显示面板及显示装置的制作方法

本申请涉及显示
技术领域：
，具体地说，涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术：
：ips(in-planeswiching，平面内切换)模式以及ffs(fringefieldswitching，边缘场开关)模式的液晶显示器提供了一种广视角的液晶器件构造，将像素电极与公共电极设置于同一基板上，通过产生横向电场力以改变液晶分子的光轴在平行于基板平面内的方向角来进行液晶驱动。其中，ips和ffs模式下的单畴(onedomain)技术因其视角宽、色偏小、功耗低等优点而被广泛应用。然而，随着用户对显示屏性能的要求越来越高，单畴技术中存在的视角色偏、对比度差等缺陷越来越明显，因此双畴(twodomain)技术应运而生。双畴技术将每个像素区域分为两个畴区，两个畴区的液晶相互补偿使得液晶显示器在大视角的光学性能得到很好的提高，同时双畴显示屏不需要具有视角补偿的厚偏光片，也能够满足市场对于液晶显示器越来越薄的要求。图1所示为现有的液晶显示器的双畴像素区域的结构示意图。双畴像素区域的像素电极301被设计成弯折的条状，由此，可以在一个像素区域内的不同区域产生方向不同的电场，从而使得像素区域300中不同畴的液晶分子转动到不同的方向，获得较大的视角。虽然现有的双畴结构在视角方面具有改善作用，但是存在加大的缺陷，在像素区域的两个畴区的交界处，如图1所示附图标记302所示的位置，液晶由于受到两个畴区像素电极301形成的电场在垂直方向作用力大小相同方向相反，液晶无法转动，因此，附图标记所示的位置上的液晶不能够起到改变线偏光偏振方向的作用，最终导致除了零阶灰度之外的各灰阶下，光源均无法通过上偏光片，也即，在附图标记301所示的位置上会产生一条黑线。相类似的，靠近交界处的液晶受到两个畴区的上述电极的作用力相近，液晶也会受到影响，转动困难。上述现象被称为向错(disclination)现象。图2为现有技术中双畴像素区域的向错现象示意图，在图2中示出了现有的双畴像素区域的向错现象，如图2所示，两个畴区交界处具有一定面积的黑区(向错区域)。通常，为了保证像素开口率及像素穿透率，一般会利用无树脂挡光层或金属不透光层对两个畴区的交界处进行遮挡，这就使得两个畴区的交界区域的黑态亮度提高，但对白态无贡献，从而导致液晶显示器的对比度偏低。技术实现要素：有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供一种显示面板和显示装置，以提高显示面板及显示装置的对比度，改善双畴结构显示面板和显示装置的显示性能。为了解决上述技术问题，本申请有如下技术方案：第一方面，本申请提供一种显示面板，包括：相对设置的第一基板和第二基板，所述第二基板靠近所述第一基板的一侧设置有黑矩阵，所述第一基板上设置有沿第一方向延伸并在第二方向重复排布的多条栅极线以及沿第二方向延伸并在第一方向重复排布的多条数据信号线，所述多条栅极线和所述多条数据信号线交叉限定多个子像素区域，所述第一方向和所述第二方向交叉；位于所述子像素区域内的第一电极，所述第一电极包括第一子电极、第二子电极和位于第一子电极和第二子电极之间的第三子电极，所述第三子电极包括相互连接的第一边和第二边，所述第一边和所述第二边的延伸方向的夹角小于180度，所述第一边与所述第一子电极连接，所述第二边与所述第二子电极连接；所述子像素区域包括沿所述第二方向依次设置的第一畴区、畴边界区和第二畴区，所述第一子电极位于所述第一畴区，所述第三子电极位于所述畴边界区、所述第二子电极位于所述第二畴区，所述畴边界区包括与所述栅极线平行的第一边界和第二边界，所述畴边界区的宽度为a，所述畴边界区的宽度a为所述第一边界与所述第二边界之间的距离；所述黑矩阵包括第一黑矩阵，所述第一黑矩阵在所述第一基板所在平面的正投影与所述畴边界区交叠，所述第一黑矩阵包括与所述栅极线平行的第三边界和第四边界，所述第一黑矩阵的宽度为b，所述第一黑矩阵的宽度b为所述第三边界和所述第四边界之间的距离，b1≤b≤b2，其中，b1＝-1.48+0.95a，b2＝-3.04+1.28a。第二方面，本申请提供一种显示装置，包括显示面板，该显示面板为本申请实施例所提供的显示面板。与现有技术相比，本申请所述的显示面板及显示装置，达到了如下效果：本申请所提供的显示面板及显示装置，子像素区域包括第一畴区、第二畴区和位于第一畴区和第二畴区之间的畴边界区，黑矩阵包括在第一基板所在平面的正投影与畴边界区交叠的第一黑矩阵，其中畴边界区的宽度a和第一黑矩阵的宽度b之间的关系满足b1≤b≤b2，其中，b1＝-1.48+0.95a，b2＝-3.04+1.28a，此种设计根据黑矩阵宽度b的变化对显示对比度提高的贡献变化率的影响分析，在对穿透率影响较小的前提下使得显示面板和显示装置的对比度得到提升，有利于改善双畴结构显示面板和显示装置的显示性能。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1所示为现有的液晶显示器的双畴像素区域的结构示意图；图2为现有技术中双畴像素区域的向错现象示意图；图3所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种俯视图；图4所示为图3所提供的显示面板的a-a截面图；图5所示为图3所提供的显示面板的b-b截面图；图6所示为本申请实施例所提供的显示面板中子像素区域的一种构成示意图；图7所示为本申请实施例所提供的子像素区域70中第三子电极的放大图；图8所示为第一黑矩阵投影到子像素区域的结构示意图；图9所示为将黑矩阵投影到3*3个子像素区域的结构示意图；图10所示为第一黑矩阵宽度与显示面板的对比度提升率、开口率变化率和透过率变化率之间的对应关系图；图11所示为本申请实施例中子像素区域进行显示时的效果模拟图；图12所示为本申请实施例所提供的显示面板中子像素区域的另一种构成示意图；图13所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种电路结构图；图14所示为本申请实施例所提供的第一黑矩阵的一种结构示意图；图15所示为将图14所示的第一黑矩阵投影到子像素区域的结构示意图；图16所示为本申请所提供的显示装置的一种结构示意图。具体实施方式如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置，或通过其他装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。本申请提供一种显示面板，以下通过图3和图4对本申请实施例所提供的显示面板的基本构成做简要说明。图3所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种俯视图，图4所示为图3所示显示面板的a-a截面图，参见图4，显示面板100包括相对设置的第一基板10和第二基板20，第一基板10和第二基板20之间填充有液晶30。其中，第一基板10包括第一基底11，该第一基底11由任意合适的绝缘材料制成，可以是透明的、半透明的或不透明的。在第一基底11上设置有缓冲层12，通常缓冲层12覆盖第一基底11的整个上表面。在缓冲层12的上表面设置有薄膜晶体管阵列层40。通常，薄膜晶体管阵列层40包括：位于缓冲层12上的半导体有源层25，半导体有源层25包括通过掺杂n型杂质离子或p型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域，在源极区域和漏极区域之间的区域是其中不掺杂杂质的沟道区域，半导体有源层25可通过非晶硅的结晶使非晶硅改变为多晶硅而形成，为了使非晶硅结晶，可以利用诸如快速热退火(rta)法、固相结晶(spc)法、准分子激光退火(ela)法、金属诱导结晶(mic)法、金属诱导横向结晶(milc)法或连续横向固化(sls)法等各种方法；位于半导体有源层25上方的栅极绝缘层26，栅极绝缘层26包括诸如氧化硅、氮化硅或金属氧化物的无机层，并且可以包括单层或多层；位于栅极绝缘层26上特定区域中的第一金属层21(也即栅极金属层)，作为薄膜晶体管的栅极，栅极可包括金(au)、银(ag)、铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、钯(pd)、铝(al)、钼(mo)或铬(cr)的单层或多层，或者诸如铝(al):钕(nd)合金、钼(mo):钨(w)合金的合金；位于第一金属层21上方的层间绝缘层24，层间绝缘层24可以由氧化硅或氮化硅等的绝缘无机层形成，也可以由绝缘有机层形成；位于层间绝缘层24上的第二金属层22(也即源漏极金属层)，作为薄膜晶体管的源电极27和漏电极28，源电极27和漏电极28分别通过接触孔29电连接到半导体有源层25的源极区域和漏极区域，接触孔是通过选择性地去除栅极绝缘层26和层间绝缘层24形成的；以及位于第二金属层22上的钝化层23，钝化层23可以由氧化硅或氮化硅等无机层形成，也可由有机层形成；位于钝化层上的电极层，电极层包括第一电极75和第二电极76，第一电极75和第二电极76通过绝缘层电性绝缘。通常在第二基板20上设置有支撑柱84，支撑柱84位于第一基板10和第二基板20之间。需要说明的是，图4给出的实施例是以顶栅结构的薄膜晶体管为例进行说明的，在本发明的其他实施例中，还可以是设置为底栅结构的薄膜晶体管。图5所示为图3所示显示面板的b-b截面图，图6所示为本申请实施例所提供的显示面板中子像素区域的一种构成示意图，图7所示为本申请实施例所提供的子像素区域70的一种局部放大图，图8所示为将第一黑矩阵投影到子像素区域的结构示意图，图9所示为将黑矩阵投影到3*3个子像素区域的结构示意图，结合图3-图9，本申请实施例所提供的显示面板100，包括：参见图5，相对设置的第一基板10和第二基板20，第二基板20靠近第一基板10的一侧设置有黑矩阵60；再参见图3，第一基板10上设置有沿第一方向延伸并在第二方向重复排布的多条栅极线13以及沿第二方向延伸并在第一方向重复排布的多条数据信号线14，多条栅极线13和多条数据信号线14交叉限定多个子像素区域70，第一方向和第二方向交叉；参见图6，位于子像素区域70内有第一电极75，第一电极75包括第一子电极71、第二子电极72和位于第一子电极71和第二子电极72之间的第三子电极73；参见图7，第三子电极73包括相互连接的第一边731和第二边732，第一边731和第二边732的延伸方向的夹角θ小于180度；结合图6可见第一边731与第一子电极71连接，第二边732与第二子电极72连接，子像素区域70包括沿第二方向依次设置的第一畴区81、畴边界区80和第二畴区82，第一子电极71位于第一畴区81，第三子电极73位于畴边界区80、第二子电极72位于第二畴区82，畴边界区80包括与栅极线13平行的第一边界801和第二边界802，畴边界区80的宽度为a，畴边界区80的宽度a为第一边界801与第二边界802之间的距离；参见图9，黑矩阵包括第一黑矩阵61和第二黑矩阵62，第二黑矩阵62在第一基板10所在平面的正投影覆盖栅极线和数据信号线，其中第一黑矩阵61在第一基板所在平面的正投影与图6中的畴边界区80交叠；再参见图8，第一黑矩阵61包括与栅极线13平行的第三边界613和第四边界614，第一黑矩阵61的宽度为b，第一黑矩阵61的宽度b为第三边界613和第四边界614之间的距离，b1≤b≤b2，其中，b1＝-1.48+0.95a，b2＝-3.04+1.28a。具体地，参见图3本申请实施例所提供的显示面板100中，多条栅极线13和多条数据信号线14交叉限定多个子像素区域70；再参见图6，各子像素区域70包括第一畴区81、第二畴区82和位于第一畴区81和第二畴区82之间的畴边界区80，其中第一畴区81内设置有第一电极75，畴边界区80内设置有第三子电极73，第二畴区82内设置有第二子电极72，第一子电极71、第三子电极73和第二子电极72顺次连接组成第一电极75，其中，参见图7，第三子电极73呈弯折的条状，第三子电极73中相互连接的第一边731和第二边732的延伸方向形成小于180度的夹角θ；参见图8，黑矩阵包括在第一基板10所在平面的正投影与畴边界区80交叠的第一黑矩阵61；申请人通过无数次试验及测量，例如，当将畴边界区的宽度取为a＝8um时，模拟得出图10的曲线图，图10所示为第一黑矩阵宽度与显示面板的对比度提升率、开口率变化率和透过率变化率之间的对应关系图，子像素区域70发光时的显示效果图可参见图11，图11所示为本申请实施例中子像素区域进行显示时的效果模拟图，表1示出了当畴边界区80的宽度a＝8um时，第一黑矩阵61的宽度b和cr提升率、ar以及tr变化率之间的对应关系表，其中，cr(contrastratio)代表对比度，ar(apertureratio)代表开口率，tr(transparence)代表透过率，结合图10和表1，当畴边界区80的宽度a＝8um时，随着第一黑矩阵61的宽度b的增加，cr提升率逐渐增加，ar变化率和tr变化率也逐渐增加，即ar和tr都呈现损耗趋势。表2示出了根据表1获得的第一黑矩阵宽度b增加情况与cr提升率增加量、ar和tr损耗量的对应关系表，参见表2，当b从3.5um变化到6.12um时，提升0.864％的cr需要损失2.6％的ar，即每提升0.1％cr需要损失0.3％的ar；当b从6.12um变化到7.2um时，提升0.055％的cr需要损失1.2％的ar，即每提升0.1％cr需要损失2.18％的ar；以及从7um变化到7.2um时，cr呈增加趋势，ar损耗量和tr损耗量均较小，都在1％以下；而当b从7.2um变化到10.5um，提升0.104％的cr需要损失3.4％的ar，即每提升0.1％cr需要损失3.26％的ar；以及从10.5um变化到14um时，虽然cr呈增加趋势，但ar和tr的损耗加剧，且损耗量均在2.9％以上，例如，当b从10.5um变化到14um，提升0.08％的cr需要损失4％的ar，即每提升0.1％cr需要损失5％的ar。因此，结合实际中开口率、透过率和对比度的要求，当第一黑矩阵61的宽度b的值为6.12um≤b≤7.2um，此时cr提升率逐渐增加，当第一黑矩阵61的宽度b的值为7.2um时，cr提升率接近峰值，同时开口率ar和透过率tr均呈现较小下降的趋势。当第一黑矩阵61的宽度增加至7.2um时，若继续增大第一黑矩阵61的宽度b，cr的提升率虽然会继续增大，显示面板的开口率和穿透率的下降趋势将会更加明显，将会造成开口率和穿透率的极大损耗。因此，当畴边界区的宽度a＝8um时，第一黑矩阵61的宽度b的值为6.12um≤b≤7.2um，能够有效提升cr，同时对穿透率和开口率的损耗较小。表1第一黑矩阵宽度b与cr提升率、ar和tr变化率对应关系表表2第一黑矩阵宽度b增加情况与cr提升率增加量、ar和tr损耗量对应关系表类似地，当将畴边界区的宽度取为其他不同值时，对应都能得到类似于图10所示的模拟曲线，当a＝5um时，第一黑矩阵的宽度在3.27um至3.36um之间时，显示面板的对比度提升率接近峰值；当a＝6.5um时，第一黑矩阵的宽度在4.69um至5.28um之间时，显示面板的对比度提升率接近峰值；当a＝10um时，第一黑矩阵的宽度在8.02um至9.76um之间时，显示面板的对比度提升率接近峰值；当a＝12.5um时，第一黑矩阵的宽度在10.4um至12.96um之间时，显示面板的对比度提升率接近峰值；当a＝14um时，第一黑矩阵的宽度在11.82um至14.88um之间时，显示面板的对比度提升率接近峰值；综合以上畴边界区的宽度和第一黑矩阵的宽度，得到下表3，表3给出了当畴边界区80的宽度a取值5，6.5，8，10，12.5，14(单位：um)时a与和第一黑矩阵61的宽度b的取值范围之间的数值对应关系，其中b1是需要明显提升足够显示对比度时的第一黑矩阵61的宽度最小值，b2第一黑矩阵61的宽度最大值(达到此宽度后第一黑矩阵61宽度的提升不会带来较大显示对比度的提升)。表3畴边界区宽度与第一黑矩阵宽度对应关系表a(um)56.581012.514b1(um)3.274.696.128.0210.411.82b2(um)3.365.287.29.7612.9614.88通过分析发现，当显示面板的对比度得到有效提升时，每个子像素区域中畴边界区80的宽度a和第一黑矩阵的宽度最小值b1(需要明显提升足够显示对比度时的第一黑矩阵61的宽度最小值)大致呈线性的关系，每个子像素区域中畴边界区80的宽度a和第一黑矩阵的宽度最大值b2(达到此宽度后第一黑矩阵61宽度的提升不会带来较大显示对比度的提升)呈线性的关系，满足b1＝-1.48+0.95a，b2＝-3.04+1.28a。基于以上分析，得到：畴边界区80的宽度a和第一黑矩阵61的宽度b之间的关系满足b1≤b≤b2，b1＝-1.48+0.95a，b2＝-3.04+1.28a，此种设计使得显示面板100的对比度得到提升。申请人通过无数次试验及测量，发现当显示面板的对比度得到有效提升时，每个子像素区域中畴边界区的宽度a和第一黑矩阵的最小宽度b1呈线性的关系，每个子像素区域中畴边界区的宽度a和第一黑矩阵的最大宽度b2也呈线性的关系，随着第一黑矩阵的宽度的增加，对比度的提升率也逐渐增加，当对比度提升率接近峰值时，随着第一黑矩阵宽度的增加虽然对比度提升率仍有提升，但会极大损耗开口率和透过率，按照b1≤b≤b2，b1＝-1.48+0.95a，b2＝-3.04+1.28a来设置畴边界区的宽度和第一黑矩阵的宽度时，使得对比度的提升达到最佳范围，而且还能够减小开口率的下降。此种设计根据黑矩阵宽度b的变化对显示对比度提高的贡献变化率的影响分析，在对穿透率影响较小的前提下使得显示面板和显示装置的对比度得到提升，有利于改善双畴结构显示面板和显示装置的显示性能。可选地，再参见图6和图7，本申请中畴边界区80的宽度5um≤a≤14um。第三子电极73中的第一边731和第二边732的延伸方向的夹角为θ，120°≤θ≤140°。由于本申请中畴边界区80的宽度a的大小与第一边731和第二边732的长度以及第一边731和第二边732之间的夹角的大小有关，当将第三子电极73中第一边731和第二边732之间的夹角设计在时120°≤θ≤140°时，通过控制第一边731和第二边的732的长度，可使得畴边界区80的宽度a满足5um≤a≤14um时。本申请中5um≤a≤14um，120°≤θ≤140°，能够将第一畴区81和第二畴区82明显区分，避免外力划过显示面板表面时在显示面板上出现黑的且长时间不消失的尾迹，而且此种设计还有利于保证畴边界区所呈现的黑态不太明显。需要说明的是，根据不同显示面板产品中子像素区域的尺寸情况，畴边界区的宽度a的取值可灵活进行设定。可选地，请继续参见图7，本申请另一实施例中第三子电极73中第一边731和第二边732的长度相等且均为l，第一边731和第二边732的角平分线的延伸方向为第一方向，a＝2l*sin(θ/2)。从图7可看出，第三子电极73中第一边731和第二边732之间的夹角为θ，该夹角的角平分线的延伸方向正好为第一方向，第一边731和第二边732的一端相连，若将第一边731和第二边732的另一端相连形成的第三边所在直线将与第一边731和第二边732的角平分线垂直，且该第三边的长度即为畴边界区80的宽度a，且a＝2l*sin(θ/2)。具体地，本申请将第三电极73中第一边731和第二边732的长度设置为相等，且将第一边731和第二边732的角平分线的延伸方向设置为第一方向，此种设置方式较为规则，更加便于生产，有利于提高生产效率。可选地，本申请又一实施例如图6所示，第一子电极71和第二子电极72为直条状，第一子电极71的延伸方向与第三子电极73中第一边731的延伸方向相同，第二子电极72的延伸方向与第三子电极73中第二边732的延伸方向相同。具体地，请继续参见图6，图6所示实施例中，与第三子电极73中的第一边731和第二边732分别连接的第一子电极71和第二子电极72均为直条状，而且第一子电极71位于第一边731的延伸方向，第二子电极72位于第二边732的延伸方向，也就是说第一子电极71与第一边731位于一条直线上，第二子电极72与第二边732位于一条直线上，采用此种设计，在制作第一电极75的过程中，无需考虑第一子电极71与第一边731的夹角，将第一子电极71与第一边731制作到一条直线上即可，也无需考虑第二子电极72与第二边732的夹角，将第二子电极72与第二边732制作到一条直线上即可，节省了测量第一电极75与第一边731之间夹角以及第二电极与第二边732之间夹角的工序，因此有利于提升第一电极75的制作效率，进而有利于提升显示面板100的制作效率。可选地，图12所示为本申请实施例所提供的显示面板中子像素区域的另一种构成示意图，图12所示实施例中，第一子电极71和第二子电极72为直条状，第一子电极71的延伸方向与第三子电极73中第一边731的延伸方向相交，第二子电极72的延伸方向与第三子电极73中第二边732的延伸方向相交。与图6所示实施例不同地，图12所示实施例中第一子电极71和第一边731的延伸方向相交，二者并不在一条直线上，第二子电极72和第二边732的延伸方向相交，二者并不在一条直线上，采用此种方式时，依然能够通过畴边界区80明显区分第一畴区81和第二畴区82，并不会对每个像素区域的正常显示造成影响，只要使得畴边界区80的宽度a和第一黑矩阵的宽度b之间的关系满足b1≤b≤b2，其中，b1＝-1.48+0.95a，b2＝-3.04+1.28a即可，同样有利于提升本申请显示面板的对比度，有利于提升显示面板的显示效果。可选地，参见图8，本申请实施例所提供的显示面板100中，与每个子像素区域70对应的第一黑矩阵61的宽度相等，由于同一显示面板100上各子像素区域70通常都是采用相同的工艺制作的，当将与每个子像素区域70对应的第一黑矩阵61的宽度设计为相等时，这就使得每个子像素区域70所对应的对比度均相等，具体参见图9，第一黑矩阵61宽度相等的前提下，每个子像素区域的设计基本一样，因此有利于保证显示面板100的显示均一性。可选地，请参见图4，子像素区域70内还设置有第二电极76，第二电极76和第一电极75相对设置，第一电极75和第二电极76之间通过绝缘层电性绝缘。具体地，请参见图4，本申请实施例所提供的显示面板100中包括相对设置且电性绝缘的第一电极75和第二电极76，在分别向第一电极75和第二电极76施加电压时，在第一电极75和第二电极76之间将产生驱动第一基板10和第二基板20之间的液晶30发生偏转的驱动电压，以实现显示面板100的图像显示。可选地，图13所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种电路结构图，结合图4和图13，本申请实施例中的第一电极75为像素电极，第二电极76为公共电极；子像素区域70还包括位于第一基板10上的薄膜晶体管90，位于同一行的薄膜晶体管90的栅极连接同一栅极线13，位于同一列的薄膜晶体管90的第一极连接同一数据信号线14，各薄膜晶体管90的第二极分别与对应子像素区域70中的像第一电极75电连接。请继续参见图13，在需要对某行的子像素区域70进行驱动时，与该行子像素区域70中各薄膜晶体管90的栅极连接的栅极线13将接收电平信号，使得该行薄膜晶体管90导通，导通的薄膜晶体管90将通过其第一极接收数据信号线14所发送的数据信号，再通过第二极将数据信号提供至各像素电极，向像素电极施加像素电压，与此同时，公共电极还会接收到公共电压，如此，像素电压和公共电压将会在第一电极75和第二电极之间形成驱动电压，以驱动第一基板10和第二基板20之间的液晶发生偏转。可选地，请参见图14，图14所示为本申请实施例所提供的第一黑矩阵的一种结构示意图，图15所示为将图14所示的第一黑矩阵投影到子像素区域的结构示意图，与图8中第一黑矩阵为矩形的实施例相比，图14中，第一黑矩阵61的形状为鱼骨状，包括弯折状区域63和直线状区域64，第一黑矩阵的弯折状区域63在第一基板所在平面的一部分正投影与第三子电极73在第一基板所在平面的正投影重叠，第一黑矩阵61的弯折状区域63在第一基板所在平面的正投影的另一部分与相邻第三子电极73的中间部分区域重叠，第一黑矩阵的直线状区域64在第一基板所在平面的正投影的延伸方向为第一方向。具体地，本申请将第一黑矩阵的形状设置为如图14所示的鱼骨状，而且弯折区域63和第三子电极73对应设置，参见图14和图15，弯折区域63在第一基板所在平面的一部分正投影与第三子电极73在第一基板所在平面的正投影重叠，另一部与相邻第三子电极的中间部分区域重叠。在白态显示情况下，当液晶受到相邻第三子电极的电场作用力相当时，液晶将不发生旋转，此部分液晶对应的区域将呈现黑态，因此第三子电极所覆盖的区域以及相邻第三子电极的中间部分区域将呈现黑态，本申请第一黑矩阵的弯折区域63将第三子电极73覆盖同时将相邻第三子电极中间部分区域覆盖时，也就是将在白态显示情况下的黑态区域覆盖，这就就使得在显示过程中，相邻第三电极中间的另一部分区域仍能发亮；鱼骨状的第一黑矩阵61仅将白态显示情况下不亮的部分进行遮挡，发亮的部分并未被遮挡，如此将有更多光线穿过显示面板，因此第一黑矩阵采用鱼骨状的设计方式有利于提高白态显示情况下显示面板的开口率，从而有利于提高显示面板的对比度。可选地，请参见图9，本申请中的黑矩阵还包括第二黑矩阵62，第二黑矩阵62在第一基板10所在平面的正投影覆盖栅极线和数据信号线。具体地，形成与第二基板20上的黑矩阵中，除包括与各子像素区域70对应的第一黑矩阵61外，还包括第二黑矩阵62，第二黑矩阵62在第一基板10所在平面的正投影将第一基板10上的栅极线和数据信号线等不进行显示的区域进行覆盖，以避免对显示面板100的正常显示造成影响，并有利于提高显示面板100的开口率。基于同一发明构思，本申请还提供一种显示装置，图15所示为本申请所提供的显示装置的一种结构示意图，该显示装置200包括显示面板100，其中显示面板100为本申请所提供的显示面板100。本申请所提供的显示装置200可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有现实功能的产品或部件。本申请中显示装置200的实施例可参见上述显示面板100的实施例，重复之处此处不再赘述。通过以上各实施例可知，本申请存在的有益效果是：本申请所提供的显示面板及显示装置，子像素区域包括第一畴区、第二畴区和位于第一畴区和第二畴区之间的畴边界区，黑矩阵包括在第一基板所在平面的正投影与畴边界区交叠的第一黑矩阵，其中畴边界区的宽度a和第一黑矩阵的宽度b之间的关系满足b1≤b≤b2，其中，b1＝-1.48+0.95a，b2＝-3.04+1.28a，此种设计根据黑矩阵宽度b的变化对显示对比度提高的贡献变化率的影响分析，在对穿透率影响较小的前提下使得显示面板和显示装置的对比度得到提升，有利于改善双畴结构显示面板和显示装置的显示性能。上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。当前第1页12