1.一种光刻掩模，包括：
衬底，包含低热膨胀材料(LTEM)；以及
多层(ML)结构，设置在所述衬底上方，所述ML结构配置为反射辐射，其中：
所述ML结构包含多个交错的膜对；
每个膜对包括第一膜和第二膜，所述第一膜和所述第二膜具有不同的材料组分；
每个膜对具有相应的厚度；和
对于多个膜对的至少一个子集，膜对的相应的厚度沿着预定方向随机地变化。
2.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中：
所述多个膜对的子集包括第一膜对、设置在所述第一膜对上方的第二膜对和设置在所述第一膜对上方的第三膜对；
所述第一膜对具有在从约0.5d至约d的范围内的第一厚度；
所述第二膜对具有等于d的第二厚度；以及
所述第三膜对具有在从约d至约1.5d的范围内的第三厚度。
3.根据权利要求2所述的光刻掩模，其中：
所述第一厚度在从约0.8d至约d的范围内；
所述第三厚度在从约d至约1.2d的范围内。
4.根据权利要求2所述的光刻掩模，其中，d为约7纳米。
5.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中：
所述ML结构包括具有非周期性分布的膜对的多个子集；
所述膜对的每个子集基本上类似于所述膜对的剩余子集；以及
每个子集内的所述膜对的相应的厚度沿着所述预定方向逐渐地变化。
6.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，对于整个所述ML结构，所述膜对的相应的厚度沿着所述预定方向逐渐地变化。
7.根据权利要求1所述的光刻掩模，还包括：
覆盖层，设置在所述ML结构上方；以及
吸收层，设置在所述覆盖层上方。
8.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中：
所述LTEM包括TiO2掺杂的SiO2；
所述膜对的所述第一膜包含Mo；和
所述膜对的所述第二膜包含Si或Be。
9.一种晶圆制造工艺，包括：
在衬底上方形成材料层；
在所述材料层上方形成光刻胶层；以及
在光刻工艺中使用光刻掩模图案化所述光刻胶层，其中，所述光刻掩模包括包含低热膨胀材料(LTEM)的衬底以及设置在所述衬底上方的多层(ML)结构，所述ML结构配置为反射辐射；
其中：
所述ML结构包含多个交错的膜对；
每个膜对包括第一膜和第二膜，所述第一膜和所述第二膜具有不同的材料组分；和
对于多个膜对的至少一组，每个膜对具有与组中的其他膜对不同的厚度。
10.一种制造光刻掩模的方法，包括：
在低热膨胀材料(LTEM)衬底上方形成多层(ML)结构，所述ML结构配置为反射辐射，其中，所述ML结构的形成包括形成多个交错的膜对，每个膜对包括第一膜和具有与所述第一膜不同的材料组分的第二膜，其中，实施所述交错的膜对的形成，使得：
所述ML结构包括多个基本上相同的膜对的堆叠件；和
在膜对的每个堆叠件内，所述膜对离所述LTEM衬底越远，所述膜对变得越厚；以及
在所述ML结构上方形成覆盖层。