专利名称：一种黑色矩阵膜及tft液晶显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种黑色矩阵膜及TFT液晶显示器。
背景技术：
液晶显示(Liquid Crystal Display, LCD)是现在显示器普遍应用的显示技术，TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶体管)液晶显示器就是在每个子像素点上设计一个薄膜晶体管来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度地显示屏幕信息，是目前最好的LCD彩色显示设备之一，是现在液晶电视、笔记本电脑等的主流显示设备。现有的TFT IXD具有如图I所示的结构，包括上基板1，下基板2和位于两基板之间的液晶材料3。对于彩色液晶显示器，在上基板I上靠近液晶分子3的一侧还设置有彩色 滤光区域11和黑色矩阵(BM，Black Matrix) 12，在彩色液晶显示器中，上基板I以及彩色滤光区域11和BM12等又可统称为彩色滤光片(CF，Color Filter)。其中，如图2所示为彩色滤光片中彩色滤光区域示意图，彩色滤光区域11中包含多个像素块21，每个像素块21又包含一组三基色子像素单元211、212、213，也即红(R)、绿(G)、蓝(B)子像素单元，在显示器通电状态下，通过驱动信号控制液晶材料3实现光的通过或阻挡，以使光线经过彩色滤光区域11中的某些像素块，根据三基色原理，最终实现彩色图像的呈现。其中，BM12 (黑色实体部分)用于分离彩色滤光区域11上的R、G、B子像素单元，并防止漏光，增加对比度。该BM膜上设置有与各子像素单元等大的开口，以一个子像素单元对应的BM开口为例，如图3所示，黑色实体部分即为BM膜31，空白部分即为该BM膜的开口 32，该图中BM膜31左下角突出入开口 32的部分，用于遮挡控制该子像素单元的TFT。然而，上述结构的BM膜会使得显示器在显示画面时，显示格子状过于明显，如图4所示，画面显示粗糙。
发明内容
本发明实施例提供一种黑色矩阵膜及TFT液晶显示器，能够改善显示画面的画质。为了解决上述技术问题，本发明实施例的技术方案如下一种黑色矩阵膜，应用于液晶显示器，所述黑色矩阵膜具有与所述液晶显示器中的子像素单元一一对应的第一开口，多个所述第一开口中具有至少两个单元开口。进一步，所述多个所述第一开口中具有四个单元开口。进一步，所述单元开口的尺寸大致相同。 进一步，所述单元开口的形状为方形。一种彩色滤光片，应用于液晶显示器，包括黑色矩阵膜，所述黑色矩阵膜具有与所述液晶显示器中的子像素单元一一对应的第一开口，多个所述第一开口中具有至少两个单元开口。进一步，所述多个所述第一开口中具有四个单元开口。
进一步，所述单元开口的尺寸大致相同。进一步，所述单元开口的形状为方形。一种TFT液晶显示器，包括如上所述的黑色矩阵膜。本发明实施例通过改变BM膜的结构，细化BM膜的开口，减少了因BM膜开口过大带来的显示格子状过于明显，画面显示粗糙的不足，提升了显示的精细度，使得显示画面更加细腻，改善了显示画面的画质。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是现有技术中TFT IXD的结构示意图；图2是现有技术中彩色滤光片的彩色滤光区域示意图；图3是现有技术中BM膜中一个BM开口的示意图；图4是现有技术中液晶显示器的显示画面示意图；图5是本发明实施例一种BM膜的结构示意图；图6是本发明实施例中BM膜的一个第一开口的示意图；图7是本发明实施例另一种BM膜的结构示意图；图8是本发明实施例中包含多个第一开口的BM膜示意图；图9是本发明实施例中的显示画面示意图。
具体实施例方式为了使本领域技术人员能进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，附图仅提供参考与说明，并非用来限制本发明。现有技术中，BM膜的开口与每个子像素单元等大，这样会导致BM膜开口过大，尤其当子像素单元尺寸过大时，会使得显示格子状过于明显，画面显示粗糙，画质较差。基于此，本发明实施例提供了一种BM膜和TFT液晶显示器，其中，BM膜具有与液晶显示器中的子像素单元一一对应的第一开口，多个第一开口中具有至少两个单元开口，这样通过改变BM膜的结构，即重新设置BM膜的开口，减少了因BM膜开口过大带来的显示格子状过于明显，画面显示粗糙的不足，提升了显示的精细度，使得显示画面更加细腻，改善了显示画面的画质。下面结合附图和实施例，对本发明的技术方案进行描述。参见图5，为本发明实施例一种BM膜的结构示意图。该BM膜应用于液晶显示器中，例如TFT液晶显示器，对于彩色显示器，用于分离显示器中彩色滤光区域上的子像素单元，如R、G、B子像素单元，并防止漏光，增加对比度。如图5所示，该BM膜具有与子像素单元一一对应的第一开口 51，也即每个子像素单元对应一个第一开口 51，例如，R、G、B子像素单元分别对应一个第一开口。其中“第一”仅为了区别不同开口的名称，并非限定。
在本实施例中，如图6所示，该BM膜的每个第一开口 51中都具有两个单元开口
511、512，也即将第一开口51 —分为二。两个单元开口 511、512的尺寸大小大致相同，由于该第一开口 51右下方的突出部位用于覆盖TFT，所以单元开口 511可以略大于单元开口
512。本实施例中，该单元开口的形状大致为方形。本发明实施例通过改变BM膜的结构，细化BM膜的开口，减少了因BM膜开口过大带来的显示格子状过于明显，画面显示粗糙的不足，提升了显示的精细度，使得显示画面更加细腻，改善了显示画面的画质。参见图7，为本发明实施例另一种BM膜的结构示意图。本实施例中BM膜的结构与上一实施例的区别在于，在BM膜的每个第一开口 71中设置有4个单元开口 711，也即将第一开口 71 一分为四，如图7所示，各单元开口的大小大致相同，单元开口形状也可以大致为方形，如图8所示，为包含多个第一开口的BM膜示意·图。该BM膜更适用于子像素单元尺寸较大的显示器中。在本发明的另一实施例中，BM膜中的第一开口还可以划分为多个单元开口，而且，各单元开口的尺寸大小也可以设置为不同，单元开口的形状也可以是菱形、三角形等。在另一实施例中，该BM膜中可以是多个第一开口设置为至少两个单元开口，一方面，可以只设置局部区域的第一开口包含单元开口，例如显示器的中央显示区域中，BM膜的第一开口设置至少两个单元开口，而显示器的边缘区域，由于对显示精细化要求不高，BM膜的第一开口中可以不设置单元开口 ；另一方面，在第一开口中设置单元开口时，可以在各第一开口内设置的单元开口不同，例如，根据显示需求有的第一开口设置4个单元开口，有的第一开口设置2个单元开口等。以上技术点可以根据显示需要进行任意组合，并不局限于上述组合方式。该BM膜不仅可以应用于彩色显示器，也可以用于黑白显示器，只要能实现对子像素单元的划分即可。本发明实施例通过改变BM膜的结构，细化BM膜的开口，提升了显示的精细度，使得显示画面更加细腻，改善了显示画面的画质，如图9所示，为采用本发明技术方案后的显示画面。本发明实施例还可以提供一种彩色滤光片。该彩色滤光片可以具有与现有技术类似的结构，其区别在于，该彩色滤光片上具有如以上实施例所述的BM膜，该BM膜具有与彩色滤光片上的子像素单元一一对应的第一开口，多个第一开口中具有至少两个单元开口。本发明实施例还可以提供一种TFT液晶显示器。该TFT液晶显示器可以具有与现有技术类似的结构，其区别在于，该TFT液晶显示器的彩色滤光片上具有如以上实施例所述的BM膜，该BM膜具有与TFT液晶显示器中的子像素单元一一对应的第一开口，多个第一开口中具有至少两个单元开口。以上彩色滤光片和TFT液晶显示器中，具体的第一开口以及单元开口的设置请参照前述BM膜的实施例的描述，此处不再赘述。以上所述的本发明实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的权利要求保护范围之内。
权利要求
1.一种黑色矩阵膜，应用于液晶显示器，其特征在于，所述黑色矩阵膜具有与所述液晶显示器中的子像素单元一一对应的第一开口，多个所述第一开口中具有至少两个单元开□。
2.根据权利要求I所述的黑色矩阵膜，其特征在于，所述多个所述第一开口中具有四个单元开口。
3.根据权利要求I所述的黑色矩阵膜，其特征在于，所述单元开口的尺寸大致相同。
4.根据权利要求I至3中任意一项所述的黑色矩阵膜，其特征在于，所述单元开口的形状为方形。
5.一种彩色滤光片，应用于液晶显示器，其特征在于，包括黑色矩阵膜，所述黑色矩阵膜具有与所述液晶显示器中的子像素单元一一对应的第一开口，多个所述第一开口中具有至少两个单元开口。
6.根据权利要求5所述的彩色滤光片，其特征在于，所述多个所述第一开口中具有四个单元开口。
7.根据权利要求5所述的彩色滤光片，其特征在于，所述单元开口的尺寸大致相同。
8.根据权利要求5至7中任意一项所述的彩色滤光片，其特征在于，所述单元开口的形状为方形。
9.一种TFT液晶显示器，其特征在于，包括如权利要求I至4中任意一项所述的黑色矩阵膜。
全文摘要
本发明实施例提供一种黑色矩阵膜及TFT液晶显示器。一种黑色矩阵膜，应用于液晶显示器，所述黑色矩阵膜具有与所述液晶显示器中的子像素单元一一对应的第一开口，多个所述第一开口中具有至少两个单元开口。本发明实施例通过改变BM膜的结构，细化BM膜的开口，减少了因BM膜开口过大带来的显示格子状过于明显，画面显示粗糙的不足，提升了显示的精细度，使得显示画面更加细腻，改善了显示画面的画质。
文档编号G02B5/20GK102736313SQ20121022341
公开日2012年10月17日 申请日期2012年6月29日 优先权日2012年6月29日
发明者何基强, 庄崇营, 朱汉平, 李林, 洪胜宝, 胡君文, 谢凡 申请人:信利半导体有限公司