一种中近距离半导体激光补光源的制作方法

文档序号:8411562阅读:502来源:国知局
一种中近距离半导体激光补光源的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体激光照明领域,尤其涉及一种中近距离半导体激光补光源。
【背景技术】
[0002]安防目前广泛涵盖平安城市建设、高铁建设、高速公路建设、地铁城轨、城市智能交通、大型活动、环保管理、校园监控、社区家庭。其中视频监控占有非常大的市场空间。而在视频监控中,红外照明灯作为夜间补光设备必不可少。每个摄像机往往需要配备一个、甚至多个红外照明器,其需求量极为巨大。现有技术中,适合中近距离监控补光的LED红外照明灯,手电筒效果明显,监控画面中间亮,周围暗,照明均匀性不好,影响了成像质量。同时为了平衡光衰,往往采用比实际需求功率大得多的LED芯片,以保证光衰后的能量,造成了浪费。

【发明内容】

[0003]本发明的目的:提供一种中近距离半导体激光补光源,提高了成像质量,减少耗电量,照射距离更远。
[0004]为了实现上述目的,本发明的技术方案是:
[0005]一种中近距离半导体激光补光源,包括半导体激光二极管、光束整形镜、MLA镜片及驱动电路板;所述的光束整形镜设置在所述的半导体激光二极管发光区的正前方,所述的光束整形镜通过紫外胶与所述的半导体激光二极管固定连接,所述的MLA镜片设置在所述的光束整形镜的正前方;所述的驱动电路板与所述的半导体激光二极管电连接。
[0006]上述的中近距离半导体激光补光源,其中,还包括散热器及MLA镜托,所述的半导体激光二极管、光束整形镜固定连接后与所述的MLA镜托安装在所述的散热器上,所述的MLA镜片通过所述的MLA镜托固定设置。
[0007]上述的中近距离半导体激光补光源,其中,还包括隔离罩,所述的隔离罩罩盖在MLA镜片及MLA镜托上,防止灰尘落入及MLA镜片表面划伤,所述的隔离罩的表面镀增透膜。
[0008]上述的中近距离半导体激光补光源,其中,所述的半导体激光二极管的波长范围为 650_980nm。
[0009]上述的中近距离半导体激光补光源,其中,所述的MLA镜片的角度包含0° -90°,所述的MLA镜片的角度与所选镜头相匹配。
[0010]上述的中近距离半导体激光补光源,其中,所述的MLA镜片由塑料或玻璃或合成树脂制成。
[0011]本发明用LD取代LED,整机更节能,散热量更小;电光转换效率高,超低功耗,超长使用寿命;采用MLA激光匀化技术,可以形成均匀光斑,消除手电筒效应;照射距离相对同等水平的LED更远。
【附图说明】
[0012]图1是本发明一种中近距离半导体激光补光源的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]以下结合附图进一步说明本发明的实施例。
[0014]请参见附图1所示,一种中近距离半导体激光补光源,包括半导体激光二极管1、光束整形镜2、MLA镜片3及驱动电路板4 ;所述的光束整形镜2设置在所述的半导体激光二极管I发光区的正前方,所述的光束整形镜2通过紫外胶与所述的半导体激光二极管I固定连接,所述的MLA镜片3设置在所述的光束整形镜2的正前方;所述的驱动电路板4与激光二极管电连接,提供稳定的额定工作电流。半导体激光二极管I用于发出照射激光,光束整形镜2对激光光斑进行整形,整形后光斑经过MLA镜片3进行光斑放大及匀化。不需要任何调节,保证摄像机的射出角度和本补光源角度能范围一致,并能把能量有效集中,补光亮度明显提高,光斑均匀,所产生的热效应明显减少,照射距离相对同等水平的LED更远。
[0015]还包括散热器5及MLA镜托7,所述的半导体激光二极管1、光束整形镜2固定连接后与所述的MLA镜托7安装在所述的散热器5上,所述的MLA镜片3通过所述的MLA镜托7固定设置。
[0016]还包括隔离罩6,所述的隔离罩6罩盖在所述MLA镜片3及MLA镜托7上,防止灰尘落入及MLA镜片3表面划伤,所述的隔离罩6的表面镀增透膜。
[0017]所述的半导体激光二极管I的波长范围为650-980nm。
[0018]所述的MLA镜片3的角度包含0° -90°,所述的MLA镜片3的角度与所选镜头相匹配,不同角度镜头,选用不同角度MLA镜片3。
[0019]所述的MLA镜片3采用塑料或玻璃或合成树脂制成,表面图形经特殊设计。
[0020]半导体激光二极管I经驱动电路板4供电后,出射光进光束整形镜2进行整形,经过快轴、慢轴压缩。压缩后的光斑经过MLA镜片3后进行光斑放大及匀化。MLA镜托7将MLA镜片3同定,驱动电路板4向半导体激光二极管I提供稳定的额定工作电流,散热器5将半导体激光二极管I产生的热量通过热传递的方式散发出去,隔离罩6隔离灰尘等物质,以保证MLA镜片3的清晰、完整。散热器5、半导体激光二极管1、光束整形镜2、MLA镜托7、MLA镜片3、驱动电路板4、隔离罩6集成为一体,并通过热传递方式向外散发热量。最终获得发热量低、高转换效率、高均匀性的半导体激光补光源。
[0021]综上所述,本发明用LD取代LED,整机更节能,散热量更小;电光转换效率高,超低功耗,超长使用寿命;采用MLA激光匀化技术,可以形成均匀光斑,消除手电筒效应;照射距离相对同等水平的LED更远。
[0022]以上所述仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构变换,或直接或间接运用附属在其他相关产品的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种中近距离半导体激光补光源,其特征在于:包括半导体激光二极管、光束整形镜、MLA镜片及驱动电路板;所述的光束整形镜设置在所述的半导体激光二极管发光区的正前方,所述的光束整形镜通过紫外胶与所述的半导体激光二极管固定连接,所述的MLA镜片设置在所述的光束整形镜的正前方;所述的驱动电路板与所述的半导体激光二极管电连接。
2.根据权利要求1所述的中近距离半导体激光补光源,其特征在于:还包括散热器及MLA镜托,所述的半导体激光二极管、光束整形镜固定连接后与所述的MLA镜托安装在所述的散热器上,所述的MLA镜片通过所述的MLA镜托固定设置。
3.根据权利要求2所述的中近距离半导体激光补光源,其特征在于:还包括隔离罩,所述的隔离罩罩盖在MLA镜片及MLA镜托上,所述的隔离罩的表面镀增透膜。
4.根据权利要求1所述的中近距离半导体激光补光源,其特征在于:所述的半导体激光二极管的波长范围为650-980nmo
5.根据权利要求1所述的中近距离半导体激光补光源,其特征在于:所述的MLA镜片的角度包含0° -90°,所述的MLA镜片的角度与所选镜头相匹配。
6.根据权利要求1所述的中近距离半导体激光补光源,其特征在于:所述的MLA镜片由塑料或玻璃或合成树脂制成。
【专利摘要】本发明公开了一种中近距离半导体激光补光源,包括半导体激光二极管、光束整形镜、MLA镜片及驱动电路板;所述的光束整形镜设置在所述的半导体激光二极管发光区的正前方,所述的光束整形镜通过紫外胶与所述的半导体激光二极管固定连接,所述的MLA镜片设置在所述的光束整形镜的正前方;所述的驱动电路板与所述的半导体激光二极管电连接。本发明用LD取代LED,整机更节能,散热量更小;电光转换效率高,超低功耗,超长使用寿命;采用MLA激光匀化技术,可以形成均匀光斑,消除手电筒效应;照射距离相对同等水平的LED更远。
【IPC分类】G02B27-48, G03B15-05, G02B27-09
【公开号】CN104730807
【申请号】CN201510144343
【发明人】徐小红, 王晓薇, 乔建伟
【申请人】海特光电有限责任公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年3月25日
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