掩膜板的制作方法

本实用新型涉及显示屏制造技术领域，特别涉及一种掩膜板。

背景技术：

随着平面显示器技术的蓬勃发展，有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示装置得到了广泛的应用。其与传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)相比，除了更轻薄外，更具有自发光、低功率消耗、不需要背光源、无视角限制及高反应速率等优良特性，已成为目前平面显示器技术中的主流。

光刻工艺质量的优劣直接关系到AMOLED显示装置中的AMOLED显示面板的质量如何。目前，AMOLED显示面板的光刻工艺通常采用的是精密掩膜板(fine mask)。精密掩膜板采用张网和焊接的方法来制作。精密掩膜板通常包括有效区和过渡区，其中，有效区和AMOLED显示面板的有源区(AA区)对应；过渡区和AMOLED显示面板的有源区(AA区)之间的过渡区对应。为了减少张网过程的皱褶，精密掩膜板设计时会考虑在有源区(AA区)之间的过渡区采用半刻蚀(half etching)工艺形成来释放应力，从而使精密掩膜板受力平均，减少皱褶。

但是，发明人发现，现有技术中的掩膜板结构并不利于应力的快速分散，依然容易引起皱褶。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种掩膜板，以解决现有的掩膜板结构并不利于应力的快速分散，依然容易引起皱褶的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种掩膜板，所述掩膜板包括：支撑掩膜板；及精密掩膜板，所述精密掩膜板位于所述支撑掩膜板上，所述精密掩膜板包括过渡区，所述过渡区中具有第一图案，所述第一图案包括通孔，所述过渡区与所述支撑掩膜板对应。

可选的，在所述的掩膜板中，所述精密掩膜板还包括有效区，所述有效区中具有第二图案。

可选的，在所述的掩膜板中，所述第一图案与所述第二图案相同。

可选的，在所述的掩膜板中，所述第一图案与所述第二图案同时形成。

可选的，在所述的掩膜板中，所述第一图案通过全刻蚀工艺形成。

可选的，在所述的掩膜板中，所述通孔的数量为一个或者多个。

可选的，在所述的掩膜板中，所述通孔的形状为方形、圆形或者三角形。

可选的，在所述的掩膜板中，所述通孔的最大截面宽度为10μm～100μm。

可选的，在所述的掩膜板中，所述精密掩膜板和支撑掩膜板的材料均为金属。

可选的，在所述的掩膜板中，所述精密掩膜板和支撑掩膜板的厚度均为10μm～100μm。

发明人深入研究了现有技术后发现，虽然现有技术中对于精密掩膜板上的过渡区采用半刻蚀工艺形成，以通过减薄过渡区掩膜板的厚度来实现释放压力的目的。但是，由于采用半刻蚀工艺形成，即在过渡区仍旧存在一定厚度的掩膜板，由此使得应力的分散效果并不十分理想。

基此，本实用新型提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括精密掩膜板，所述精密掩膜板包括过渡区，所述过渡区中具有第一图案，所述第一图案包括通孔，即所述过渡区中存在镂空的部分，由此可以提高掩膜板的应力分散效果。

但是，过渡区的掩膜板需要阻挡有机材料的蒸镀，当第一图案包括通孔时，将不能实现其阻挡有机材料的蒸镀的功能。

为此，在本实用新型提供的掩膜板中，还包括支撑掩膜板，所述过渡区与所述支撑掩膜板对应，从而通过所述支撑掩膜板可以起到阻挡有机材料蒸镀到AMOLED显示面板的有源区(AA区)之间的过渡区的目的了。

附图说明

图1是本实用新型实施例一的掩膜板的主视示意图；

图2是本实用新型实施例一的精密掩膜板的俯视示意图；

图3是本实用新型实施例二的掩膜板的主视示意图；

图4是本实用新型实施例二的精密掩膜板的俯视示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的掩膜板作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

发明人深入研究了现有技术后发现，虽然现有技术中对于精密掩膜板上的过渡区采用半刻蚀工艺形成，以通过减薄过渡区掩膜板的厚度来实现释放压力的目的。但是，由于采用半刻蚀工艺形成，即在过渡区仍旧存在一定厚度的掩膜板，由此使得应力的分散效果并不十分理想。

基此，本实用新型提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括精密掩膜板，所述精密掩膜板包括过渡区，所述过渡区中具有第一图案，所述第一图案包括通孔，即所述过渡区中存在镂空的部分，由此可以提高掩膜板的应力分散效果。

但是，过渡区的掩膜板需要阻挡有机材料的蒸镀，当第一图案包括通孔时，将不能实现其阻挡有机材料的蒸镀的功能。

为此，在本实用新型提供的掩膜板中，还包括支撑掩膜板，所述过渡区与所述支撑掩膜板对应，从而通过所述支撑掩膜板可以起到阻挡有机材料蒸镀到AMOLED显示面板的有源区(AA区)之间的过渡区的目的了。

接下去，请具体参考如下两个实施例，以进一步理解本实用新型提出的掩膜板。

【实施例一】

请参考图1和图2，其中，图1为本实用新型实施例一的掩膜板的主视示意图；图2为本实用新型实施例一的精密掩膜板的俯视示意图。如图1和图2所示，所述掩膜板1包括：支撑掩膜板10；及精密掩膜板11，所述精密掩膜板11位于所述支撑掩膜板10上，所述精密掩膜板11包括过渡区12，所述过渡区12中具有第一图案120，所述第一图案120包括通孔，所述过渡区12与所述支撑掩膜板10对应。在本申请实施例中，所述过渡区12与所述支撑掩膜板10对应主要指在使用时，所述支撑掩膜板10位于所述过渡区12正下方。

在本申请实施例中，所述支撑掩膜板10的材料为金属，例如，所述支撑掩膜板10的材料可以为镍、钼、铬、铂或者锡中的一种或多种。进一步的，其厚度为10μm～100μm，例如，所述支撑掩膜板10的厚度可以为10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、40μm、60μm、80μm或者100μm等。

较佳的，所述支撑掩膜板10未经过刻蚀工艺，即所述支撑掩膜板10上没有图案形成。在本申请的其他实施例中，所述支撑掩膜板10也可经过刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括半刻蚀工艺或者全刻蚀工艺。当所述支撑掩膜板10采用了全刻蚀工艺时，所形成的图案与第一图案120错开。在此，只要通过所述支撑掩膜板10可以起到阻挡有机材料蒸镀到AMOLED显示面板的有源区(AA区)之间的过渡区的目的即可，即能够防止AMOLED显示面板的IC搭接区和封装区没有有机材料蒸镀即可。

请继续参考图1和图2，在本申请实施例中，所述精密掩膜板11还包括有效区13，所述有效区13中具有第二图案130。其中，所述第二图案130对应AMOLED显示面板的有源区(AA区)需要形成的结构，即通过所述第二图案130，可以在AMOLED显示面板的有源区(AA区)上蒸镀形成相应的结构。

优选的，所述第一图案120与所述第二图案130相同，由此可以省去对于所述第一图案120的设计步骤。较佳的，所述第一图案120与所述第二图案130同时形成，由此，可以简化工艺，降低生产成本。在本申请实施例中，所述第一图案120与第二图案130均通过全刻蚀工艺形成。通过全刻蚀工艺可以方便的一次性形成所需要的图案。在本申请的其他实施例中，所述第一图案120与第二图案130也可通过多次半刻蚀工艺形成，对此本申请不作限定。

在本申请实施例中，所述精密掩膜板11的材料也为金属，例如，所述精密掩膜板11的材料可以为镍、钼、铬、铂或者锡中的一种或多种。进一步的，其厚度为10μm～100μm，例如，所述精密掩膜板11的厚度可以为10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、40μm、60μm、80μm或者100μm等。

【实施例二】

请参考图3和图4，其中，图3为本实用新型实施例二的掩膜板的主视示意图；图4为本实用新型实施例二的精密掩膜板的俯视示意图。如图3和图4所示，所述掩膜板2包括：支撑掩膜板20；及精密掩膜板21，所述精密掩膜板21位于所述支撑掩膜板20上，所述精密掩膜板21包括过渡区22，所述过渡区22中具有第一图案220，所述第一图案220包括通孔，所述过渡区22与所述支撑掩膜板20对应。在本申请实施例中，所述过渡区22与所述支撑掩膜板20对应主要指在使用时，所述支撑掩膜板20位于所述过渡区22正下方。

在本申请实施例中，所述支撑掩膜板20的材料为金属，例如，所述支撑掩膜板20的材料可以为镍、钼、铬、铂或者锡中的一种或多种。进一步的，其厚度为10μm～100μm，例如，所述支撑掩膜板20的厚度可以为10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、40μm、60μm、80μm或者100μm等。

较佳的，所述支撑掩膜板20未经过刻蚀工艺，即所述支撑掩膜板20上没有图案形成。在本申请的其他实施例中，所述支撑掩膜板20也可经过刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括半刻蚀工艺或者全刻蚀工艺。当所述支撑掩膜板20采用了全刻蚀工艺时，所形成的图案与第一图案220错开。在此，只要通过所述支撑掩膜板20可以起到阻挡有机材料蒸镀到AMOLED显示面板的有源区(AA区)之间的过渡区的目的即可，即能够防止AMOLED显示面板的IC搭接区和封装区没有有机材料蒸镀即可。

在本申请实施例中，所述通孔的数量为一个或者多个。进一步的，所述通孔的形状为方形、圆形或者三角形等规则或者不规则的形状。优选的，所述通孔的最大截面宽度为10μm～100μm，即，若所述通孔的形状为方形，则方形通孔的长边为10μm～100μm；若所述通孔的形状为圆形，则圆形通孔的直径为10μm～100μm；若所述通孔的形状为三角形，则三角形通孔的最长一条边为10μm～100μm。请继续参考图4，在此，精密掩膜板21上示出了两个过渡区22，每个过渡区22中均具有第一图案220，每个第一图案220包括两个通孔。在此，该两个通孔的形状均为方形，更具体的，均为长方形。

请继续参考图3和图4，在本申请实施例中，所述精密掩膜板21还包括有效区23，所述有效区23中具有第二图案230。其中，所述第二图案230对应AMOLED显示面板的有源区(AA区)需要形成的结构，即通过所述第二图案230，可以在AMOLED显示面板的有源区(AA区)上蒸镀形成相应的结构。

在本申请实施例中，所述第一图案220亦可与所述第二图案230同时形成，由此，可以简化工艺，降低生产成本。进一步的，所述第一图案220与第二图案230均通过全刻蚀工艺形成。通过全刻蚀工艺可以方便的一次性形成所需要的图案。在本申请的其他实施例中，所述第一图案220与第二图案230也可通过多次半刻蚀工艺形成，对此本申请不作限定。

进一步的，所述精密掩膜板21材料也为金属，例如，所述精密掩膜板21的材料可以为镍、钼、铬、铂或者锡中的一种或多种。进一步的，其厚度为10μm～100μm，例如，所述精密掩膜板21的厚度可以为10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、40μm、60μm、80μm或者100μm等。

综上可见，在本实用新型实施例提供的掩膜板中，通过所述精密掩膜板包括过渡区，所述过渡区中具有第一图案，所述第一图案包括通孔，即所述过渡区中存在镂空的部分，由此可以提高掩膜板的应力分散效果。进一步的，通过还包括支撑掩膜板，所述过渡区与所述支撑掩膜板对应，从而通过所述支撑掩膜板可以起到阻挡有机材料蒸镀到AMOLED显示面板的有源区(AA区)之间的过渡区的目的了。

上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。