本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种COA型阵列基板。
背景技术：
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕和笔记本电脑屏幕等。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。传统的液晶面板的结构是由一彩色滤光片基板(Color Filter)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
COA(Color Filter on Array)技术是将彩色滤光层制备在阵列基板上的技术，以形成COA型阵列基板。由于COA结构的液晶显示面板不存在彩色滤光片基板与薄膜晶体管阵列基板的对位问题，因此可以降低液晶显示面板制备过程中对盒制程的难度，避免了对盒时的误差，进而提高生产良率，提升面板品质。
COA型阵列基板中的图形化电极主要包括第一金属层(M1)、第二金属层(M2)、透明导电层(ITO)，在同层的分离电极图案之间，通常需要保持安全距离以防止出现短接/短路(short)，所述安全距离视尺寸分辨率等而定，一般为5μm左右，然而，即便采取了一定的技术手段，现有的COA型阵列基板中还是会经常发生电极图形化残留的问题(Issue)，这种情况更常见于透明导电层(ITO)中。
图1为现有的COA型阵列基板的剖视示意图，图2为现有的COA型阵列基板中的透明导电层与彩色色阻层在水平方向的相对位置关系示意图，图3为现有的COA型阵列基板的俯视示意图；如图1至图3所示，所述COA型阵列基板包括衬底基板100、设于所述衬底基板100上的TFT层200、设于所述TFT层200上的彩色色阻层300、设于所述彩色色阻层300上的透明导电层400；所述透明导电层400包括间隔设置且呈阵列排布的数个像素电极410、位于数个像素电极410的间隔区域500且与所述数个像素电极410不相连的第一遮光公共电极420，所述COA型阵列基板与具有整面公共电极的CF基板对组形成液晶面板后，所述液晶面板显示画面时，所述第一遮光公共电极420上的电位与所述CF基板上的整面公共电极的电位相同，因此位于第一遮光公共电极420的位置的液晶分子两侧的电压为零，该区域的液晶分子不会发生转动，使得该区域一直维持暗态，从而避免像素间隔区域500漏光。
所述数个像素电极410之间的间隔区域500包括垂直交叉排列的数条水平间隔区域510与数条竖直间隔区域520，所述第一遮光公共电极420包括垂直交叉排列的数条横向电极4210与数条纵向电极4220，所述数条横向电极4210分别位于数条水平间隔区域510内，所述数条纵向电极4220分别位于数条竖直间隔区域520内；
所述彩色色阻层300包括间隔设置的数个色阻单元310，所述数个色阻单元310分别与数个像素电极410上下对应，且所述数个色阻单元310的外边缘分别超出所述数个像素电极410的外边缘，由于色阻单元310的厚度较大，因此所述COA型阵列基板上对应于色阻单元310外边缘的位置容易出现较大的地形段差，因此在所述彩色色阻层300上制作金属氧化物材料的透明导电层400时，光刻胶容易在对应于色阻单元310外边缘的位置沉积形成厚膜，经过曝光显影也无法将其去除(即曝光不完全)，导致光刻胶下方的金属氧化物无法被蚀刻去除，最终在像素电极410的侧边出现金属氧化物残留线600，当所述金属氧化物残留线600连接所述像素电极410与所述第一遮光公共电极420中的横向电极4210时，就会出现像素电极410的电信号无法控制的情况。
如图3所示，所述TFT层200包括第一金属层2130，所述第一金属层2130包括沿像素电极410周边设置的框形电极21310，所述框形电极21310设于所述色阻单元310的内侧，即所述色阻单元310的外边缘超出所述框形电极21310的外边缘，如此会提高所述色阻单元310的外边缘的Taper角，使得所述色阻单元310外边缘的金属氧化物残留的情况更加严重，因此有必要采取一种方法以解决该技术问题。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种COA型阵列基板，不会出现像素电极的电信号无法控制的情况。
为实现上述目的，本发明提供一种COA型阵列基板，包括衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的彩色色阻层、设于所述彩色色阻层上的透明导电层；
所述透明导电层包括间隔设置且呈阵列排布的数个像素电极、位于数个像素电极的间隔区域内且与所述数个像素电极不相连的第一遮光公共电极；
所述彩色色阻层包括间隔设置的数个色阻单元，所述数个色阻单元分别与数个像素电极上下对应，且所述数个色阻单元的外边缘分别超出所述数个像素电极的外边缘；
所述TFT层包括设于所述衬底基板上的第一金属层、设于所述第一金属层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层、设于所述有源层上的第二金属层、设于所述第二金属层上的钝化层；所述第一金属层包括栅极、扫描线、第二遮光公共电极，所述第二金属层包括源极、漏极、数据线；所述第二遮光公共电极包括沿像素电极周边设置的框形电极；
所述色阻单元的外边缘的全部或者一部分位于所述第一金属层和/或第二金属层上。
所述数个像素电极之间的间隔区域包括垂直交叉排列的数条水平间隔区域与数条竖直间隔区域，所述第一遮光公共电极包括垂直交叉排列的数条横向电极与数条纵向电极，所述数条横向电极分别位于数条水平间隔区域内，所述数条纵向电极分别位于数条竖直间隔区域内；
所述COA型阵列基板与具有整面公共电极的CF基板对组形成液晶面板后，所述液晶面板显示画面时，所述第一遮光公共电极上的电位与所述CF基板上的整面公共电极的电位相同。
所述COA型阵列基板与具有整面公共电极的CF基板对组形成液晶面板后，所述COA型阵列基板中的第一遮光公共电极与所述CF基板上的整面公共电极电性相连。
所述扫描线与数据线相互垂直，所述横向电极平行于所述数据线，所述像素电极与色阻单元均为矩形，所述像素电极与色阻单元均具有平行于所述数据线的相对两边以及平行于所述扫描线的相对两边。
在平行于扫描线的方向上，所述色阻单元的宽度大于相邻的两条横向电极之间的间隔距离。
在平行于扫描线的方向上，所述框形电极的外边缘超出所述色阻单元的外边缘，使得所述色阻单元的外边缘中平行于扫描线的部分位于所述第一金属层上。
在平行于扫描线的方向上，所述框形电极还包括突出于所述框形电极的外边缘的数个凸起部，所述凸起部靠近扫描线一侧的外边缘超出所述色阻单元的外边缘，使得所述色阻单元的外边缘中位于所述数个凸起部上方的部分位于所述第一金属层上。
在平行于扫描线的方向上，所述色阻单元的外边缘具有凹陷部，所述凹陷部包括底边，所述凹陷部的底边位于所述框形电极上，从而使得所述色阻单元的凹陷部处的外边缘位于所述第一金属层上。
所述第二金属层包括在平行于扫描线的方向上沿所述色阻单元的外边缘分布的数个衬垫层，所述衬垫层靠近扫描线一侧的外边缘超出所述色阻单元的外边缘，使得所述色阻单元的外边缘中对应所述数个衬垫层上方的一部分位于所述第二金属层上，所述数个衬垫层与所述数据线、源极、漏极中的至少一个相连或者与所述数据线、源极、漏极均不相连。
所述第二遮光公共电极还包括位于所述框形电极内侧且垂直交叉的第一条形电极与第二条形电极，所述第一条形电极的两端分别垂直连接于所述框形电极的平行于数据线的两条侧边的内侧；所述第二条形电极的两端分别垂直连接于所述框形电极的平行于扫描线的两条侧边的内侧。
本发明的有益效果：本发明的COA型阵列基板通过将色阻单元的外边缘的全部或者一部分设于所述第一金属层和/或第二金属层上，一方面能够利用第一金属层和/或第二金属层起到垫高作用，减小所述COA阵列基板在色阻单元的外边缘位置处的地形段差，从而在对透明导电层进行图案化时，能够降低涂布于色阻单元外边缘位置的光刻胶的厚度，使其易于通过曝光显影去除掉；另外，所述第一金属层与第二金属层均具有反射特性，能够提升曝光效果，使涂布于所述色阻单元外边缘位置的光刻胶被充分曝光，并通过显影去除；本发明的COA型阵列基板通过以上两方面的效果来消除或者减少位于色阻单元外边缘的金属氧化物残留，避免出现像素电极的电信号无法控制的情况。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的COA型阵列基板中的各结构层的上下位置关系示意图；
图2为现有的COA型阵列基板中的透明导电层与彩色色阻层在水平方向的相对位置关系示意图；
图3为现有的COA型阵列基板的俯视示意图；
图4为本发明的COA型阵列基板中的各结构层的上下位置关系示意图；
图5为本发明的COA型阵列基板中的透明导电层与彩色色阻层在水平方向的相对位置关系示意图；
图6为本发明的COA型阵列基板的第一实施例的俯视示意图；
图7为本发明的COA型阵列基板的第二实施例的俯视示意图；
图8为本发明的COA型阵列基板的第三实施例的俯视示意图；
图9为本发明的COA型阵列基板的第四实施例的俯视示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图4至图9，本发明提供一种COA型阵列基板，包括衬底基板10、设于所述衬底基板10上的TFT层20、设于所述TFT层20上的彩色色阻层30、设于所述彩色色阻层30上的透明导电层40；
所述透明导电层40包括间隔设置且呈阵列排布的数个像素电极41、位于数个像素电极41的间隔区域50内且与所述数个像素电极41不相连的第一遮光公共电极42；
所述彩色色阻层30包括间隔设置的数个色阻单元31，所述数个色阻单元31分别与数个像素电极41上下对应，且所述数个色阻单元31的外边缘分别超出所述数个像素电极41的外边缘；
所述TFT层20包括设于所述衬底基板10上的第一金属层21、设于所述第一金属层21上的栅极绝缘层22、设于所述栅极绝缘层22上的有源层23、设于所述有源层23上的第二金属层24、设于所述第二金属层24上的钝化层25；所述第一金属层21包括栅极211、扫描线212、第二遮光公共电极(Shielding Metal)213，所述第二金属层24包括源极241、漏极242、数据线243；所述第二遮光公共电极213包括沿像素电极41周边设置的框形电极2131，所述框形电极2131用于对像素电极41周边的显示不良与漏光进行遮挡。
所述色阻单元31的外边缘的全部或者一部分位于所述第一金属层21和/或第二金属层24上，通过这样的结构设置，一方面能够利用第一金属层21和/或第二金属层24起到垫高作用，减小所述COA阵列基板在色阻单元31的外边缘位置处的地形段差，从而在对透明导电层40进行图案化时，能够降低涂布于色阻单元31外边缘位置的光刻胶的厚度，使其易于通过曝光显影去除掉；另外，所述第一金属层21与第二金属层24均具有反射特性，能够提升曝光效果，使涂布于所述色阻单元31外边缘位置的光刻胶被充分曝光，并通过显影去除，通过以上两方面的效果来消除或者减少位于所述色阻单元31外边缘的金属氧化物残留，避免出现像素电极的电信号无法控制的情况。
图4仅展示了所述COA型阵列基板中的各结构层的上下位置关系，所述COA型阵列基板中的各结构层在水平方向上的相对位置关系详见图5至图9。
具体的，所述数个像素电极41之间的间隔区域50包括垂直交叉排列的数条水平间隔区域51与数条竖直间隔区域52，所述第一遮光公共电极42包括垂直交叉排列的数条横向电极421与数条纵向电极422，所述数条横向电极421分别位于数条水平间隔区域51内，所述数条纵向电极422分别位于数条竖直间隔区域52内；
所述COA型阵列基板与具有整面公共电极的CF基板对组形成液晶面板后，所述液晶面板显示画面时，所述第一遮光公共电极42上的电位与所述CF基板上的整面公共电极的电位相同，因此位于第一遮光公共电极42的液晶层两侧的电压为零，该区域的液晶分子不会发生转动，使得该区域一直维持暗态，从而避免像素间隔区域50漏光。
具体的，所述COA型阵列基板与具有整面公共电极的CF基板对组形成液晶面板后，所述COA型阵列基板中的第一遮光公共电极42与所述CF基板上的整面公共电极电性相连。
具体的，所述扫描线212与数据线243相互垂直，所述横向电极421平行于所述数据线243，所述像素电极41与色阻单元31均为矩形，所述像素电极41与色阻单元31均具有平行于所述数据线243的相对两边以及平行于所述扫描线212的相对两边。
具体的，所述透明导电层40的材料包括金属氧化物，所述金属氧化物优选为氧化铟锡(ITO)。
具体的，在平行于扫描线212的方向上，所述色阻单元31的宽度大于相邻的两条横向电极421之间的间隔距离，也即是说，所述横向电极421与像素电极41之间的间隔区位于所述色阻单元31的平坦区上，因此，在制作透明导电层40的光刻制程中，所述横向电极421与像素电极41之间不容易出现金属氧化物残留。因此，在平行于横向电极421的方向上不需要对色阻单元31、第一金属层21、第二金属层24的相对位置进行调整。
具体的，所述纵向电极422的作用不在于遮光，而在于将平行排列的数条横向电极421连接在一起，在纵向电极422的所在位置液晶显示面板需要设置黑色矩阵来进行遮光，所述纵向电极422的形状为非直线型，其作用在于避开其他电极，避免与其它电极重叠形成信号干扰。
具体的，所述横向电极421的宽度大于所述纵向电极422的宽度，所述横向电极421呈直线形，且具有较大宽度，因此遮光效果较好，在横向电极421的所在位置液晶显示面板不需要设置黑色矩阵。
具体的，所述横向电极421对应设于所述TFT层20的扫描线212的上方。
具体的，所述第一金属层21、第二金属层24的厚度均为0.2-0.7μm。本发明通过采用一层或者两层0.2-0.7μm的金属层对所述色阻单元31的外边缘的位置进行垫高，能够显著减小所述COA阵列基板位于所述色阻单元31的外边缘的位置的边界处地形段差，从而消除或者减少位于所述色阻单元31外边缘的金属氧化物残留。
优选的，所述第一金属层21包括叠加在一起的铝(Al)薄膜与钼(Mo)薄膜，所述第一金属层21的厚度为0.39μm；或者所述第一金属层21包括叠加在一起的铜(Cu)薄膜与钼薄膜，所述第一金属层21的厚度为0.55μm。
优选的，所述第二金属层24包括叠加在一起的铝薄膜与钼薄膜，所述第二金属层24的厚度为0.39μm；或者所述第二金属层24包括叠加在一起的铜薄膜与钼薄膜，所述第二金属层24的厚度为0.55μm。
请参阅图6，为本发明的COA型阵列基板的第一实施例，该第一实施例中，在平行于扫描线212的方向上，所述框形电极2131的外边缘超出所述色阻单元31的外边缘，使得所述色阻单元31的外边缘中平行于扫描线212的部分位于所述第一金属层21上。该技术方案的实施手段可以为：所述色阻单元31的位置不变，将所述框形电极2131的外边缘向外延伸直至超出所述色阻单元31的外边缘，因此需要更改第一金属层21的光罩；该技术方案的实施手段也可以为：所述框形电极2131的位置不变，将所述色阻单元31的外边缘向后退至所述框形电极2131的内侧，因此需要更改彩色色阻层30的光罩；该技术方案能够避免所述色阻单元31的外边缘处出现金属氧化物残留线，避免出现像素电极的电信号无法控制的情况。对第一金属层21或彩色色阻层30的光罩的更改以不明显影响开口率(AR)和寄生电容等电学特性为前提。
具体的，所述框形电极2131的外边缘超出所述色阻单元31的外边缘的距离为1-2μm。
具体的，该第一实施例中，所述色阻单元31的外边缘还可以位于所述第二金属层24上，即在对应第一金属层21的框形电极2131的位置上方形成第二金属层24，通过所述第一金属层21与所述第二金属层24的重叠能够最大程度的减小所述色阻单元31的外边缘的地形段差。
请参阅图7，为本发明的COA型阵列基板的第二实施例，该第二实施例中，在平行于扫描线212的方向上，所述框形电极2131还包括突出于所述框形电极2131的外边缘的数个凸起部2134，所述凸起部2134靠近扫描线212一侧的外边缘超出所述色阻单元31的外边缘，使得所述色阻单元31的外边缘中对应所述数个凸起部2134上方的部分位于所述第一金属层21上。该技术方案的实施手段为：所述色阻单元31的位置不变，所述框形电极2131的部分区域的外边缘向外延伸直至超出所述色阻单元31的外边缘，因此需要更改第一金属层21的光罩。该技术方案可以避免金属氧化物在数个凸起部2134残留，使所述色阻单元31的外边缘位置的金属氧化物残留线被分割为数个不连续的片段，从而无法连接像素电极41与第一遮光公共电极42。对第一金属层21的光罩的更改以不明显影响开口率(AR)和寄生电容等电学特性为前提。
具体的，所述扫描线212对应所述数个凸起部2134的部分内陷，保证安全距离。
具体的，所述凸起部2134靠近扫描线212一侧的外边缘超出所述色阻单元31的外边缘的距离为1-2μm。
优选的，所述框形电极2131的平行于扫描线212的两条侧边上分别分布有两个凸起部2134，且所述两个凸起部2134分别位于所述侧边的首尾两端。
优选的，该第二实施例中，所述色阻单元31的外边缘还可以位于所述第二金属层24上，即在对应第一金属层21的框形电极2131的位置上方形成第二金属层24，通过所述第一金属层21与所述第二金属层24的重叠能够最大程度的减小所述色阻单元31的外边缘的地形段差。
请参阅图8，为本发明的COA型阵列基板的第三实施例，该第三实施例中，在平行于扫描线212的方向上，所述色阻单元31的外边缘具有凹陷部311，所述凹陷部311包括底边315，所述凹陷部311的底边315位于所述框形电极2131上，使得所述色阻单元31的凹陷部311处的外边缘位于所述第一金属层21上。该技术方案的实施手段为：所述框形电极2131的位置不变，所述色阻单元31的外边缘的一部分向内凹陷即可，因此需要更改彩色色阻层30的光罩。该技术方案可以避免金属氧化物在所述凹陷部311残留，使位于所述色阻单元31的外边缘处的金属氧化物残留线被分割为数个不连续的片段，从而无法连接像素电极41与第一遮光公共电极42。对彩色色阻层30的光罩的更改以不明显影响开口率(AR)和寄生电容等电学特性为前提。
具体的，所述框形电极2131的外边缘超出所述凹陷部311的底边315的距离为1-2μm。
优选的，所述框形电极2131的平行于扫描线212的两条侧边上分别分布有一个凹陷部311，且所述凹陷部311的两端分别位于所述侧边的首尾两端。
优选的，该第三实施例中，所述凹陷部311的底边315还位于所述第二金属层24上，即在对应第一金属层21的框形电极2131的位置上方形成第二金属层24，通过所述第一金属层21与所述第二金属层24的重叠能够最大程度的减小所述色阻单元31的外边缘的地形段差。
请参阅图9，为本发明的COA型阵列基板的第四实施例，该第四实施例中，所述第二金属层24包括在平行于扫描线212的方向上沿所述色阻单元31的外边缘分布的数个衬垫层245，所述衬垫层245靠近扫描线212一侧的外边缘超出所述色阻单元31的外边缘，使得所述色阻单元31的外边缘中位于所述数个衬垫层245上方的部分位于所述第二金属层24上，所述数个衬垫层245与所述数据线243、源极241、漏极242中的至少一个相连或者与所述数据线243、源极241、漏极242均不相连。该技术方案通过更改第二金属层24的光罩实现，能够避免金属氧化物在数个衬垫层245处残留，使位于所述色阻单元31的外边缘处的金属氧化物残留线被分割为数个不连续的片段，从而无法连接像素电极41与第一遮光公共电极42。对第二金属层24的光罩的更改以不明显影响开口率(AR)和寄生电容等电学特性为前提。
具体的，所述衬垫层245靠近扫描线212一侧的外边缘超出所述凹陷部311的外边缘的距离为1-2μm。
优选的，所述色阻单元31的平行于扫描线212的两条侧边上分别分布有两个衬垫层245，且所述两个衬垫层245分别位于所述侧边的首尾两端。
具体的，该第四实施例中，所述色阻单元31的外边缘还可以位于所述第一金属层21上，即在对应第二金属层24的衬垫层245下方形成第一金属层21，通过所述第一金属层21与所述第二金属层24的重叠能够最大程度的减小所述色阻单元31的外边缘的地形段差。
值得一提的是，本发明的COA型阵列基板除了对色阻单元31、第一金属层21、第二金属层24的相对位置进行调整外，还可以采用半色调光罩制程来制作彩色色阻层30，以降低色阻单元31的外边缘的Taper角，从而减轻或者消除金属氧化物残留。
具体的，所述像素电极41为米字形电极。
具体的，所述第二遮光公共电极213还包括位于所述框形电极2131内侧且垂直交叉的第一条形电极2132与第二条形电极2133，所述第一条形电极2132的两端分别垂直连接于所述框形电极2131的平行于数据线243的两条侧边的内侧；所述第二条形电极2133的两端分别垂直连接于所述框形电极2131的平行于扫描线212的两条侧边的内侧，所述第一条形电极2132与第二条形电极2133用于对像素电极41的十字形龙骨处的显示不良与漏光进行遮挡。
通常情况下，所述像素电极41的周边与十字形龙骨处的液晶分子的倒向难以控制，在像素亮态时容易出现显示不良，在像素暗态时容易出现漏光现象，本发明在所述像素电极41的周边与十字形龙骨处的对应位置设置第二遮光公共电极213后，所述第二遮光公共电极213能够通过物理遮光的方式以及控制液晶层两侧电压的方式对该区域的显示不良与漏光进行遮挡，防止出现非正常显示与漏光现象。
具体的，所述第二遮光公共电极213与所述第一遮光公共电极(42)及CF基板上的整面公共电极不相连，所述第二遮光公共电极213由公共电极线提供独立的电压信号，能够屏蔽侧向电场，并且能够控制像素电极41周边及龙骨处的液晶分子转向，消除非正常显示与漏光现象，提升显示效果。
具体的，所述透明导电层40的厚度为约40nm。
具体的，所述栅极绝缘层22与钝化层25可以为氮化硅(SiNx)薄膜。
综上所述，本发明提供一种COA型阵列基板，通过将色阻单元的外边缘的全部或者一部分设于所述第一金属层和/或第二金属层上，一方面能够利用第一金属层和/或第二金属层起到垫高作用，减小所述COA阵列基板在色阻单元的外边缘位置处的地形段差，从而在对透明导电层进行图案化时，能够降低涂布于色阻单元外边缘位置的光刻胶的厚度，使其易于通过曝光显影去除掉；另外，所述第一金属层与第二金属层均具有反射特性，能够提升曝光效果，使涂布于所述色阻单元外边缘位置的光刻胶被充分曝光，并通过显影去除；本发明的COA型阵列基板通过以上两方面的效果来消除或者减少位于色阻单元外边缘的金属氧化物残留，避免出现像素电极的电信号无法控制的情况。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。