专利名称：一种介质基片零层对准标记结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种介质基片零层对准标记结构，尤其涉及一种与微波薄膜混合集成电路或其它微型器件制造领域内的光刻装置有关的对准标记。
背景技术：
在微波频段，较多的电路需要直接接地，微小通孔金属化是良好的接地方法。其目的是减少接地电感和缩短传热通道，对微波和毫米波的器件及电路设计尤为重要。因此，微小金属化通孔成为了微波毫米波集成电路的一种常用无源元件，通孔形状通常为圆形。采用半导体集成电路的大基片、多单元方式加工微波薄膜混合集成电路，生产效率高，产品一致性和重复性好。在介质基片上制作含微小阵列金属化通孔的微波薄膜混合 集成电路工艺流程如图I所示。从图I可见，微小通孔的激光加工发生在介质基片真空沉积多层金属薄膜、光刻、刻蚀等工序之前，微小通孔作为电路图形结构的重要组成部分已经在介质基片上实现了阵列有序定位，并通过沉积多层金属薄膜实现了通孔内壁和边缘的金属化种子层制备。现有光刻对准标记为介质基片上阵列圆形通孔最外围的任意一个或多个通孔组合，在真空沉积多层金属薄膜后，该对准标记形貌依然清晰完好。使用现有光刻对准标记存在以下不足(I)该对准标记为圆形通孔，通过X、Y方向手轮运动不方便对准；(2)光刻对准时，由于该对准标记的位置不特殊，搜索对准标记困难，影响工作效率；(3)该对准标记和其它阵列通孔的结构相同，容易混淆，一旦混淆，轻者返工，重者影响成品率；(4)该对准标记还是一个或多个阵列电路图形的组成部分，为了保证成品率，无论采用正胶光刻工艺还是负胶光刻工艺，刻蚀多层金属薄膜形成电路图形前，该对准标记的内壁和边缘都需要进行手动补胶，防止内壁和边缘的金属层被刻蚀而损坏，这样就增加了额外工序。
发明内容
针对上述缺点，本发明设计一种不占阵列图形空间、容易搜索、形貌受工艺过程影响小的对准标记结构并且能提供良好的对准对比度。本发明的目的是通过以下技术方案来实现的一种介质基片零层对准标记结构，为设置在介质基片边缘的直角型纵向通孔。在上述的介质基片零层对准标记结构中，该直角型纵向通孔为一个直角三角形。在上述的介质基片零层对准标记结构中，该直角型纵向通孔为一个长方形。在上述的介质基片零层对准标记结构中，该直角型纵向通孔为一个直角梯形。可选的，上述的介质基片零层对准标记结构所在的介质基片材料包括99. 6%以上的氧化铝陶瓷、蓝宝石。可选的，上述的介质基片零层对准标记结构所在的介质基片厚度为0. Imm 0. 65mm0本发明的介质基片零层对准标记结构为直角型纵向通孔，通过X、Y方向手轮运动方便对准；该对准标记结构位置处在介质基片边缘，容易搜索；该对准标记结构不占用任何一个阵列有序的通孔，可以与阵列有序的微小通孔一起加工完成，无需增加额外工序；通孔的加工形状是由微处理机进行程序控制，将高效能激光器与高精度的机床及控制系统配合来完成，直角形通孔与圆形通孔相比未增加加工难度；该对准标记结构的形貌受工艺过程影响小，可确保在含微小阵列通孔的介质基片上光刻多层金属薄膜时的对准精度和提高微波薄膜混合集成电路的成品率。
下面结合附图对本发明的具体实施例作进一步详细的说明。图I含微小阵列通孔的微波薄膜混合集成电路工艺流程图；图2本发明的介质基片零层对准标记结构第一实施例的示意图(含俯视图和主视图，下同。);图3本发明的介质基片零层对准标记结构第二实施例的示意图；图4本发明的介质基片零层对准标记结构第三实施例的示意图。其中6为介质基片；7为阵列通孔；8、9、10为介质基片零层对准标记结构；H1、H2、H3为厚度。
具体实施例方式以下将结合附图，对本发明的优选实施例进行详细的描述；应当理解，优选实施例仅为了说明本发明，而不是为了限制本发明的保护范围。本发明的介质基片零层对准标记结构，为设置在介质基片6边缘的直角型纵向通孔。实施例I参见图2，所述介质基片零层对准标记结构8为设置在介质基片6边缘的纵向通孔且其为一个直角三角形。本实施例中介质基片零层对准标记结构8所在的介质基片6，材料为99. 6%以上的氧化铝陶瓷，平面尺寸为5. 08mmX5. 08mm，厚度Hl为0. 635mm。实施例2参见图3，所述介质基片零层对准标记结构9为设置在介质基片6边缘的纵向通孔且其为一个长方形。本实施例中介质基片零层对准标记结构9所在的介质基片6，材料为99. 6%以上的氧化铝陶瓷，平面尺寸为5. 08mmX5. 08mm，厚度H2为0. 254mm。实施例3参见图4，所述介质基片零层对准标记结构10为设置在介质基片6边缘的纵向通孔且其为一个直角梯形。本实施例中介质基片零层对准标记结构10所在的介质基片6，材料为蓝宝石,平面尺寸为5. 08mmX5. 08mm，厚度H3为0. 508mm。在微波薄膜混合集成电路制作过程中，使用图2至图4中所述的介质基片零层对准标记结构8、9、10可以确保介质基片上微波薄膜混合集成电路制造在其预设位置。综上所述，本 发明的介质基片零层对准标记结构，为设置在介质基片边缘的直角型纵向通孔，可确保在含微小阵列通孔的介质基片上光刻多层薄膜时的对准精度，而且还能提高微波薄膜混合集成电路的成品率。
权利要求
1.一种介质基片零层对准标记结构，其特征在于，该介质基片零层对准标记结构为设置在介质基片边缘的直角型纵向通孔，用于水平和垂直方向对准。
2.如权利要求I所述的介质基片零层对准标记结构，其特征在于，该直角型纵向通孔为一个直角三角形。
3.如权利要求I所述的介质基片零层对准标记结构，其特征在于，该直角型纵向通孔为一个长方形。
4.如权利要求I所述的介质基片零层对准标记结构，其特征在于，该直角型纵向通孔为一个直角梯形。
5.如权利要求I所述的介质基片零层对准标记结构，所在的介质基片为纯度99.6%以上的氧化铝基片或蓝宝石基片，基片的厚度范围为0. Imm 0. 65mm。
全文摘要
一种介质基片零层对准标记结构，为设置在介质基片边缘的直角型纵向通孔。该介质基片零层对准标记结构可以为一个直角三角形、一个长方形、一个直角梯形，介质基片零层对准标记结构所在的介质基片材料包括99.6％以上的氧化铝陶瓷、蓝宝石，介质基片厚度为0.1mm～0.65mm。采用本对准标记结构，不但可确保在含微小阵列通孔的介质基片上光刻多层金属薄膜时的对准精度，而且还能提高微波薄膜集成电路的成品率。
文档编号G03F9/00GK102749817SQ20121022238
公开日2012年10月24日 申请日期2012年6月27日 优先权日2012年6月27日
发明者曹乾涛 申请人:中国电子科技集团公司第四十一研究所