液晶面板的制造装置的制作方法

专利名称：液晶面板的制造装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及MVA(Multi-domain Vertical Alignment)方式的液晶面板的制造方 法，尤其涉及在两张玻璃基板之间，封入由具有通过施加电压而取向的取向性的液晶和对 紫外线反应而发生聚合的光学活性物质混合而成的材料，利用对该液晶面板照射紫外线而 使紫外线反应材料聚合，从而将取向膜形成于玻璃板上的液晶面板的制造装置。
背景技术：
图12表示液晶面板的构成例。液晶面板50为在两张透光性基板(第1玻璃基板 51，第2玻璃基板5 之间封入液晶58的构造，在第1玻璃基板51上形成多个主动元件 (例如，薄膜晶体管TFT53)和液晶驱动用电极M(透明电极(ITO))，在其之上形成取向膜 56。第2玻璃基板52上形成彩色滤光片57、取向膜56及透明电极(ITO) 55。然后，在两玻 璃基板51、52的取向膜之间封入液晶58，用密封剂59封止周围。在这种构造的液晶面板中，取向膜56用于控制液晶取向，该液晶取向是在电极 M、55之间施加电压来对液晶进行取向。以往，取向膜的控制是通过摩擦(riAbing)来进 行，但是近年来，尝试新的取向控制技术。即，在设置有TFT元件53的第1玻璃基板51和与该第1玻璃基板51相对的第2 玻璃基板52之间，封入由具有通过施加电压而取向的取向性的液晶58和对紫外线反应而 产生聚合的光学活性物质(紫外线反应材料，以下有时也简称为单体(monomer))混合而成 的材料，一边对此液晶面板施加电压，一边照射紫外线而使紫外线反应材料(单体)聚合， 通过固定经由取向膜56等与玻璃基板51、52相接的液晶(即，表层的约1分子层)的朝向， 来对液晶赋予预倾角(pretilt-angel)(例如专利文献1)。依据此方法，因为不需要以往为了赋予预倾角所需的具有斜面的突起物，所以可 简略化液晶面板的制造工序。所以，可削减液晶面板的制造成本及制造时间，而且因为没有 上述突起物产生的影子，故可改善开口率，也有可带来背光的节电化的优点。在进行该新的取向控制的液晶面板的制造技术中，关于对由液晶和紫外线反应材 料混合而成的材料(以下有时称为包含紫外线反应材料的液晶)照射紫外线的处理方法， 有几种提案。在专利文献2中所记载的“液晶显示元件装置及其制造方法”中，提案有将第1条 件的紫外线照射，和聚合速度大于第1条件的紫外线照射的第2条件的紫外线照射，依此顺 序组合来进行的液晶显示装置的制造方法(参照段落0012等的记载)。具体来说，以第2 条件的放射照度与累计强度大于第1条件为条件来进行紫外线照射。如此一来，在第1条件的紫外线照射中，因为是比较缓慢的聚合，所以可以抑制取 向异常的发生，之后，即使提高聚合速度，也可没有问题地取得没有取向异常或抑制了取向 异常的液晶层。此外，记载有在第2条件的紫外线照射中，优选为增加310nm附近的低波长 成分的比例(参照段落0037的记载等)。在专利文献3中所记载的“液晶显示元件装置及其制造方法”中，揭示有“已知为了不使液晶劣化，照射使用滤光片拦截了不足310nm的短波长区域的紫外线较佳。”，“但是， 如果使波长310nm的强度完全变成0的话，会难以取得所希望的液晶取向。因此，优选为利 用包含波长310nm的强度为0. 02 0. 05mff/cm2左右的的光源。”(参照段落0019等的记 载)的见解。在专利文献4中所记载的“液晶显示元件装置及其制造方法”中，记载有较短波 长的紫外线在短时间内取得液晶的垂直取向性上较为有利，但是容易促进液晶分子等的变 质，与此相反，较长波长的紫外线较难以促进液晶分子等的变质，但是取得液晶的垂直取向 性需要长时间(参照段落0031等的记载)，以此示出了照射的紫外线的波长范围。但是，在 专利文献4中，并未涉及彩色滤光片的温度上升。[专利文献][专利文献1]日本特开2003-177408号公报[专利文献2]日本特开2005-181582号公报[专利文献3]日本特开2005-338613号公报[专利文献4]日本特开2006-58755号公报如上述，关于对由液晶和紫外线反应材料混合而成的材料照射从紫外线光源放出 的紫外线的处理方法，已有几种提案，但是本发明者进行了各种实验并研究的结果，也取得 了以下见解。在使用上述的新的取向控制的液晶面板中，在液晶中混合对紫外线反应而产生聚 合的紫外线反应材料，通过紫外线照射，使该紫外线反应材料聚合。在此，对液晶面板照射紫外线时，如图12所示，从形成有彩色滤光片57的第2玻 璃基板52的相反侧的第1玻璃基板51侧照射紫外线。所以，从紫外线光源放出的光之中， 若包含有属于彩色滤光片57所吸收的波长区域的波长的光时，彩色滤光片57会被加热。若彩色滤光片57被加热，热从被加热的彩色滤光片57传导至封入于玻璃基板51、 52之间的液晶58和紫外线反应材料，它们也被加热。由此，发生紫外线反应材料的温度分 布，产生该紫外线反应材料的聚合反应(硬化反应)速度分布，聚合率(硬化率)会产生偏 差。其结果，预倾角产生偏差，而产生液晶显示不均。此外，被加热的液晶58的温度成为高 温的话，也担心会有液晶的变质。所以，从紫外线光源放出的紫外线照射中，为了降低预倾角的偏差，优选液晶面板 整体的温度分布为均一。此时，优选液晶的温度也不成为高温。为此，紫外线照射中，冷却 放置液晶面板的平台(例如水冷)，液晶面板整体成为均一的温度分布的方式控制。但是，液晶面板近年来大型化(例如，anxaii或其以上)，同时，放置液晶面板的平 台也大型化。因为加热而液晶面板的温度升高时，为了降低其温度需要大型的冷却器，装置 的成本会变高。此外，若温度升高，会难以以上述的使大面积的温度分布成为均一的方式控 制。此外，在照射中若温度上升，有时被照射光一侧的透光性基板(第1玻璃基板51) 因热膨胀而延伸，液晶面板变形，成为不良的原因。这样，在液晶中混合紫外线反应材料，对此照射紫外线而发生聚合反应，使用上述 的新的取向控制的液晶面板制造中，到现在为止并未有因紫外线反应材料的反应与彩色滤 光片的光吸收所致的发热的问题，以波长区域来进行比较并加以论述的问题。

发明内容
本发明鉴于上述情况，其目的在于提供在用于使紫外线反应材料聚合(硬化)的 光照射中，尽量不使液晶面板的温度上升的液晶面板的制造装置。发明者们致力研究的结果，得出以下见解。首先，针对混合于现在通常使用的液晶的紫外线反应材料(单体)，测定对于光的 波长的吸光度。图1为其结果，表示对于光的波长的紫外线反应材料的吸光度的图表。在 同图中，横轴是波长(nm)，纵轴是透射率(％ )。如同图所示，紫外线反应材料特别是在370nm以下的区域中吸收光，S卩，紫外线反 应材料发生聚合反应。然而，实际上，可知主要有助于聚合反应的是波长360nm以下的光， 波长比波长360nm长的光明显地对聚合反应的帮助较小。在此，图2表示彩色滤光片的分光特性(SCH0TT公司)。在同图中，横轴是波长，纵 轴是透射率。如同图所示，彩色滤光片的红(图2的R)是不透过波长约570nm以下的光，而吸 收并加热。绿(同图的G)是不透过波长约450nm以下的光，而吸收并加热。此外，彩色滤 光片的蓝(同图的B)是不透过波长约330nm以下的光，而吸收并加热。所以，波长约570nm 以下的光会加热彩色滤光片。所以，为了将液晶面板的加热抑制到最小限度，使用放射出有助于液晶面板内的 光学活性物质的反应的波长区域的光的灯，而且对紫外线反应材料的聚合反应的帮助较 小，且被彩色滤光片吸收并加热该彩色滤光片的波长区域的光的放出尽可能小的紫外线光 源，进行液晶面板的紫外线照射处理。具体来说，将有助于液晶面板内的光学活性物质的反应的波长区域的累计(积 算)放射照度设为a，将彩色滤光片的吸收波长、且无助于上述光学活性物质的反应的波长 区域的累计放射照度设为b时，灯的累计放射照度优选为a > b。S卩，彩色滤光片所吸收的波长区域如图2所示，蓝是吸收330nm以下的光，此外，绿 是吸收460nm以下的光，红是吸收570nm以下的光，由此彩色滤光片会加热。进而，另一方面，对于紫外线反应材料的硬化来说，实质上有效的波长是360nm以 下，会对液晶造成伤害的波长实质上是310nm以下。另外，310nm的光为0的话则无法得到 完全的硬化。另一方面，包含300nm以下的光的话，对液晶的伤害会变大，所以优选为不包 含300nm以下的光。如上述，因为360nm 570nm的波长不仅无助于紫外线反应材料的硬化，也会被彩 色滤光片吸收，所以此波长区域的光作为结果只会引起彩色滤光片的加热作用。因彩色滤光片所致的吸收而彩色滤光片被加热时，热会传导至玻璃基板与液 晶·紫外线反应材料，并加热它们。而产生紫外线反应材料的温度分布，并产生紫外线反应材料的硬化反应速度分 布，硬化率会产生偏差。结果，预倾角产生偏差，而产生液晶显示不均。依据以上所述，在使用从紫外线光源放出的光，进行液晶面板的紫外线照射处理 时，在放出的光中，优选为“ 31 Onm 360nm的波长区域的累计放射照度a ” > “ 360nm 570nm的波长区域的累计放射照度b”。
S卩，使用放出“310nm 360nm的波长区域的累计放射照度a” > "360nm 570nm 的波长区域的累计放射照度b”的波长区域的光的灯，从具备这种灯的光照射部对液晶面板 照射光，使液晶面板内的光学活性物质发生反应，从而可一边抑制彩色滤光片的温度上升， 将液晶面板的温度上升抑制到最小限度，并抑制预倾角的偏差的发生，一边可有效地使紫 外线反应材料硬化。另外，作为放出这种光的灯，例如可使用日本专利申请2009-516M所记载的稀有 气体萤光灯等。本发明者等调查了可以将哪种灯用作照射上述光的灯。结果，如后述，可知优选使 用稀有气体萤光灯。另外，稀有气体萤光灯可变更放射的波长区域。在此，如后述，针对波长区域不同的3种稀有气体萤光灯与金属卤化物灯(metal halide lamp)，调查了用于对液晶赋予预倾角的紫外线反应材料(单体)的硬化所需的照 射时间、上述波长区域的放射照度(mW/cm2)、照射量(mj/cm2)及将来自这些灯的光以上述 单体的硬化所需的照射时间照射至液晶面板所使用的玻璃基板时的玻璃基板的温度上升。其结果，虽然在使用金属卤化物灯时，在没有空气冷却的状态下，基板的温度上升 至30°C左右，但是，在使用稀有气体萤光灯时，在没有空气冷却的状态下，可将基板的温度 上升抑制为8°C以下。此外，这时的“ 360nm 570nm的波长区域”中照射量最大的灯的照射量是 3333 (mj/cm2)，如果照射量是3500 (mj/cm2)以下的话，可将玻璃基板的温度上升抑制为所 希望的值以下。S卩，使用上述稀有气体萤光灯来构成液晶面板的制造装置的光照射部，将 360nm 570nm的波长区域的照射量设为3500 (mj/cm2)以下的话，可抑制彩色滤光片的温 度上升，并将液晶面板的温度上升抑制为最小限度，且可抑制于预倾角产生偏差。依据以上内容，在本发明中如下所述，解决上述课题。(1) 一种液晶面板的制造装置，具备支承部，支承具备彩色滤光片，且将含有光 学活性物质的液晶封入至内部的MVA方式的液晶面板；光照射部，对上述支承部所支承的 上述液晶面板照射来自灯的光；通过对上述支承部所支承的液晶面板照射来自上述光照射 部的光，一边对上述液晶面板施加电压，一边使上述液晶面板内的光学活性物质发生反应 而在液晶面板内部形成取向部，在该液晶面板的制造装置中，作为上述光照射部的灯，使用 满足如下条件的灯在该灯的发光光谱中，将有助于液晶面板内的光学活性物质的反应的 波长区域的累计放射照度设为a，将彩色滤光片的吸收波长、且无助于上述光学活性物质的 反应的波长区域的累计放射照度设为b时，灯的累计放射照度为a > b。(2)在上述(1)中，上述累计放射照度a是310nm 360nm的波长区域的累计放射 照度，上述累计放射照度b是360nm 570nm的波长区域的累计放射照度。(3)在上述(1) (2)中，作为上述灯，使用实质上不放射波长300nm以下的光的稀有 气体萤光灯。发明的效果在本发明中，使用如下紫外线光源来照射液晶面板有助于光学活性物质的反应 的波长区域的310nm 360nm的波长区域的累计放射照度设为a，将彩色滤光片的吸收波 长、且无助于上述光学活性物质的反应的波长区域360nm 570nm的波长区域的累计放射照度设为b时，a > b，所以可抑制彩色滤光片的温度上升，并将液晶面板的温度上升抑制为 最小限度。因此，可抑制在预倾角产生偏差的同时，有效地使紫外线反应材料硬化。


图1为表示对于光的波长的紫外线反应材料的吸光度的图。图2为表示彩色滤光片的分光特性的图。图3为表示本发明的液晶面板的制造装置的构成例的图。图4为表示稀有气体萤光灯的构成例的图。图5为表示稀有气体萤光灯的其它构成例的图。图6为表示稀有气体萤光灯A的分光放射光谱的图。图7为表示稀有气体萤光灯B的分光放射光谱的图。图8为表示稀有气体萤光灯C的分光放射光谱的图。图9为重叠表示稀有气体萤光灯A、B、C的分光放射光谱的图。图10为表示金属卤化物灯的分光放射光谱的图。图11为表示稀有气体萤光灯A C与稀有气体萤光灯的放射照度、照射量、基板 的温度上升的图。图12为表示液晶面板的构成例的图。主要元件符号说明1 光照射部Ia 光源(灯)Ib 镜片Ic:电源2 工作台2a:施加电压的机构3 液晶面板3a, 3b 透光性基板(玻璃基板)3c 包含紫外线反应材料的液晶3d 密封剂4 控制部10，20，30
11:容器(发光管)12，13:电极15，27:萤光体层21:容器(发光管)22，23:电极31 放电容器32，33:电极25，37:紫外线反射膜
具体实施例方式图3表示本发明的液晶面板的制造装置(紫外线照射装置)的构成例。本发明的液晶面板的制造装置(紫外线照射装置)具备载置光照射部1和液晶面 板3的工作台2。在工作台2上设置有对载置的液晶面板3施加电压的机构加。如上述专 利文献1所记载，对载置于工作台2的液晶面板3 —边从施加电压的机构加施加电压，一 边照射来自光照射部1的光。液晶面板3为如上述的在两张透光性基板(玻璃基板)3a、!3b之间，封入包含紫外 线反应材料的液晶3c的构造，同图表示概念图，但是，如上述，在玻璃板上形成有多个主动 元件(TFT)与液晶驱动用电极、彩色滤光片、透明电极(ΙΤ0)，用密封剂3d密封周围。光照射部1具备光源(灯)Ia与镜片lb，作为光源(灯)la，使用放出“310nm 360nm的波长区域的累计放射照度” > “360nm 570nm的波长区域的累计放射照度”的光 的稀有气体萤光灯。上述光源Ia是从电源Ic供电而点灯。该电源lc、上述施加电压的机构加连接于 控制部4，控制部4控制光源Ia的点灯、消灯、照射时间、施加于液晶面板8的电压的值及时间等。液晶面板3通过未图示的搬运机构等载置于工作台2上。控制部4从施加电压的 机构加施加电压的同时，从光照射部1对液晶面板照射光。然后，控制施加于液晶面板的 电压、时间等的同时，控制光源Ia的点灯时间，一边抑制液晶面板的温度上升，一边使混合 于液晶的紫外线反应材料硬化，如上述，赋予液晶预倾角。图4为表示上述稀有气体萤光灯的构成例的图。稀有气体萤光灯为管状构造，图 4表示以包含管轴的平面切断的剖面图。稀有气体萤光灯10具有内侧管111与外侧管112 几乎被配置为同轴的大致双重管构造的容器(发光管)11，通过封着该容器11的两端部 11A、11B，在内部形成圆筒状的放电空间S。放电空间S中封入有氙(xenon)、氩(argon)、 氪(krypton)等稀有气体。容器11由石英玻璃构成，在内周面设置有低软化点玻璃层14， 在该低软化点玻璃层14的内周面，还设置有萤光体层15。该低软化点玻璃层14例如使用 硼硅酸玻璃或铝硅酸盐玻璃等的硬质玻璃。此外，萤光体层15例如使用铈激活铝酸镁镧 (La-Mg-Al-OiCe)萤光体。在内侧管111的内周面设置有内侧电极12，在外侧管112的外 周面设置有网状的外侧电极13。这些电极12、13隔着容器11和放电空间S而配置。电极 12、13经由导线Wll、W12而连接于电源装置16。由电源装置16施加高频电压时，在电极 12、13之间形成介在有介电质(111，112)的放电(即介电质屏障放电)，在氙气的情况下产 生波长172nm的紫外光。在此所得的紫外光是用来激发萤光体的光，通过照射萤光体层，放 射中心波长为340nm附近的紫外光。图5表示稀有气体萤光灯的其它构成例。同图(a)表示以包含管轴的平面切断的 剖面图，(b)表示(a)的A-A线剖面图。在图5中，灯20具有一对电极22、23，电极22、23 配设于容器(发光管)21的外周面，在电极22、23的外侧设置有保护膜M。在容器21的内 周面的光射出方向侧的相反侧的内面设置有紫外线反射膜25(参照图5(b))，在其内周设 置有低软化点玻璃层沈，在该低软化点玻璃层沈的内周面设置有萤光体层27。其它构造 与图4所示相同，封入容器21内的放电空间S的气体、用于萤光体层27的萤光体也相同。 对电极22、23施加高频电压时，在电极22、23之间形成介电质屏障放电，如上述产生紫外光。由此激发萤光体，从萤光体层产生中心波长为340nm附近的紫外光，此光在紫外线反射 膜25被反射，从未设置紫外线反射膜25的开口部份放射至外部。图6 图8表示在本发明的实施例中使用的稀有气体萤光灯的分光放射光谱。另 外，横轴是波长(nm)，纵轴是分光放射照度(yW/Cm7nm)。如上述，稀有气体萤光灯可以通 过萤光物质的调配等来变更放射的波长区域，图6 图8表示放射的波长区域不同的3种 稀有气体萤光灯A、B、C的分光放射光谱。另外，在图9中为了比较，重叠表示3种稀有气体 萤光灯A、B、C的分光放射光谱。在此，稀有气体萤光灯A将以氙为主要成份的稀有气体封入于放电空间S，在萤光 体层15中使用铈激活铝酸镁镧(La-Mg-Al-O = Ce)萤光体(简称为LAM萤光体)。此外，稀有气体萤光灯B将以氙为主要成份的稀有气体封入于放电空间S，在萤光 体层15中使用铈激活铝酸钡镁(Ce-Mg-Ba-Al-O)萤光体(简称为CAM萤光体)。另一方面，稀有气体萤光灯C将以氙为主要成份的稀有气体封入于放电空间S，在 萤光体层15中使用铈激活磷酸钇(Y-P-0:Ce)萤光体(简称为YPC萤光体)。另外，如图9所示，在310nm 360nm的波长区域中，短波长侧的波长比例为“稀有 气体萤光灯A” > “稀有气体萤光灯B” > “稀有气体萤光灯C”。如图6 图8所示，稀有气体萤光灯放射“310nm 360nm的波长区域的累计放射 照度a” > "360nm 570nm的波长区域的累计放射照度b”的光。S卩，该灯对紫外线反应材料的聚合反应的帮助较小，且被彩色滤光片吸收而加热 该彩色滤光片的光的放出比例较小，可以抑制彩色滤光片的温度上升。因此，也可以抑制来自彩色滤光片的传热所致的液晶和紫外线反应材料的加热。 因此，紫外线反应材料的温度分布成为几乎均一，该紫外线反应材料的聚合反应速度分布 也成为几乎均一。因此，在预倾角中偏差变小，液晶显示不均的产生也变小。此外，因为也 抑制液晶的加热，所以不用担心会有液晶的变质。另外，因为波长300nm以下的光被液晶吸收，照射量变多时有对液晶产生伤害的 可能性，所以优选实质上不放射波长300nm以下的光的灯，图6 图9所示的稀有气体萤光 灯中，几乎不放射波长300nm以下的光。为了确认本发明的效果，进行了以下的试验，对从灯放射的波长与液晶面板的温 度上升进行了验证。并在图11中表示其结果。图11表示使用3种稀有气体萤光灯A C和金属卤化物灯，照射液晶面板所使用 的玻璃基板时的用于对液晶赋予预倾角的单体(紫外线反应材料)的硬化所需的照射时 间、310nm 360nm的波长区域的放射照度及照射量、360nm 570nm的波长区域的放射照 度及照射量、以及从各灯将光以上述单体的硬化所需的照射时间，照射至液晶面板所使用 的玻璃基板时的玻璃基板的温度上升。照射时间根据照射的光中包含的短波长的照度和比 例而反应速度不同，包含越多短波长则照射时间越短，短波长越少则需要越长的照射时间。另外，上述放射照度相当于上述的累计放射照度，照射量是放射照度乘以照射时 间的值。上述稀有气体萤光灯A C的分光放射光谱如图6 图8所示。此外，图10表示 上述金属卤化物灯的分光放射光谱(使用滤光片)。另外，横轴是波长(nm)，纵轴是分光放 射照度(yW/Cm7nm)。上述金属卤化物灯是以往用于紫外线照射装置的灯，在内部封入水
9银和金属的卤化物。作为金属的卤化物，使用卤化铁(Fe)。另外，从封入了水银与卤化铁的 金属卤化物灯也放出波长310nm以下的光。直接将从前述金属卤化物灯放出的光照射至液 晶面板时，对液晶会造成较大伤害。因此，在本试验中，在金属卤化物灯与液晶面板之间，设 置了实质上截断波长310nm以下的波长的带通滤波器(bandpass filter)。另外，如上述， 因为波长310nm的光是0的话则无法得到完全的硬化，使用上述带通滤波器设计为不对液 晶造成伤害，且可得到完全的硬化的程度地使波长310nm的光通过。由图10可知，经由滤光片照射的金属卤化物灯的情况下，“波长360nm以下的波 长区域的累计放射照度a” < “大于波长360nm的波长区域的累计放射照度b”。另外，在 310nm 360nm的波长区域中，短波长侧的波长比例为“稀有气体萤光灯A”>“稀有气体萤 光灯B” > “稀有气体萤光灯C” > “金属卤化物灯+滤光片”。在本实验中使用的金属卤化物灯的情况下，单体的硬化所需的时间是240秒，波 长310nm 360nm的累计放射照度为约19. 8mff/cm2,照射量是4752mJ/cm2，波长360nm 570nm的累计放射照度是86. 2mff/cm2,照射量是20832mJ/cm2。此外，此时的玻璃基板的温度上升在无空气冷却的状态下为30°C，在有空气冷却 的状态下为7°C。另一方面，在稀有气体萤光灯A的情况下，单体的硬化所需的时间是180秒，波长 3IOnm 360nm的累计放射照度是16. 4mff/cm2,照射量是^52mJ/cm2，波长360nm 570nm 的累计放射照度是10. 2mW/cm2，照射量是1836mJ/cm2。此外，此时的温度上升在无空气冷却的状态下为5. 1°C。在稀有气体萤光灯B的情况下，单体的硬化所需的时间是330秒，波长310nm 360nm的累计放射照度是11. 6mff/cm2,照射量是3^8mJ/cm2，波长360nm 570nm的累计放 射照度是10. lmW/cm2，照射量是3333mJ/cm2。此外，此时的温度上升在无空气冷却的状态下为7.6°C。在稀有气体萤光灯C的情况下，单体的硬化所需的时间是480秒，波长310nm 360nm的累计放射照度是8. 5mff/cm2,照射量是4080mJ/cm2，波长360nm 570nm的累计放 射照度是4. 7mff/cm2,照射量是2256mJ/cm2。此外，此时的温度上升在无空气冷却的状态下为6. 7°C。另外，单体硬化所需的照射量(310nm 60nm)为“稀有气体萤光灯A” <“稀有气 体萤光灯B” < “稀有气体萤光灯C” < “金属卤化物灯”，这是因为短波长比例越大反应速 度越快，需要照射量变少的原因。如上述，在310nm 360nm的波长区域中，短波长侧的波 长比例为“稀有气体萤光灯A” > “稀有气体萤光灯B” > “稀有气体萤光灯C” > “金属卤 化物灯+滤光片”。即，金属卤化物灯的情况为，“波长360nm以下的波长区域的累计放射照度a” < “大于波长360nm的波长区域的累计放射照度b”，稀有气体萤光灯A、B、C的情况为，“波 长360nm以下的波长区域的累计放射照度a”>“大于波长360nm的波长区域的累计放射照 度b”。然后，使用这些灯，以单体的硬化所需的照射时间来照射液晶面板所使用的玻璃 基板，玻璃基板的温度上升在金属卤化物灯的情况下，上升约30°C的温度。相对于此，稀有 气体萤光灯A、B、C的情况下，即使温度上升最大者也仅上升约7. 6°C。
在此，稀有气体萤光灯中，玻璃基板的温度上升最多的稀有气体萤光灯B的 360nm 570nm的波长区域的照射量是3333mJ/cm2，此时的温度上升在无空气冷却的状态 下为7. 6°C。据此，如果将360nm 570nm的波长区域的照射量设为3500 (mj/cm2)以下的 话，可抑制彩色滤光片的温度上升，并将液晶面板的温度上升抑制为最小限度，又可抑制于 预倾角产生偏差。因此，在上述图1所示的液晶面板的制造装置中，由控制部4控制对液晶面板的照 射时间，优选为使照射量成为3500 (mj/cm2)左右以下。—般来说，液晶在其温度成为50°C 60°C以上时会变质。所以，使用金属卤化物 灯进行照射时，液晶面板的温度成为约50°C 60°C，有液晶变质而引起产品不良的可能 性。对液晶面板吹空气等而进行冷却的话，虽然可抑制温度上升，但是，因此需要冷却机构 而装置整体会大型化，成本也会变高。相对于此，如果使用稀有气体萤光灯的话，即使不进行冷却，液晶面板的温度也可 保持在35°C 40°C以下，可防止液晶的变质。另外，在上述内容中，作为本发明的对照实 验，使用了金属卤化物灯，除此之外使用高压水银灯进行了实验，得到了与使用金属卤化物 灯时相同的结果。
权利要求
1.一种液晶面板的制造装置，具备支承部，支承具备彩色滤光片且将含有光学活性 物质的液晶封入至内部的MVA方式的液晶面板；及光照射部，对上述支承部所支承的上述 液晶面板照射来自灯的光；通过对上述支承部所支承的液晶面板照射来自上述光照射部的 光，一边对上述液晶面板施加电压，一边使上述液晶面板内的光学活性物质发生反应而在 液晶面板内部形成取向部，其特征在于上述光照射部的灯满足如下条件在该灯的发光光谱中，将有助于液晶面板内的光学 活性物质的反应的波长区域的累计放射照度设为a，将彩色滤光片的吸收波长、且无助于上 述光学活性物质的反应的波长区域的累计放射照度设为b时，灯的累计放射照度为a > b。
2.如权利要求1所记载的液晶面板的制造装置，其特征在于上述累计放射照度a是310nm 360nm的波长区域的累计放射照度；上述累计放射照 度b是360nm 570nm的波长区域的累计放射照度。
3.如权利要求1或2所记载的液晶面板的制造装置，其特征在于上述灯是实质上不放射波长300nm以下的光的稀有气体萤光灯。
全文摘要
一种液晶面板的制造装置，在用于使紫外线反应材料聚合(硬化)的光照射中，尽量不使液晶面板的温度上升。对在两张透光性基板(玻璃基板)(3a，3b)之间封入了包含紫外线反应材料的液晶(3c)的液晶面板(3)，一边施加电压，一边从光照射部(1)照射光。作为光照射部(1)的光源(1a)，使用放出“310nm～360nm的波长区域的累计放射照度a”＞“360nm～570nm的波长区域的累计放射照度b”的波长区域的光的灯。作为放射这种光的灯，例如有稀有气体萤光灯。通过使用这种灯，可将液晶面板的温度上升抑制在最小限度，并可抑制预倾角发生偏差。此外，可有效地使紫外线反应材料硬化。
文档编号G02F1/1337GK102135684SQ20111002364
公开日2011年7月27日 申请日期2011年1月21日 优先权日2010年1月22日
发明者关匡平, 铃木信二 申请人:优志旺电机株式会社