1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
所述衬底基板上依次设置有栅极金属图形、栅绝缘层和钝化层，所述栅极金属图形包括栅极引线；
所述钝化层上设置有公共电极，所述公共电极与所述栅极引线电连接；
所述公共电极上设置有金属层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述钝化层和所述栅绝缘层上设置有贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层的过孔，所述过孔位于所述栅极引线上方且通过一次构图工艺形成；
所述公共电极包括位于所述过孔中的第一子电极和位于所述过孔外的第二子电极，所述第一子电极通过所述过孔与所述栅极引线电连接；
所述第一子电极上设置有所述金属层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述衬底基板上依次设置有所述栅极金属图形、所述栅绝缘层、有源层、像素电极、源漏极图形、所述钝化层、所述公共电极和所述金属层，所述源漏极图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形还包括：栅极。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述衬底基板上依次设置有所述栅极金属图形、所述栅绝缘层、有源层、源漏极图形、像素电极、所述钝化层、所述公共电极和所述金属层，所述源漏极图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形还包括：栅极。
5.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板，其特征在于，
所述金属层为厚度为150埃的钼层，或者所述金属层为厚度为700埃的铝层，或者所述金属层为厚度为300埃的钼层。
6.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板，其特征在于，
所述公共电极为厚度为700埃的氧化铟锡ITO层。
7.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板，其特征在于，
所述栅极金属图形为厚度为800埃的钼层，或者所述栅极金属图形为厚度为3000埃的铝层。
8.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素电极为厚度为700埃的ITO层。
9.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，
所述源漏极图形为厚度为150埃的钼层，或者所述源漏极图形为厚度为3000埃的铝层，或者所述源漏极图形为厚度为800埃的钼层。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：权利要求1至9任一所述的阵列基板。