专利名称：带有浸液回收装置和激光干涉仪的硅片台双台交换系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻机硅片台双台交换系统，该系统应用于半导体光刻机中，属于浸没式光刻技术领域。
背景技术：
浸没式光刻技术的(immersion lithography)概念最早在上世纪80年代提出，即在光刻机的投影镜头和基片之间填充浸没液体，代替原来的空气空间，以提高分辨率。其依据的Rayleigh计算公式如下
权利要求
1.带有浸液回收装置和激光干涉仪的硅片台双台交换系统，该系统含有基座(7)，两个硅片台，两个线缆台，光学透镜系统(2)和光刻浸液喷射循环装置(3)，所述的光刻浸液喷射循环装置包括浸没液体(6)、浸液流出机构(4)和浸液吸收机构(5);所述的基座(7)上设有对准エ位和曝光エ位，所述的硅片台上部的四个侧面均为平面反射镜，其中两个相对反射镜面下半部分还分别安装有一条45°反射镜，所述的每个硅片台的一个侧面下部安装一个线缆台，所述的线缆台沿X轴方向放置在基座(7)上，其特征在于所述的每个硅片台均安装ー个浸液回收装置，所述的浸液回收装置包括一个浸液过渡板(15)、导液管、浸液回收容器(14)和抽吸泵(13);在没有安装45°反射镜的硅片台的两个侧面的其中一个侧面上设置浸液过渡板(15);两个硅片台在基座(7)上放置的方向均为浸液过渡板(15)指向Y轴正向，浸液过渡板(15)的上表面与硅片台上表面共面，浸液过渡板上表面平滑并喷涂有不浸润涂层；所述的浸液过渡板的侧面设有ー排小孔，小孔与导液管连通，导液管经过线缆台与外部的抽吸泵和浸液回收容器相连通； 所述光刻机硅片台双台交換系统还包含用于硅片台运动位置反馈的激光干涉仪测量系统，所述的激光干涉仪测量系统包括四个激光干涉仪、四个激光干涉仪Z向反射镜和光源；所述的四个激光干渉仪成对布置在基台的对准エ位和曝光エ位正上方，且两两关于Y轴对称布置，分别以第一硅片台(8)和第二硅片台(9)上部侧面的镜面为反射面进行测量；所述的四个激光干涉仪Z向反射镜在硅片台的上方沿X轴成对布置，反射面水平向下，每个激光干渉仪对应一个激光干涉仪Z向反射镜，将激光干涉仪射出的其中一束激光经过硅片台侧面安装的45°镜面反射后，再射向激光干涉仪Z向反射镜的反射面，然后沿原路返回激光干涉仪内部，进行Z轴方向位移測量。
2.按照权利要求1所述的带有浸液回收装置和激光干涉仪的硅片台双台交換系统，其特征在于所述光刻机硅片台双台交换还包括一套硅片台防撞气囊结构，该硅片台防撞气囊结构含有三个气囊(20)、四个阻尼缓冲元件(21)和气源(23)，所述的三个气囊串联布置，并分别通过气囊支架(22)固定在硅片台下部的另外三个侧面上；相邻两个气囊之间通过ー个阻尼缓冲元件(21)和气体管路相连通，所述的气体管路与气源(23)相连通，气体管路固定在线缆台上。
3.按照权利要求1所述的带有浸液回收装置和激光干涉仪的硅片台双台交换系统，其特征在干所述的第一硅片台(8)和第二硅片台(9)分别与基座(7)之间通过磁悬浮进行驱动和寻■向。
全文摘要
带有浸液回收装置和激光干涉仪的硅片台双台交换系统，该系统含有基台，两个硅片台，光学透镜系统、多轴激光干涉仪和激光干涉仪反射镜。硅片台带有浸液回收装置，硅片台上表面的一侧设有一块浸液回收板，浸液回收板的上表面与硅片台上表面共面，浸液回收板的侧面有一排小孔，小孔与硅片台外部的浸液回收容器相连接，用于浸没液体的回收，硅片台外围四边设置一套防撞气囊装置。当两硅片台完成交换时，硅片台上的浸液回收板设计保证了交换时浸液循环不用中断，提高了生产效率；气囊式防撞结构具有可伸缩性，与机械式防撞相比刚度低，且结构简单紧凑，可应用于光刻机双台交换系统。
文档编号G03F7/20GK103034073SQ201210576830
公开日2013年4月10日 申请日期2012年12月26日 优先权日2012年12月26日
发明者朱煜, 张鸣, 刘召, 成荣, 田丽, 徐登峰, 杨开明, 胡金春, 尹文生, 穆海华, 刘昊, 胡楚雄 申请人:清华大学