技术特征：
技术总结
本发明公开了一种超衍射极限的纳米图形的制作方法，包括：在衬底上生长双层相变材料；在所述双层相变材料膜层上选择合适的步进进行激光直写；在所述样品上移动上述1/2步进后再次进行激光直写；将上层相变材料去除；对样品进行正胶显影或者负胶显影得到超越衍射极限的纳米图形。根据本发明的纳米图形的制作方法，首先利用上层相变材料与下层相变材料的阈值差异，造成上层与下层之间的相变区域的突变，减小了下层相变的体积，利用该突变制备超越衍射极限的纳米图形，其次材料对高能量激光的非线性吸收特性使作用于下层相变材料的激光能量分布更加集中，进而减小图形的尺寸。
技术研发人员：张子旸;王旭;王美芳;刘永刚
受保护的技术使用者：江苏点晶光电科技有限公司
技术研发日：2017.11.27
技术公布日：2018.05.15