阵列基板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及液晶显示器制造领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术：

目前的液晶显示器中，对于面板中公共电极的设置有多种情况，其中一种是将公共电极和像素电极都设置于阵列基板上的情况，例如高级超维场开关(英文：Advanced-Super Dimensional Switching；简称：ADS)技术。ADS技术是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转。为了进一步提高开口率，进而提高面板的透过率，高开口率(High opening rate)HADS技术被广泛采用。HADS技术在ADS技术的基础上将公共电极和像素电极的位置对调，即HADS型液晶显示器的公共电极在像素电极的上方。

现有技术中，为了解决HADS型液晶显示器的公共电极电阻不均时引起的液晶显示屏画面泛绿的问题即Greenish现象，通常会在衬底基板的数据引线区的公共电极的下方沉积一层金属层以减小公共电极的电阻。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

实际应用中，在数据引线区的公共电极下方沉积金属层时，如果发生金属溅落、电弧放电或者微粒过高(即在沉积金属层前或沉积金属层的过程中杂质微粒过高会引起金属的短路或者开路)的情况，需要将沉积的金属层进行剥离，由于该金属层与栅极引线连接，那么对金属层进行剥离时，会使栅极引线受损，导致阵列基板在使用过程中线不良高发。

技术实现要素：

为了解决现有技术中对金属层进行剥离时，会使栅极引线受损，导致阵列基板在使用过程中线不良高发的问题，本实用新型实施例提供了一种阵列基板及显示装置。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种阵列基板，包括：

衬底基板；

所述衬底基板上依次设置有栅极金属图形、栅绝缘层和钝化层，所述栅极金属图形包括栅极引线；

所述钝化层上设置有公共电极，所述公共电极与所述栅极引线电连接；

所述公共电极上设置有金属层。

可选的，所述钝化层和所述栅绝缘层上设置有贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层的过孔，所述过孔位于所述栅极引线上方且通过一次构图工艺形成；

所述公共电极包括位于所述过孔中的第一子电极和位于所述过孔外的第二子电极，所述第一子电极通过所述过孔与所述栅极引线电连接；

所述第一子电极上设置有所述金属层。

可选的，所述衬底基板上依次设置有所述栅极金属图形、所述栅绝缘层、有源层、像素电极、源漏极图形、所述钝化层、所述公共电极和所述金属层，所述源漏极图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形还包括：栅极。

可选的，所述衬底基板上依次设置有所述栅极金属图形、所述栅绝缘层、有源层、源漏极图形、像素电极、所述钝化层、所述公共电极和所述金属层，所述源漏极图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形还包括：栅极。

可选的，所述金属层为厚度为150埃的钼层，或者所述金属层为厚度为700埃的铝层，或者所述金属层为厚度为300埃的钼层。

可选的，所述公共电极为厚度为700埃的氧化铟锡ITO层。

可选的，所述栅极金属图形为厚度为800埃的钼层，或者所述栅极金属图形为厚度为3000埃的铝层。

可选的，所述像素电极为厚度为700埃的ITO层。

可选的，所述源漏极图形为厚度为150埃的钼层，或者所述源漏极图形为厚度为3000埃的铝层，或者所述源漏极图形为厚度为800埃的钼层。

第二方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一方面任一所述的阵列基板。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

本实用新型实施例提供的阵列基板及显示装置，由于周边布线区上，公共电极与栅极引线电连接，且金属层形成于公共电极上方，在需要将该金属层剥离时，由于公共电极的材料特性，不会被剥离金属层时所用的刻蚀液刻蚀，从而保护了公共电极下方的栅极引线，避免了栅极引线受损。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图3是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；

图4是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，如图1所示，包括：

衬底基板101。

该衬底基板101上依次设置有栅极金属图形102、栅绝缘层103和钝化层104，该栅极金属图形102包括栅极引线102a。

该钝化层104上设置有公共电极105，该公共电极105与栅极引线102a电连接。

该公共电极105上设置有金属层106。

综上所述，本实用新型实施例提供的阵列基板，由于公共电极与栅极引线电连接，金属层设置在公共电极上方，在需要将该金属层剥离时，由于公共电极的材料特性，剥离金属层时所用的弱酸刻蚀液对公共电极的刻蚀影响较小，从而保护了公共电极下方的栅极引线，避免了栅极引线受损。

进一步的，如图1所示，钝化层104和栅绝缘层103上设置有贯穿该钝化层104和该栅绝缘层103的过孔H，该过孔H位于所述栅极引线102a上方，并且该过孔H通过一次构图工艺形成，需要说明的是，该栅极引线102a和栅极102b是在一次构图工艺中形成的，该栅极引线102a与栅极102b属于同一层，栅极引线102a与栅极102b绝缘；在钝化层104上设置有公共电极105，该公共电极105包括位于过孔H中的第一子电极105a和位于过孔H外的第二子电极105b，该第一子电极105a通过过孔H与栅极引线102a电连接，由于该栅极引线102a与公共电极电连接，因此该栅极引线102a可以视为公共电极线；该第一子电极105a上设置有金属层106。需要说明的是，先在栅极引线102a上方的过孔H中设置公共电极105，再在过孔H中的公共电极105上方设置金属层106，在需要将金属层106剥离时，由于公共电极105通常采用氧化铟锡(英文：Indium Tin Oxide；简称：ITO)、氧化铟锌(英文：Indium zinc oxide；简称：IZO)等金属氧化物制成，而金属层通常采用金属铝或钼制成，在剥离金属层106时，通常采用弱酸刻蚀液对金属层进行刻蚀，该弱酸刻蚀液对半导体氧化物的刻蚀影响较小，因此公共电极105被刻蚀金属铝或钼的弱酸刻蚀液刻蚀的程度较小，从而保护了公共电极下方的栅极引线102a，避免了栅极引线102a受损，本实用新型实施例提供的阵列基板与现有技术相比，既没有增加工艺流程，也起到了保护栅极引线的作用。

实际应用中，阵列基板上各个膜层的设置位置可以按照实际情况进行调整，例如，既可以在衬底基板101上先设置像素电极109、再设置源漏极图形108，也可以在衬底基板101上先设置源漏极图形108、再设置像素电极109。本实用新型实施例以以下两种设置位置为例进行说明：

第一种设置位置如图1所示，衬底基板101上可以依次设置有栅极金属图形102、栅绝缘层103、有源层107、像素电极109、源漏极图形108、钝化层104、公共电极105和金属层106，源漏极图形108包括源极108a和漏极108b，栅极金属图形102还可以包括：栅极102b。

第二种设置位置如图2所示，衬底基板101上还可以依次设置有栅极金属图形102、栅绝缘层103、有源层107、源漏极图形108、像素电极109、钝化层104、公共电极105和金属层106，源漏极图形108包括源极108a和漏极108b，栅极金属图形102还可以包括：栅极102b。

具体的，在阵列基板中形成的各膜层的材料和厚度可以如表1所示。

表1

如表1所示，可选的，金属层106可以为厚度为150埃的钼层，也可以为厚度为700埃的铝层，还可以为厚度为300埃的钼层。

可选的，公共电极105可以为厚度为700埃的ITO层。

可选的，栅极金属图形102可以为厚度为800埃的钼层，也可以为厚度为3000埃的铝层。

可选的，像素电极109可以为厚度为700埃的ITO层。

可选的，源漏极图形可以为厚度为150埃的钼层，也可以为厚度为3000埃的铝层，还可以为厚度为800埃的钼层。

综上所述，本实用新型实施例提供的阵列基板，由于公共电极与栅极引线电连接，金属层设置在公共电极上方，在需要将该金属层剥离时，由于公共电极的材料特性，剥离金属层时所用的弱酸刻蚀液对公共电极的刻蚀影响较小，从而保护了公共电极下方的栅极引线，避免了栅极引线受损。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板的制造方法，如图3所示，该方法包括：

步骤201、提供衬底基板。

步骤202、在衬底基板上依次形成栅极金属图形、栅绝缘层和钝化层，该栅极金属图形包括栅极引线。

步骤203、在钝化层上形成公共电极，该公共电极与栅极引线电连接。

步骤204、在公共电极上形成金属层。

综上所述，本实用新型实施例提供的阵列基板的制造方法，由于公共电极与栅极引线电连接，金属层设置在公共电极上方，在需要将该金属层剥离时，由于公共电极的材料特性，剥离金属层时所用的弱酸刻蚀液对公共电极的刻蚀影响较小，从而保护了公共电极下方的栅极引线，避免了栅极引线受损。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板的制造方法，如图4所示，该方法包括：

步骤301、提供衬底基板。

可选的，该衬底基板的制作材料包括玻璃、硅片、石英以及塑料等透明材料，优选为玻璃。

步骤302、在衬底基板上依次形成栅极金属图形、栅绝缘层和钝化层，该栅极金属图形包括栅极引线。

具体的，可以在衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成栅极金属层，可选的，该栅极金属图层可以为厚度为800埃的钼层，也可以为厚度为3000埃的铝层，然后对该栅极金属层通过一次构图工艺形成栅极金属图形，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离；进一步地，在栅极金属图形上，通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成栅绝缘层膜层，再对该栅绝缘层膜层通过一次构图工艺形成栅绝缘层，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离；再进一步的，在栅绝缘层上，通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成钝化层膜层，再对该钝化层膜层通过一次构图工艺形成钝化层，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

需要说明的是，在形成钝化层之前，在衬底基板上依次形成有源层、像素电极、源漏极图形，可选的，像素电极可以为厚度为700埃的ITO层，源漏极图形可以为厚度为150埃的钼层，源漏极图形也可以为厚度为3000埃的铝层，源漏极图形还可以为厚度为800埃的钼层。实际应用中，阵列基板上各个膜层的形成位置可以按照实际情况进行调整，例如，既可以在衬底基板上先形成像素电极、再形成源漏极图形，也可以在衬底基板上先形成源漏极图形、再形成像素电极。本实用新型实施例以以下两种形成位置为例进行说明：

第一种形成位置如图1所示，衬底基板101上可以依次形成有栅极金属图形102、栅绝缘层103、有源层107、像素电极109、源漏极图形108、钝化层104、公共电极105和金属层106，源漏极图形108包括源极108a和漏极108b，栅极金属图形102还可以包括：栅极102b。

第二种形成位置如图2所示，衬底基板101上还可以依次形成有栅极金属图形102、栅绝缘层103、有源层107、源漏极图形108、像素电极109、钝化层104、公共电极105和金属层106，源漏极图形108包括源极108a和漏极108b，栅极金属图形102还可以包括：栅极102b。

具体的，在阵列基板中形成的各膜层的材料和厚度可以如表1所示，此处不再做赘述。

步骤303、通过一次构图工艺在钝化层和栅绝缘层上形成贯穿钝化层和栅绝缘层的过孔，该过孔位于栅极引线上方。

具体的，可以通过一次构图工艺在位于衬底基板上的栅极引线上方的栅绝缘层和钝化层上形成过孔，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

步骤304、在钝化层上形成公共电极，该公共电极包括位于过孔中的第一子电极和位于过孔外的第二子电极，该第一子电极通过过孔与栅极引线电连接。

具体的，可以在钝化层上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成公共电极层，可选的，该公共电极层可以为厚度为700埃的ITO层，然后对该公共电极层通过一次构图工艺形成包括位于过孔中的第一子电极和位于过孔外的第二子电极的公共电极，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

步骤305、在第一子电极上形成金属层。

具体的，通过溅射的方式在第一子电极上方沉积金属材料，其中，如表1所示，该金属材料可以为钼，相应的，该金属材料的厚度可以为150埃或300埃；该金属材料还可以为铝，相应的，该金属材料的厚度可以为700埃。然后对沉积的金属材料进行一次构图工艺完成制作过程，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

综上所述，本实用新型实施例提供的阵列基板的制造方法，由于公共电极与栅极引线电连接，金属层设置在公共电极上方，在需要将该金属层剥离时，由于公共电极的材料特性，剥离金属层时所用的弱酸刻蚀液对公共电极的刻蚀影响较小，从而保护了公共电极下方的栅极引线，避免了栅极引线受损。

本实用新型实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：本实用新型实施例提供的阵列基板，该阵列基板可以为如图1或图2所示的阵列基板。

在具体实施时，本实用新型实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

综上所述，本实用新型实施例提供的显示装置，由于公共电极与栅极引线电连接，金属层设置在公共电极上方，在需要将该金属层剥离时，由于公共电极的材料特性，剥离金属层时所用的弱酸刻蚀液对公共电极的刻蚀影响较小，从而保护了公共电极下方的栅极引线，避免了栅极引线受损。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。