专利名称：一种投影控制器的制作方法
技术领域：
本发明涉及电学领域，特别涉及ー种投影控制器。
背景技术：
投影仪是公司和学校必备的办公和教学仪器，投影显示的效果与室内的光线有很大关系，但现有的会议室和教室，照明系统和投影仪均为分立的仪器，各自独立工作，需要人工调节光线和投影仪。而且，照明系统的突然开通和关断，给人体的视觉影响比较大，会有眼部不适症状的出现。
发明内容
本发明提出ー种投影控制器，解决了现有技术中需要人工调节光线和投影仪，突然开通和关断照明系统会对眼部造成不适的问题。本发明的技术方案是这样实现的:ー种投影控制器，包括:投影仪；用于室内照明的LED灯；M0SFET晶体管，其源极连接到地电位，其漏极连接到所述LED灯；单片机，其输入端连接到所述投影仪，输出端输出用于控制所述MOSFET晶体管导通和关断的控制信号；功率放大电路，对单片机输出的控制信号进行功率放大；滤波器，对功率放大电路的输出信号进行滤波，将滤波后的直流电压信号发送到所述MOSFET晶体管的栅极。可选地，所述MOSFET晶体管为N型MOSFET晶体管。可选地，所述单片机为51单片机。本发明的有益效果是:(I)开通投影仪时，自动关闭照明用的LED灯，方便操作，投影效果好；(2) LED灯的亮度为逐渐变化，人体舒适性好。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明ー种投影控制器的电路框图。
具体实施例方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明的ー种投影控制器，包括:投影仪10 ;用于室内照明的LED灯20 ；M0SFET晶体管30，其源极连接到地电位，其漏极连接到LED灯20 ;单片机40，其输入端连接到投影仪10，输出端输出用于控制MOSFET晶体管30导通和关断的控制信号，例如单片机40为51单片机；功率放大电路50，对单片机40输出的控制信号进行功率放大；滤波器60，对功率放大电路50的输出信号进行滤波，将滤波后的直流电压信号发送到MOSFET晶体管30的栅极，例如MOSFET晶体管为N型MOSFET晶体管。当投影仪10开通吋，单片机40接收到投影仪的开通信号，单片机40的输出信号由高电平变为脉冲宽度逐渐减小的脉冲信号，经过功率放大电路50的放大和滤波器60的滤波，将直流电压信号施加在MOSFET晶体管30的栅极，MOSFET晶体管30由开通状态进入到可变电阻区，流过LED灯20的电流也逐渐减小，因此LED灯的亮度也逐渐减弱，人眼逐渐适应亮度的改变；当投影仪10关闭吋，单片机40接收到投影仪的关闭信号，单片机40的输出信号由低电平变为脉冲宽度逐渐增大的脉冲信号，经过功率放大电路50的放大和滤波器60的滤波，将直流电压信号施加在MOSFET晶体管30的栅极，MOSFET晶体管30由关断状态进入到可变电阻区，流过LED灯20的电流也逐渐増大，因此LED灯20的亮度也逐渐增強，人眼逐渐适应亮度的改变。本发明的投影控制器，开通投影仪时，自动关闭照明用的LED灯，方便操作，投影效果好；LED灯的亮度为逐渐变化，人体舒适性好。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种投影控制器，其特征在于，包括: 投影仪； 用于室内照明的LED灯； MOSFET晶体管，其源极连接到地电位，其漏极连接到所述LED灯； 单片机，其输入端连接到所述投影仪，输出端输出用于控制所述MOSFET晶体管导通和关断的控制信号； 功率放大电路，对单片机输出的控制信号进行功率放大； 滤波器，对功率放大电路的输出信号进行滤波，将滤波后的直流电压信号发送到所述MOSFET晶体管的栅极。
2.按权利要求1所述的投影仪控制系统，其特征在于，所述MOSFET晶体管为N型MOSFET晶体管。
3.按权利要求2所述的投影仪控制系统，其特征在于，所述单片机为51单片机。
全文摘要
本发明提出了一种投影控制器，包括投影仪；用于室内照明的LED灯；MOSFET晶体管，其源极连接到地电位，其漏极连接到所述LED灯；单片机，其输入端连接到所述投影仪，输出端输出用于控制所述MOSFET晶体管导通和关断的控制信号；功率放大电路，对单片机输出的控制信号进行功率放大；滤波器，对功率放大电路的输出信号进行滤波，将滤波后的直流电压信号发送到所述MOSFET晶体管的栅极。
文档编号G03B21/20GK103096583SQ20121056811
公开日2013年5月8日 申请日期2012年12月12日 优先权日2012年12月12日
发明者王玲 申请人:青岛联盟电子仪器有限公司