专利名称：磁光晶体及其制备方法以及磁光晶体的应用装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及光学应用领域，具体而言，涉及磁光晶体及其制备 方法以及,兹光晶体的应用装置。
背景技术：
磁光晶体广泛应用在光纤通信中的光强、光路控制中、以及其 他领域的；兹场和电流测量中。石榴石》兹光晶体是目前应用比4交广泛
的一种i兹光晶体，下面以石4留石》兹光晶体进^f亍举例"i兌明。
多晶的石榴石》兹光晶体内部多数情况下会形成条形状复合磁 畴结构。图1示出了单晶的石榴石磁光晶体的磁畴结构微观图；图 2示出了单晶的石榴石磁光晶体的磁畴结构示意图。如图1所示， 即使是单晶的石榴石》兹光晶体，通常情况下内部也会形成条形状复 合》兹畴结构。如图2所示，多数情况下，相邻的》兹畴》兹化方向相反 垂直于晶体表面。
当在外》兹场作用下，相邻》兹畴区域随着外i兹场的强度和方向变 化， 一种相对地变大而另一种相对地变小。当外^兹场超过该材料的 确々包和/磁场时，复合f兹畴转变为单一方向^H匕的单一均匀》兹畴。而 当外^兹场强度减小时，复合^兹畴又重新形成。当外,兹场招"肖时，两 种f兹畴区域相对均4軒。这样的过程对应了晶体不同的f兹光效应及强 度变4匕，乂人而形成各类应用。在实现本发明过程中，发明人发现在^兹光晶体例如石榴石^兹光 晶体的多种应用中，由于^^单一^F兹畴到条形符合结构的过程带有随 机性，每次形成的结构尽管基本均衡但形状并不完全重复，这造成
了一定的》兹滞i见象，并在测量应用中造成一定的随才/U吴差。
发明内容
本发明旨在提供一种磁光晶体及其制备方法以及磁光晶体的 应用装置，能够解决现有》兹光晶体的随才几误差问题。
在本发明的实施例中，4是供了一种f兹光晶体，其表面i殳置了具 有永久磁畴的f兹性薄膜，永久磁畴包括具有/f兹场方向的条紋，条紋
包4舌以下至少之一点、连续或不连续的线条，并且条紋之间的间 隙与》兹光晶体自由能状况或自然形成的条状复合》兹畴的间隙相匹 配。
可选的，上述的磁光晶体是石榴石磁光晶体。
在本发明的实施例中，还提供了一种磁光晶体的制备方法，包 括以下步骤在i兹光晶体的表面设置具有永久i兹畴的磁性薄膜，永 久f兹畴包括具有f兹场方向的条紋，条紋包括以下至少之一点、连 续或不连续的线条，并且条紋之间的间隙与磁光晶体自由能状况或 自然形成的条状复合》兹畴的间隙相匹配。
可选的，在上述的制备方法中，在磁光晶体的表面设置具有永 久磁畴的磁性薄膜具体包括选用光洁的磁光晶体；对磁光晶体的 表面进行清洗；在清洗干净的表面上镀上磁性薄膜；在磁性薄膜上 设置永久磁畴。可选的，在上述的制备方法中，在》兹性薄力莫上i殳置7JC久f兹畴具
体包括预先才艮据条紋设计图样；将磁光晶体放置于磁场中，磁场 的磁场强度足够在一定激光强度的作用下磁化磁性薄膜，但在常温 下不会》兹化》兹性薄膜；施加,兹场，并按照图样将激光4殳射和聚焦在 磁性薄膜上，使得磁场在激光强度的作用下使磁性薄膜磁化形成永 久磁畴。
可选的，在上述的制备方法中，按照图样将激光投射和聚焦在 ^磁性薄膜上具体包括^f吏激光按照图样移动；或者
将磁光晶体固定在可控移动平台上，使磁光晶体相对于激光按 照图样移动。
可选的，在上述的制备方法中，预先根据条紋设计图样具体包 括按照条紋中N方向磁场的条紋设计第一图样，以及按照条紋中 S方向磁场的条紋设计第二图样；施加磁场，并按照图样将激光投 射和聚焦在磁性薄膜上具体包括施加N方向磁场，并按照第一图 样将激光投射和聚焦在^兹性薄膜上；施加S方向》兹场，并4要照第二 图样将激光投射和聚焦在磁性薄膜上。
可选的，在上述的制备方法中，预先根据条紋设计图样具体包 括按照条紋中N方向i兹场的条紋设计第一图样；施力口f兹场，并按 照图样将激光投射和聚焦在磁性薄膜上具体包括施加N方向磁 场，并按照第一图样将激光投射和聚焦在磁性薄膜上；或者
预先才艮据条紋i殳计图样具体包括*換照条紋中S方向^兹场的条 紋^殳计第二图才羊；施加f兹场，并4要照图才羊将激光才殳射和聚焦在;兹性 薄膜上具体包括施力。S方向磁场，并按照第二图样将激光投射和 聚焦在磁性薄膜上。
8可选的，在上述的制备方法中，在》兹性薄力莫上i殳置永久f兹畴具
体包括预先才艮据条紋i殳计图样；将》兹光晶体》文置于》兹场中，用强 磁场或配以升温降4氐矫顽力的方法石兹化^兹性薄膜，然后按照图样蚀 刻磁性薄膜，以形成永久,兹畴；或者按照图样蚀刻f兹性薄膜，然后 将磁光晶体放置于f兹场中，用强磁场或配以升温降低矫顽力的方法
》兹化》兹性薄力莫，以形成7JC久》兹畴。
在本发明的实施例中，还提供了一种磁光晶体的应用装置，磁 光晶体是上述的f兹光晶体。
可选的，在上述的应用装置中，应用装置是用于测量,兹场或电 流的光纤磁光探头装置。
可选的，在上述的应用装置中，应用装置是可控偏振光孔装置， 其中，永久石兹畴的条紋是同心圆环，相邻环的石兹畴》兹化方向相反。
可选的，在上述的应用装置中，应用装置是可控偏振光栅装置， 其中，永久f兹畴的条紋是光栅条紋。
可选的，在上述的应用装置中，应用装置是可控偏振菲尼尔透 镜装置，其中，7Jc久^兹畴的条紋是多个同心圓环，多个同心圆环之 间的间距附合菲尼尔分布规则，相邻环的f兹畴磁化方向相反。
上述实施例的磁光晶体及其制备方法以及磁光晶体的应用装 置，因为采用具有永久磁畴的磁性薄膜，所以克服了现有的磁光晶 体的复合磁畴变化后不能完全复原导致的随机误差问题，进而达到 了测量精度的效果。
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此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申 请的一部分，本发明的示意性实施例及其i兌明用于解释本发明，并
不构成对本发明的不当限定。在附图中
图1示出了单晶石榴石磁光晶体的磁畴结构微观图2示出了单晶石榴石磁光晶体的磁畴结构示意图3示出了根据本发明一个实施例的在磁光晶体的表面设置具 有永久i兹畴的A兹性薄月菱的流程图4示出了根据本发明一个实施例的在磁光晶体的表面设置具 有永久》兹畴的;兹性薄月莫的工艺过程图5示出了根据本发明一个实施例的用于测量磁场或电流的；
图6示出了图5的光纤磁光探头装置中的磁光晶体的永久磁畴 的条紋示意图7示出了才艮据本发明一个实施例的可控偏振光孔方案示意
图8示出了才艮据本发明一个实施例的可控偏^展光4册方案示意图。
具体实施例方式
下面将参考附图并结合实施例，来详细"i兑明本发明。本发明的 一个实施例提供了 一种磁光晶体的制备方法，包括以
下步骤在磁光晶体的表面设置具有永久磁畴的磁性薄膜，永久磁 畴包括具有》兹场方向的条紋，条紋包4舌以下至少之一点、连续或 不连续的线条，并且条紋之间的间隙与；兹光晶体自由能状况或自然 形成的条状复合》兹畴的间隙相匹酉己。
该制备方法使得受永久磁畴的磁场影响，磁光晶体例如石榴石 磁光晶体形成稳定形状的可重复条形的复合磁畴，从而避免了常规 的磁光晶体中的复合磁畴所出现的随机变化，进而可减少随机误 差，提高测量精度。
图3示出了根据本发明一个实施例的在磁光晶体的表面设置具 有永久磁畴的磁性薄膜的流程图，具体包括
步骤SIO,选用光洁的^兹光晶体；
步-骤S20,对;兹光晶体的表面进行清洗；
步骤S30,在清洗干净的表面上镀上f兹性薄膜；
步骤S40，在^f兹性薄膜上设置永久,兹畴。
该薄膜应易于在垂直于表面的方向^兹化，且在工作温度范围具 有较高的矫顽力，器件的工作磁场不会改变其磁化方向。上述制备 过程简单易行。
图4示出了根据本发明一个实施例的在磁光晶体的表面设置具 有永久磁畴的磁性薄膜的工艺过程图，具体包括将光洁的普通石 榴石磁光晶体进行表面清洗；在清洗干净的石榴石/兹光晶体表面上 镀上一层^兹性薄膜；在》兹性薄膜上设置纟艮据应用要求的永久》兹畴；
ii受永久磁畴的磁场影响，石榴石磁光晶体形成稳定的形状可重复条 形复合磁畴。
可选的，步骤S40具体包4舌 预先才艮据条故:没计图样；
将磁光晶体放置于磁场中，磁场的磁场强度足够在一定激光强 度的作用下磁化^兹性薄膜，但在常温下不会磁化磁性薄膜；
施加》兹场，并4姿照图样将激光投射和聚焦在f兹性薄膜上，^f吏得 磁场在激光强度的作用下使磁性薄膜磁化形成永久磁畴。
根据条紋设计好图样，就可以形成合适的永久磁畴，从而使磁 光晶体的复合^兹畴与7:jc久^兹畴相匹配。,兹畴图才羊可以#4居应用要求 和磁光晶体的性质来设计。条紋之间的间隙应与磁光晶体自由能状 况或自然形成的条状复合^兹畴的间隙相匹配。
应该注意的是，所述的磁性薄膜应该具有如下特性在局部加 温或激光照射下在4交高的外石兹场作用下能祐J兹化形成永久;兹化》兹 畴，/磁化方向与表面垂直。另外，激光的强度可受计算才几控制或调 制；适当的激光强度和外磁场使所述的磁性薄膜磁化形成局部的永 久磁畴。
根据该制备方法形成的所述的局部永久》兹畴的可以是点、连续 或不连续的线条，尺寸由激光束在石兹性薄膜上的光斑尺寸决定，可 在1到几微米的量级。局部磁畴点线形成的图样可根据应用需要同 过计算初^空制的积4戒4几构，在f兹畴写入的过禾呈中形成。
可选的，按照图样将激光投射和聚焦在f兹性薄膜上具体包括 使激光按照图样移动；或者将磁光晶体固定在可控移动平台上，使
12v磁光晶体相对于^t光"t要照图样移动。这两种移动方式都是可4亍的。 例如，将可控机械机构连接样品台或激光头，在磁畴写入过程中根 据图样要求形成样品和激光之间的相对移动来形成一 定的磁畴图样。
可选的，在上述的制备方法中，预先根据条紋设计图样具体包
括4要照条紋中N方向》兹场的条紋^殳计第一图样，以及4安照条紋中 S方向磁场的条紋设计第二图样；施加f兹场，并按照图样将激光投 射和聚焦在磁性薄膜上具体包括施加N方向磁场，并按照第一图 样将激光投射和聚焦在磁性薄膜上；施加S方向磁场，并按照第二 图样将激光^:射和聚焦在f兹性薄膜上。》兹畴图样可以是单一,兹化方 向的，也可以是相邻条紋具有相反》兹化方向的。如果i兹光晶体自由 能状况或自然形成的条状复合》兹畴相邻条紋是反向的》兹畴，可以在 制备过程中施加反向的外加^兹场，分别制作各f兹场方向的图样。
可选的，在上述的制备方法中，预先根据条紋设计图样具体包 括按照条紋中N方向磁场的条紋设计第一图样；施力口i兹场，并按 照图样将激光投射和聚焦在磁性薄膜上具体包括施加N方向磁 场，并按照第一图样将激光投射和聚焦在磁性薄膜上；或者
预先根据条紋设计图样具体包括按照条紋中S方向磁场的条 紋设计第二困才羊；施加f兹场，并按照图样将激光才殳射和聚焦在》兹性 薄膜上具体包括施加S方向磁场，并按照第二图样将激光投射和 聚焦在^F兹性薄膜上。
该实施例中，仅制备一个》兹场方向的永久》兹畴。如果;兹光晶体 自由能状况或自然形成的条状复合f兹畴相邻条紋是反向的，则由于 该磁性薄膜上单f兹场方向的永久》兹畴的影响，同样能保持复原。膜是完整的磁性薄膜，通过激光和磁 场的影响，在》兹性薄膜上留下了 ^f兹性痕迹形成的f兹性图样来获得永 久磁畴。
可选的，在上述的制备方法中，在i兹性薄膜上^殳置永久^f兹畴具 体包括预先根据条紋设计图样；将磁光晶体放置于磁场中，用强 f兹场或配以升温降^^斧顽力的方法》兹化f兹性薄力莫(即形成垂直表面 的磁化)，然后4要照图样蚀刻(例如光刻)/磁性薄膜，以形成永久 磁畴。
可选的，在上述的制备方法中，在^兹性薄膜上i殳置永久;兹畴具 体包括预先根据条紋设计图样；按照图样蚀刻磁性薄膜，然后将 ,兹光晶体》文置于^兹场中，用强》兹场或配以升温降^f氐《斧顽力的方法》兹 化磁性薄膜(即形成垂直表面的磁化)，以形成永久磁畴。
上述两种方法得到的磁性薄膜是被镂空的磁性薄膜，通过蚀刻 剩下的部分所形成的》兹性图样来获得永久;兹畴。
本发明的一个实施例提供了 一种磁光晶体，其表面设置了具有 永久》兹畴的f兹性薄膜，永久,兹畴包括具有^f兹场方向的条紋，条紋包 括以下至少之一点、连续或不连续的线条，并且条紋之间的间隙 与石兹光晶体自由能4大况或自然形成的条状复合,兹畴的间隙相匹配。
受7、久磁畴的磁场影响，磁光晶体例如石榴石》兹光晶体形成稳 定形状的可重复条形的复合磁畴，从而避免了常规的磁光晶体中的 复合磁畴所出现的随机变化，进而可减少随机误差。
该磁光晶体可形成稳定的可重复的复合》兹畴，用以提高在》兹场 和电流测量中的精度，本发明的实施例提供一种;兹光晶体的应用装 置，磁光晶体是上述的磁光晶体。
14图5示出了才艮据本发明一个实施例的用于测量》兹场或电流的光 纤磁光探头装置，其包括输入光纤6、输入光准直器5a、第一偏 振分光器3d、》兹光晶体1、 1/2波片2、第二偏振分光器3e、输出 光准直器5b、输出光纤7。
该光纤》兹光纟笨头装置采用光偏振处理，对所述的光正交偏振分 量进4于分波、》兹光感应、合波处理。
其中，在法拉第磁光旋转器后设置波片，波片用于对法拉第磁 光旋转器两束输出光的偏振面进行旋转以避免近零失敏，而磁光感 应，偏振4企测对两正交偏振分量同时、等量进行；第一偏振分光器 3d和第二偏振分光器3e由单轴晶体制成，能把两个相互正交的偏 振光分开一定的角度；当光通过第一偏振分光器3d后，它被分成 偏振面相互正交两束，两束光的传播方向成一个小的角度同时通过 磁光晶体1和1/2波片2;当它们到达第二偏振分光器3e后，每束 光中偏4展面相对于第 一偏l展分光器3d产生的原始偏4展面转90°的分 量传播方向将变一致，尽管两束之间还有一微小的空间分离，它们 还是可以^皮输出光准直器5b和llr出光纤7等量4妄收，而其它分量 将被隔离在输出光纤7以外。
作为本发明的实施例，其中的磁光晶体1是用本发明所提供的 方法制作。其特征是磁光晶体的磁畴被所写的磁性薄膜上的永久磁 畴所定4立。所述的晶体》兹畴在没有外f兹场状态下，是均勻的固定图 才羊的条形》兹畴，可4口图6所示的直线型。
当在大的外^兹场作用下，；兹光晶体变为々包和的单一》兹畴，当外 磁场减弱时，磁光晶体回复到同样图样的同样位置的条状交叉反向 磁畴。这样一来，在测量过程中由于磁畴位置和形状变动的引起的 随才几i吴差纟寻到了纟空制。该方案并可用于直流电流或;兹场的测量。另外，本发明才是供如下实施例应用所述材料进行》兹场或电流 的测量；应用所述材并+制作可控偏振光4册、光孔；应用所述材料制 作可控偏振光4册；应用所述材津十制作可控偏4展菲尼尔透4竟。下面进 行详细说明。
可选的，在上述的应用装置中，应用装置是可控偏振光孔装置， 其中，永久f兹畴的条紋是同心圆环，相邻环的^兹畴》兹化方向相反。
图7示出了根据本发明一个实施例的可控偏振光孔方案示意 图。如图7A制成具有同心圓环图样的f兹畴的f兹光晶体，其相邻环 的》兹畴》兹化方向相反，如图7A所示。如图7B所示，将所述的f兹光 晶体置于线圏中，当通过线圈的强度和方向盘变化时，反向的》兹畴 区域的面积发生相对变化。图7C描述当电流正向时，中心；兹畴变 小；图7D描述当电流反向时中心磁畴变大。这样一来，当偏振光 束通过所述晶体时，光束截面的空间上产生的不同的偏振分布。如 用偏振片在后面进行检偏，不同的偏振态得到不同的拦光效果。而 且，拦光效果可随所加的电流变化而变化。
可选的，在上述的应用装置中，应用装置是可控偏振菲尼尔透 镜装置，其中，永久磁畴的条紋是多个同心圓环，多个同心圆环之 间的间距附合菲尼尔分布规则，其相邻环的磁畴磁化方向相反。
例如，利用本发明提供的制备方法，制成具有同心圆环图样的 磁畴的磁光晶体，而这些同心圆环之间的间距附合菲尼尔分布规 则，其相邻环的磁畴磁化方向相反。这样一来，当偏振光束通过所 述晶体时，光束截面的空间上产生两束偏振态正交的菲尼尔分布波 阵面，两组偏振光将才艮据菲尼尔透镜原理聚焦于不同的地方。而且， 聚焦效果可随所加的电流变化而变4b。
16可选的，在上述的应用装置中，应用装置是可控偏振光栅装置， 其中，永久》兹畴的条紋是光栅条紋。
图8示出了根据本发明一个实施例的可控偏振光栅方案示意 图利用本发明提供的制备方法，制成具有栅状图样的磁畴的磁光 晶体。其相邻环的A兹畴》兹化方向相反，如图8A所示。将所述的磁 光晶体置于线圈中，当通过线圈的强度和方向盘变化时，反向的磁 畴区域的面积发生相对变化。图8C、 8D分别描述电流正反向时的 f兹畴图才羊。这才羊一来，当偏^展光束通过所述晶体时，光束截面上产 生两组偏振态正交的波阵面栅状分布，这样将产生两组偏振的光栅 衍射波。而两组衍射波衍射效果可随所加的电流变化而变化。
可选的，上述;兹光晶体是石榴石石兹光晶体，石榴石f兹光晶体是 目前应用比4交广泛的一种f兹光晶体。
本发明通过施力口4c久^兹畴的》兹场影响，,兹光晶体例如石才留石》兹 光晶体形成稳定形状的可重复条形的复合^兹畴，乂人而避免了常^L的 磁光晶体中的复合磁畴所出现的随机变化，进而可减少现有技术测 量应用中的随才几误差。
以上所述 <义为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发 明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。 凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进 等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1. 一种磁光晶体，其特征在于，其表面设置了具有永久磁畴的磁性薄膜，所述永久磁畴包括具有磁场方向的条纹，条纹包括以下至少之一点、连续或不连续的线条，并且条纹之间的间隙与磁光晶体自由能状况或自然形成的条状复合磁畴的间隙相匹配。
2. 根据权利要求1所述的磁光晶体是石榴石磁光晶体。
3. —种磁光晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤在磁光晶体的表面设置具有永久磁畴的^兹性薄膜，所述 永久f兹畴包4舌具有^兹场方向的条紋，条紋包4舌以下至少之一 点、连续或不连续的线条，并且条紋之间的间隙与》兹光晶体自 由能状况或自然形成的条状复合,兹畴的间隙相匹配。
4. 根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在磁光晶体的 表面i殳置具有永久》兹畴的》兹性薄膜具体包括选用光洁的》兹光晶体；对》兹光晶体的表面进行清洗；在清洗干净的表面上镀上磁性薄膜；在》兹性薄膜上i史置所述永久,兹畴。
5. 根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在磁性薄膜上 设置所述永久石兹畴具体包括预先#^居所述条紋设计图样；将磁光晶体放置于磁场中，磁场的磁场强度足够在一定 激光强度的作用下磁化磁性薄膜，但在常温下不会》兹化磁性薄膜；施加磁场，并按照所述图样将激光投射和聚焦在磁性薄 膜上，使得磁场在激光强度的作用下使磁性薄膜磁化形成所述 永久磁畴。
6. 根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，按照所述图样 将激光投射和聚焦在磁性薄膜上具体包括使激光按照所述图样移动；或者将》兹光晶体固定在可控移动平台上，佳 磁光晶体相对于 激光按照所述图样移动。
7. 根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，预先根据所述 条紋设计图样具体包括按照所述条紋中N方向,兹场的条紋 设计第一图样，以及按照所述条紋中S方向》兹场的条紋设计 第二图才羊；施加f兹场，并按照所述图样将激光冲殳射和聚焦在》兹 性薄膜上具体包括施加N方向石兹场，并4安照所述第一图才羊将激光4殳射和聚 焦在》兹性薄膜上；施加S方向》兹场，并4要照所述第二图才羊爿夺激光投射和聚 焦在磁性薄膜上。
8. 4艮据权利要求5所述的制备方法，其特;f正在于，预先根据所述条紋设计图样具体包括按照所述条紋中N 方向石兹场的条紋设计第一图才羊；施力口f兹场，并按照所述图才羊将 激光才更射和聚焦在i兹性薄膜上具体包括施加N方向f兹场， 并按照所述第 一 图样将激光投射和聚焦在磁性薄膜上；或者预先根据所述条紋设计图样具体包括按照所述条紋中S 方向磁场的条紋设计第二图样；施加磁场，并按照所述图样将 激光投射和聚焦在磁性薄膜上具体包括施加S方向磁场， 并按照所述第二图样将激光投射和聚焦在磁性薄膜上。
9. 根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在磁性薄膜上 i殳置所述7Jc久^兹畴具体包^::预先根据所述条紋设计图样；将^兹光晶体放置于磁场中，用强》兹场或配以升温降低矫 顽力的方法f兹化^兹性薄膜，然后按照所述图样蚀刻^兹性薄膜， 以形成所述永久磁畴；或者按照所述图样蚀刻i兹性薄膜，然后 将磁光晶体放置于》兹场中，用强磁场或配以升温降低矫顽力的方法》兹^^兹性薄力莫，以形成所述7JC久f兹畴。
10. —种磁光晶体的应用装置，其特征在于，所述磁光晶体是根据 4又利要求1或2所述的,兹光晶体。
11. 根据权利要求IO所述的应用装置，其特征在于，所述应用装 置是用于测量石兹场或电流的光纤磁光4笨头装置。
12. 才艮据4又利要求10所述的应用装置，其特4正在于，所述应用装 置是可控偏振光孔装置，其中，所述永久^兹畴的所述条紋是同 心圆环，才目4卩环的》兹畴》兹4匕方向相反。
13. 4艮据4又利要求IO所述的应用装置，其特4正在于，所述应用装 置是可控偏振光斥册装置，其中，所述永久》兹畴的所述条紋是光 栅条紋。
14. 根据权利要求IO所述的应用装置，其特征在于，所述应用装 置是可控偏振菲尼尔透镜装置，其中，所述永久磁畴的所述条 紋是多个同心圓环，所述多个同心圓环之间的间距附合菲尼尔 分布少见贝'J,相邻环的^兹畴石兹化方向相反。
全文摘要
本发明提供了一种磁光晶体及其制备方法以及磁光晶体的应用装置，该磁光晶体表面设置了具有永久磁畴的磁性薄膜，永久磁畴包括具有磁场方向的条纹，条纹包括以下至少之一点、连续或不连续的线条，并且条纹之间的间隙与磁光晶体自由能状况或自然形成的条状复合磁畴的间隙相匹配。本发明因为采用具有永久磁畴的磁性薄膜，所以克服了现有的磁光晶体的复合磁畴变化后不能完全复原导致的随机误差问题，进而达到了测量精度的效果。
文档编号G02F1/09GK101458403SQ20091005680
公开日2009年6月17日 申请日期2009年1月4日 优先权日2009年1月4日
发明者袁海骏 申请人:上海舜宇海逸光电技术有限公司