形成有取向膜。另一方面，在 对置基板20上，除了对置电极21之外，还形成有格子状或条纹状的遮光 膜23，进而在最上层部分形成有取向膜。液晶层50例如是由混合了一种 或数种向列型液晶的液晶构成，在这一对取向膜之间采取规定的取向状 态。另外，在图1和图2所示的TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱 动电路101、扫描线驱动电路104等驱动电路之外，还可以形成对图像信 号线的图像信号进行取样并将其提供给数据线的取样电路、在图像信号之 前将规定电压电平的预充电信号分别提供给多条数据线的预充电电路、用 于在制造过程中或出厂时检查该电光装置的品质、缺陷等的检查电路等。<1一2:液晶装置的总体构成>接着，边参照图3乃至图6，边详细说明液晶装置1的像素部的构成。 图3是构成液晶装置1的图像显示区域10a的形成为矩阵状的多个像素中 各种元件、配线等的等效电路，图4是形成有数据线、扫描线、像素电极 等的TFT阵列基板的相邻的多个像素组的俯视图。图5是图4的V—V' 剖面图。图6是图4的VI—VI，剖面图。另外，在图5和图6中，由于使 各层、各构件为图面上可以识别的程度的大小，所以使每层、每个构件的 缩放比例不同。在图3中，在构成液晶装置1的图像显示区域10a的形成为矩阵状的 多个像素中分别形成有像素电极9a和TFT30。 TFT30与像素电极9a电连接，在液晶装置1的动作时对像素电极9a进行开关控制。提供图像信号 的数据线6a与TFT30的源极电连接。写入到数据线6a的图像信号Sl、 S2、…、Sn可以按照该顺序以线顺序供给，还可以相对于相邻的多条数 据线6a以组供给。TFT30的栅极电连接有扫描线3a，液晶装置1被构成为在规定的时间 将扫描信号Gl、 G2、…、Gm按照该顺序以线顺序脉冲式地施加给扫描 线3a。像素电极9a与TFT30的漏极电连接，对于作为开关元件的TFT30 仅在一定期间关闭其开关，由此在规定的时间写入从像素电极9a提供的 像素信号S1、 S2、…、Sn。借助像素电极9a被写入到作为电光物质的一 例的液晶的规定强度的像素信号Sl、 S2、…、Sn，在与形成于对置基板 上的对置电极之间被保持一定期间。就液晶层50中含有的液晶而言，利用施加的电压电平使分子集合的 取向或秩序发生变化，由此对光进行调制，可以进行灰度显示。如果是正 常白模式，根据以各像素为单位施加的电压，相对于入射光的透过率减少， 如果是正常黑模式，根据以各像素为单位施加的电压，相对于入射光的透 过率增加，作为整体从液晶装置l射出具有与像素信号对应的对比度的光。 就存储电容70而言，为了防止图像信号泄漏，与在像素电极9a和对置电 极之间形成的液晶电容并联附加。接着，参照图4乃至图6，说明像素部的具体构成。在图4中，在液 晶装置1的TFT阵列基板10上设置有相对于X方向和Y方向成矩阵状的 多个透明的像素电极9a (用虚线部9a '表示轮廓)，分别沿着像素电极9a 的纵横边界设置有数据线6a和扫描线3a。液晶装置1具有如下所示的触 键结构，即从对置基板20的两面中未面向液晶层50的显示面20S侧用手 指等输入装置按压对置基板20，由此利用未图示的电流检测机构检测对置 电极21和像素电极9a之间产生的静电电容的变化，根据该检测出的静电 电容的变化可以输入各种信息。在半导体层la中，按照与图4中用右上的斜线区域表示的沟道区域 la'对置的方式配置有扫描线3a。如此，在扫描线3a和数据线6a交叉的 每个场所设置有像素开关用的TFT30。数据线6a在以其上表面被平坦化的第二层间绝缘膜42为基底而形成的基底膜42aa上形成，借助接触孔81与TFT的高浓度源极区域连接。数 据线6a和接触孔81内部例如是由Al — Si—Cu、 Al — Cu等含Al (铝)材 料、或铝单质、或Al层和TiN等的多层膜构成。数据线6a具有对TFT30 进行遮光的功能。存储电容70是通过将与高浓度漏极区域le和像素电极9a连接的作 为像素电位侧电容电极的下部电容电极71、和作为固定电位侧电容电极的 上部电容电极300的一部分隔着电介质膜75对置配置而形成的。如图4和图5所示，上部电容电极300作为例如含有金属或合金的上 侧遮光膜(内置遮光膜)而被设置在TFT30的上侧。上部电容电极300 作为固定电位侧电容电极发挥作用。上部电容电极300例如是由含有Ti (钛)、Cr (铬)、W (钩)、Ta (钽)、Mo (钼)、Pd (钯)、Al (铝)等 金属当中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、层叠了 它们的材料等形成。上部电容电极300例如可以具有层叠有由导电性的多 晶硅膜等形成的第一膜和含有高熔点金属的金属硅化物膜等形成的第二 膜而成多层结构。下部电容电极71例如由导电性的多晶硅膜、或例如含有Ti、 Cr、 W、 Ta、 Mo、 Pd、 Al等金属当中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、 聚硅化物、层叠了它们的材料等形成，作为像素电位侧电容电极发挥功能。 下部电容电极71除了作为像素电位侧电容电极发挥功能之外，还具有在 作为上侧遮光膜的上部电容电极300和TFT30之间配置的作为光吸收层或 上侧遮光膜的其他例子的功能，进而还具有将像素电极9a和TFT30的高 浓度漏极区域le中继连接的功能。但是，下部电容电极71也和上部电容 电极300—样可以由含有金属或合金的单层膜或多层膜构成。配置在作为电容电极的下部电容电极71和上部电容电极300之间的 电介质膜75，例如是由HTO (High Temperature Oxide)膜、LTO (Low Temperature Oxide)膜等氧化硅膜、或者氮化硅膜等构成。上部电容电极300从配置有像素电极9a的图像显示区域10a向其周 围延设，与恒电位源电连接，成为固定电位。在TFT30的下侧隔着基底绝缘膜12设置成格子状的下侧遮光膜lla， 阻断从TFT阵列基板10侧入射到装置内的返回光照射TFT30的沟道区域la '及其周边。下侧遮光膜lla与上部电容电极300 —样例如是由含有Ti、 Cr、 W、 Ta、 Mo、 Pd等高熔点金属当中的至少一种的金属单质、合金、 金属硅化物、聚硅化物、层叠了它们的材料等形成。基底绝缘层12除了具有将下侧遮光膜lla和TFT30层间绝缘的功能 之外，还具有通过形成在TFT阵列基板10的整个面上而防止由研磨TFT 阵列基板10的表面时的粗糙或清洗后残留的污物等引起的像素开关用 TFT30的特性劣化的功能。像素电极9a通过中继下部电容电极71，从而 借助接触孔83和85与而半导体层la中的高浓度漏极区域le电连接。如图4和图5所示，液晶装置1具备透明的TFT阵列基板10、和与 其对置配置的透明的对置基板20。 TFT阵列基板IO例如由石英基板、玻 璃基板、硅基板构成，对置基板20例如由玻璃基板或石英基板构成。在TFT阵列基板10上设置有像素电极9a，在其上侧设置有己被实施 了摩擦处理等规定的取向处理的取向膜16。例如，像素电极9a是由ITO (Indium Tin Oxide)膜等透明导电性膜构成，取向膜16是由聚酰亚胺膜 等有机膜构成。在TFT阵列基板10上形成用于确保TFT阵列基板10和对置基板20 之间的基板间间隙的隔离物151a和151b。隔离物151a和151b由丙烯酸 树脂或聚酰亚胺树脂等正型的感光材料构成，使用光刻法形成为具有规定 的形状和尺寸。在对置基板20的整个面上设置有对置电极21，在其下侧设置有已被 实施了摩擦处理等规定的取向处理的取向膜22。对置电极21例如由ITO 膜等透明导电性膜构成，取向膜22由聚酰亚胺膜等有机膜构成。在对置基板20上可以设置格子状或条纹状的遮光膜。通过采用这样 的构成，可以与作为上部电容电极300而设置的上侧遮光膜一起确实可靠 地阻止来自TFT阵列基板10侧的入射光侵入沟道区域la'乃至其周边。在如此构成的被配置成像素电极9a和对置电极21面对面的TFT阵列 基板10和对置基板20之间，形成液晶层50。液晶层50在未施加源自像 素电极9a的电场的状态下通过取向膜16和22采取规定的取向状态。在图5中，像素开关用TFT30具有LDD (lightly D叩edDrain)结构， 具备栅电极3a2、由源自扫描线3a的电场形成沟道的半导体层la的沟道区域la '、包括将扫描线3a和半导体层la绝缘的栅极绝缘膜的绝缘膜 2、低浓度源极区域lb和低浓度漏极区域lc、高浓度源极区域ld和高浓 度漏极区域le。低浓度源极区域lb、低浓度漏极区域lc、高浓度源极区 域ld和高浓度漏极区域le构成半导体层la的杂质区域，在沟道区域la '的两侧形成为镜对称。栅电极3a2由多晶硅膜等导电膜、或例如含有Ti、 Cr、 W、 Ta、 Mo、 Pd、 Al等金属当中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、 层叠了它们的材料等形成，按照不与低浓度源极区域lb和低浓度漏极区 域lc重叠的方式隔着绝缘膜2设置在沟道区域la'上。因此，充分确保 TFT30中高浓度源极区域ld和高浓度漏极区域le与栅电极3a2的偏移。另外，栅电极3a2的边缘俯视状态下与低浓度源极区域lb和低浓度 漏极区域lc以及沟道区域la >的边界重叠，降低在低浓度源极区域lb和 低浓度漏极区域lc与栅电极3a2之间产生的寄生电容。由此，可以实现 TFT30晶体管的高速动作，提高液晶装置1的显示性能。此外，在液晶装置1中，通过栅电极3a2上以覆盖TFT30的方式形成 的上部电容电极300，与仅通过栅电极3a2进行遮光的情况相比，可以更 有效地对低浓度源极区域lb和低浓度漏极区域lc进行遮光。由此，通过液晶装置l，可以减轻当使用光漏电流降低的TFT30进行 闪烁等的图像显示时发生的不良情况，能够以高品位显示图像。此外，由 于TFT30具有LDD结构，可以降低TFT30非动作时在低浓度源极区域 lb和低浓度漏极区域lc中流过的阻断电流，而且可以抑制TFT30动作时 流过的阻断电流的降低。由此，通过液晶装置l，利用LDD结构的优点以 及几乎没有光漏电流流过的情况，可以以高品位显示图像。在下侧遮光膜lla上形成有分别开设了通向高浓度源极区域ld的接 触孔81和通向高浓度漏极区域le的接触孔83的第一层间绝缘膜41。在第一层间绝缘膜41上形成有下部电容电极71和上部电容电极300， 在它们的上面形成有分别开设了接触孔81和85的第二层间绝缘膜42。本实施方式中的第二层间绝缘膜42是由例如BPSG膜形成，经过基 于加热的流化状态而使得上表面被平坦化。即，在其成膜时的上表面，因 下层侧的存储电容70或TFT30、扫描线3a的存在，进而因基底遮光膜lla的存在产生阶差，但一旦被流化，则上表面成为水平差引起的凹凸被均匀 化状态。其中，就第二层间绝缘膜42而言，大多利用使用感光性的丙烯酸树脂等减轻阶差的修正方法。进而，按照从数据线6a的上面覆盖第二层间绝缘膜42的整个面的方 式形成了接触孔85的第三层间绝缘膜43，例如由BPSG膜形成。像素电 极9a和取向膜16被设置在第三层间绝缘膜43的上面。其中，就第三层间绝缘膜43而言，大多利用使用感光性的丙烯酸树 脂等减轻阶差的修正方法。接着，参照图4和图6详细说明隔离物151a和151b。如图4和图6所示，隔离物151a形成在图像显示区域10a当中实质 上有助于图像显示的开口区域中使从TFT阵列基板10的背面侧入射的光 源光透过的透过区域。更为具体地说，开口区域是通过使光透过或反射而 从显示面20S射出与应显示的图像相对应的光的区域。这样的开口区域被 形成有数据线6a等非透过性膜的非开口区域所包围。在透过区域，光源 光根据液晶层50的取向状态被调制，作为调制光从显示面20S射出。隔 离物151b形成在开口区域中形成有反射膜39的反射区域内。反射膜39 将从对置基板20侧入射的入射光反射到对置基板20侦lj，该被反射的光通 过液晶层50被调制，从显示面20S输出。隔离物151a和151b通过将丙 烯酸树脂等感光材料涂敷FT阵列基板IO上之后，使用光刻法对该被涂敷 的感光材料实施曝光，由此一并形成。隔离物151a和隔离物151b具有互不相同的长宽比。更为具体地说， 隔离物15ab的长宽比大于隔离物151a的长宽比。隔离物151a和151b通 过预先调节用于成为隔离物的曝光前的树脂的尺寸、换言之是通过预先调 节该树脂的宽度，通过一次曝光处理可以形成长宽比互不相同的隔离物、 换言之是高度互不相同的隔离物。即，进行曝光处理时，光蔓延至成为曝 光对象的由感光材料形成的树脂部，所以一并对宽度互不相同的多个树脂 部实施曝光处理，由此可以根据这些树脂部的宽度的不同形成具有互不相 同的长宽比的隔离物151a和151b。因此，为了形成具有互不相同的长宽 比的隔离物151a和151b，不需要迸行多次曝光处理，不会使液晶装置1的制造工序复杂化。隔离物151a和151b具有互不相同的长宽比，所以例如在随着温度降 低而液晶装置发生收縮的情况下，即便无法通过隔离物151a来维持基板 间间隙，也可以通过隔离物151b来维持基板间间隙。因此，例如即便在 根据环境温度液晶装置1发生收縮的情况下，可以通过具有互不相同的长 宽比的隔离物151a和151b的任意一方来确保基板间间隙，由此可以提高 液晶装置1的可靠性。就形成在TFT阵列基板109上的长宽比互不相同的隔离物151a和 151b当中具有相同长宽比的隔离物而言，均匀地配置在隔离物151a和 151b更能在TFT阵列基板IO整体中根据液晶装置1的收缩来均匀地维持 基板间间隙，所以是优选的。另外，在本实施方式中，作为长宽比互不相同的隔离物，例示了隔离 物151a和151b两种，但长宽比互不相同的3种以上的隔离物也可以形成 在TFT阵列基板10上。另外，在本实施方式中，具有互不相同的长宽比的隔离物151a和151b 被分别配置在各透过区域和反射区域，所以可以确保各这些区域的基板间 间隙，可以防止液晶装置1的显示品位的降低。接着，边参照图6，边对在具有触键结构的液晶装置1上形成具有互不相同的长宽比的隔离物的优点进行说明。在图6中，液晶装置l具有静电电容方式的触键结构，该触键结构根 据通过从对置基板20的显示面20S按压对置基板20而在对置基板20和 TFT阵列基板10之间产生的静电电容的变化，可以向该液晶装置1输入 各种信息。在这里，隔离物151b是本发明的"规定的隔离物"的一个例 子。对置基板20在从显示面20S侧被按压时朝向TFT阵列基板10挠曲。 隔离物151b按照挠曲的对置基板20不接触TFT阵列基板10的方式，更 为具体地说按照对置电极21不接触像素电极9a的方式，确保对置基板20 和TFT阵列基板10之间的基板间间隙。通过隔离物151b，即便在按压对 置基板20的情况下，也可以防止对置电极21和像素电极9a短路。另外， 这样的隔离物151b的长宽比例如优选为0.3以上。因此，通过液晶装置1，可以准确地探测借助手指等输入装置从显示面20S输入的信息。此外，由于形成有强度比隔离物15Ib更高的隔离物 151a，所以可以在不损坏触键功能的情况下，提高液晶装置l的强度。如以上的说明所示，通过液晶装置1，可以提供在不使制造工序复杂 化的情况下通过维持基板间间隙来提高可靠性的液晶装置，同时可以提供 在维持触键功能的共识可以进行高品位的图像显示的液晶装置。<2:电子设备>接着，对具备上述液晶装置而成的电子设备的实施方式进行说明。 图7是应用了本发明的液晶装置的移动型个人电脑的立体图。在图7 中，计算机1200由具备键盘1202的主体部1204和含有上述液晶装置而 成的液晶显示单元1206构成。液晶显示单元1206通过在液晶面板1005 的背面附加背光灯而构成，具有触键功能且具有高可靠性。接着，对将上述液晶装置应用于移动电话的例子进行说明。图8是作 为本实施方式的电子设备的一个例子的移动电话的立体图。在图8中，移 动电话1300具备多个操作按钮1302，同时还具备采用反射型的显示形式 且与上述液晶装置一样配置有长宽比互不相同的多个隔离物的液晶装置 1005。就液晶装置1005而言，根据需要在其前面设置有前灯。通过移动 电话1300，液晶装置可以输入与手指等输入装置的动作相对应的各种信 息，同时可以进行高品位的图像显示。
权利要求
1.一种液晶装置，具备基板；与所述基板对置配置的对置基板；夹持在所述基板和所述对置基板之间的液晶层；和配置在所述基板和所述对置基板之间且具有互不相同的长宽比的多个隔离物。
2. 如权利要求l所述的液晶装置，其特征在于，所述基板上的显示区域包括从所述液晶层观察，将从所述基板侧入 射的光源光作为根据所述液晶层的取向状态进行过调制的调制光，使其向 所述对置基板侧透过的透过区域；和使从所述对置基板侧入射的入射光向 所述对置基板侧反射的反射区域；所述多个隔离物中的一个隔离物以及长宽比与所述一个隔离物不同 的其他隔离物分别被配置在所述透过区域和所述反射区域。
3. 如权利要求1或者2所述的液晶装置，其特征在于， 该液晶装置具备如下触键结构，即根据通过从所述对置基板的两面中未面向所述液晶层的面侧按压所述对置基板而在所述对置基板和所述基 板之间产生的静电电容的变化，可以向该液晶装置输入各种信息，所述多个隔离物中规定的隔离物按照不与所述对置基板接触的方式 形成在所述基板上。
4. 一种电子设备，具备权利要求1 3中任意一项所述的液晶装置而构成。
全文摘要
本发明提供一种具有触键功能且可靠性高的液晶装置。由于隔离物(151a)和(151b)具有互不相同的长宽比，例如在液晶装置随着温度降低发生收缩时，即便无法通过隔离物(151a)来维持基板间间隙，也可以通过隔离物(151b)来维持基板间间隙。因此，例如即便在根据环境温度液晶装置(1)发生收缩的情况下，可以通过具有互不相同的长宽比的隔离物(151a)和(151b)的任意来确保基板间间隙，由此可以提高液晶装置(1)的可靠性。
文档编号G02F1/133GK101256295SQ20081008139
公开日2008年9月3日 申请日期2008年2月27日 优先权日2007年3月2日
发明者世良博 申请人:精工爱普生株式会社