技术总结
一种MEMS器件，包含：固定结构(10)；活动结构(12)，其包括反射元件(90)；第一可变形结构(22)和第二可变形结构(24)，它们被布置在固定结构和活动结构之间。第一可变形结构和第二可变形结构中的每个包括相应数量的主压电元件(40)。第一可变形结构和第二可变形结构的主压电元件(40’，40”)能够被电控制以引起活动结构分别关于第一轴线(A1)和第二轴线(A2)的振荡。第一可变形结构还包括相应数量的次压电元件(42’)，它们能够被电控制从而改变活动结构关于第一轴线的第一谐振频率。
技术研发人员：D·朱斯蒂;R·卡尔米纳蒂
受保护的技术使用者：意法半导体股份有限公司
文档号码：201610483722
技术研发日：2016.06.27
技术公布日：2017.06.09