技术总结
本实用新型公开了一种气体锁验证仪，其包括分别连接所要试验的气体锁两端的模拟清洁真空腔室和模拟超清洁真空腔室。模拟清洁真空腔室中有污染发射源，用于发射模拟污染物，该模拟污染物用于模拟诸如极紫外光刻机中硅片表面产生的污染物；模拟超清洁真空腔室中配置有测量腔内气体组分和分压的设备。模拟清洁真空腔室和模拟超清洁真空腔室上分别布置有真空计组。本实用新型能有效验证气体锁的抑制效果。
技术研发人员：陈进新;崔惠绒;张立佳;谢婉露;吴晓斌;王宇
受保护的技术使用者：中国科学院光电研究院
文档号码：201620536564
技术研发日：2016.06.03
技术公布日：2016.12.28