含有氘取代的液晶单体的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种含有氘取代的液晶单体。该含有氘取代的液晶单体，其结构通式如式I所示。该式I所示液晶化合物具有化合物所必需的一般物理性质，对光，热稳定，较宽的向列相，与其他化合物相溶性好，具有低旋转粘度γ1和大介电各向异性（△ε>0），尤其是此化合物与同类型非氘代液晶搭配使用改善低温互溶性的特性。对于大折射率γ1和中高介电各向异性△ε的单体液晶化合物的开发具有重要意义。含有式I所示化合物的液晶组合物，其液晶相的温度范围广，粘度小，具有合适的折射率各向异性以及低启动电压。
【专利说明】含有氘取代的液晶单体
【技术领域】
[0001]本发明属于液晶化合物合成及应用领域，涉及一种含有氘取代的液晶单体。
【背景技术】
[0002]使用液晶组合物的液晶显示器广泛用于仪表、电脑、电视等显示器中。对于液晶显示【技术领域】，近年来市场虽然已经非常巨大，技术也逐渐成熟，随着现代显示技术的迅速发展，液晶显示器经历了扭曲向列相(TN)型、超扭曲向列相(STN)后，薄膜晶体管液晶显示器(TFT-1XD)已经成为平板显示的发展主流。高品质的TFT-1XD要求高对比度、高清晰度、高速响应、高亮度以及广视角。此外，还要求低的电力消耗。因此，要求液晶材料必须具有较宽的向列相温度范围、低液晶粘度、高的电压保持率、合适的双折射系数、高的介电各向异性以及与其他液晶化合物的相溶性好。
[0003]任何的显示用液晶组合物都要求有较宽的液晶态温度，较高的稳定性，比较适合的粘度，对电场有较快的响应速度。但是目前为止还没有任何单一的液晶单体单独用在液晶显示器中，而不用与其它化合物组合就能够满足性能要求。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是提供一种含有氘取代的液晶单体。
[0005]本发明提供的含有氘取代的液晶单体，其结构通式如式I所示，
【权利要求】
1.式I所示化合物，
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于:所述式I所示化合物为如下式1-1至式1-3所示化合物中的任意一种:
3.一种制备权利要求1-2任一所述式I所示化合物的方法，包括如下步骤:
将
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于:所述碳酸盐选自碳酸钠和碳酸钾中的至少一种； 所述
5.包含组分a的液晶组合物；其中，所述组分a由权利要求1-2任一所述式I所示化合物中的至少一种组成。
6.根据权利要求5所述的液晶组合物，其特征在于:所述组分3在液晶组合物中的质量百分含量为10-80%，具体为20-50%。
7.根据权利要求5或6所述的液晶组合物，其特征在于:所述液晶组合物中还包括组分b、组分C、组分d、组分e和组分f ； 其中，所述组分b由式II所示化合物中的至少一种组成； 组分c由式III所示化合物中的至少一种组成； 组分d由式IV所示化合物中的至少一种组成； 组分e由式V所示化合物中的至少一种组成； 组分f由式VI所示化合物中的至少一种组成；
8.根据权利要求7所述的液晶组合物，其特征在于:所述式II所示化合物为如下式I1-1至式ΙΙ-13所示化合物中的任意一种:
9.根据权利要求7或8所述的液晶组合物，其特征在于:所述组分b、组分C、组分d、组分e和组分f的质量比为3~40:3~70:3~30:3~30:3_40，具体为20-40:5_30:3-10:3-15:3-20，更具体为 20-35:6_26:4_9:4_13:5_15。
10.根据权利要求5-9任一所述的液晶组合物，其特征在于:所述液晶组合物由所述组分a至组分f组成；所述组分a、组分b、组分C、组分d、组分e和组分f的质量比为10_80:3~40:3~70:3 ~30:3 ~30:3-40,具体为 20-50:20-40:5-30:3-10:3_15:3_20，更具体为 22-45:20-35:6-26:4-9:4_13:5_15。
11.权利要求1-2所述式I所示液晶化合物或权利要求5-10任一所述液晶组合物在制备液晶显示材料或电光学显示材料或液晶显示器中的应用；或者， 包含权利要求1-2所述式I所示液晶化合物或权利要求5-10任一所述液晶混合物中的至少一种的液晶显示材料或电光学`显示材料或液晶显示器。
【文档编号】G02F1/1333GK103772138SQ201410026971
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2014年1月21日 优先权日:2014年1月21日
【发明者】侯泽峰, 吕文海, 张兴, 员国良, 华瑞茂, 李明, 赵磊 申请人:石家庄诚志永华显示材料有限公司