黑色矩阵的制作方法步骤3的示意图；
[0035]图9为图8中A-A处的剖面示意图；
[0036]图10为本发明的黑色矩阵的制作方法步骤4的示意图。
【具体实施方式】
[0037]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0038]请参阅图4-10，本发明提供一种黑色矩阵的制作方法，包括如下步骤:
[0039]步骤1、如图4-5所示，提供基板1，所述基板I上设置有数个对位标记14 ;
[0040]具体的，所述基板I为TFT阵列基板。
[0041]优选的，所述基板I为矩形结构，所述对位标记14为四个，分别设置于矩形的四个角处。
[0042]优选的，所述对位标记14为十字形结构。
[0043]步骤2、如图6-7所示，在所述基板I上制作一有机光阻层，所述有机光阻层包括分别覆盖数个对位标记14的数个有机光阻块2。
[0044]具体的，所述有机光阻层包括4个有机光阻块2，所述有机光阻块2的形状与所述对位标记14相同，均为十字形结构，且所述有机光阻块2的尺寸与所述对位标记14的尺寸基本相同。
[0045]具体的，所述有机光阻块2可以为彩色光阻块，如红色、绿色、或蓝色光阻块。
[0046]优选的，所述有机光阻块2的厚度d2为3 μ m。该有机光阻块2用于增加基板I上对位标记14处与相邻区域的断差，以提高轮廓识别设备识别的准确性。
[0047]COA(color filter on array)技术是一种将彩色滤光片(通常由彩色光阻制成)制备于TFT阵列基板的技术，该步骤2借鉴了 COA技术的方法，将有机光阻块(如彩色光阻块)制备于TFT阵列基板上的对位标记上，从而提高了基板上对位标记14处与相邻区域的断差，有利于后续步骤中使用轮廓识别设备对对位标记14所在的位置进行识别，并提高其识别的准确性。
[0048]步骤3、如图8-9所示，在所述基板I及有机光阻层上涂覆一黑色矩阵薄膜3 ;
[0049]优选的，所述黑色矩阵薄膜3的厚度为I ym。
[0050]步骤4、如图10所示，基于基板I上对位标记14处与相邻区域形成的断差d3，采用轮廓识别设备识别出对位标记14的所在位置，进行精确对位后，图案化所述黑色矩阵薄膜3，形成黑色矩阵4。
[0051]具体的，所述基板I上对位标记14处与相邻区域的断差d3为3 μ m，从而保证所述对位标记14处的断差d3大于2 μπι，以便于轮廓识别设备进行识别。
[0052]现有技术中TFT阵列基板在对位标记处与相邻区域的断差dl —般小于I μ m，由于该断差较小，因此使用轮廓探测的方法很难识别出对位标记的准确位置，而本申请提供的一种黑色矩阵的制作方法，通过在在对位标记14上增加了一有机光阻块2，在涂覆黑色矩阵薄膜3后，使得所述基板I上对位标记14处与相邻区域形成的断差d3大于2 μ m，从而保证了轮廓探测设备对对位标记14所在位置的准确识别；相比于现有的直接在对位标记上涂覆黑色矩阵薄膜的方法，大大增加了对位标记处与相邻区域的的断差，提高了轮廓识别设备的准确性。
[0053]具体的，所述轮廓识别设备为具有差分模式的镜头或CXD (Charge-coupledDevice，电荷親合元件)探头。
[0054]综上所述，本发明提供一种黑色矩阵的制作方法，采用COA技术先在对位标记上制备厚度较大的有机光阻块，然后将黑色矩阵薄膜覆盖在有机光阻块上，大大增加了对位标记处与相邻区域的的断差，进而可以利用轮廓识别设备准确识别出对位标记的位置，从而解决了 BOA制程中黑色矩阵薄膜涂布后对位标记难以识别的问题。
[0055]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种黑色矩阵的制作方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤1、提供基板(I)，所述基板(I)上设置有数个对位标记(14); 步骤2、在所述基板(I)上制作一有机光阻层，所述有机光阻层包括分别覆盖数个对位标记(14)的数个有机光阻块(2); 步骤3、在所述基板(I)及有机光阻层上涂覆一黑色矩阵薄膜(3); 步骤4、基于基板(I)上对位标记(14)处与相邻区域形成的断差(d3)，采用轮廓识别设备识别出对位标记(14)的位置，进行精确对位后，图案化所述黑色矩阵薄膜(3)，形成黑色矩阵⑷。
2.如权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述步骤I中，所述基板(I)为TFT阵列基板。
3.如权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述基板(I)为矩形结构，所述对位标记(14)为四个，分别设置于矩形的四个角处。
4.如权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述对位标记(14)与有机光阻块(2)均为十字形结构，且二者的尺寸相同。
5.如权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述有机光阻块(2)为彩色光阻块。
6.如权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述有机光阻块(2)的厚度(d2)为 3 μπ?ο
7.如权利要求6所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述黑色矩阵薄膜(3)的厚度为I ym。
8.如权利要求7所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述步骤3中对位标记(14)处与相邻区域的断差(d3)大于2μπι。
9.如权利要求8所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述步骤3中对位标记(14)处与相邻区域的断差(d3)为3μπι。
10.如权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述步骤3中的轮廓识别设备为具有差分模式的镜头或CCD探头。
【专利摘要】本发明提供一种黑色矩阵的制作方法，采用COA技术先在对位标记上制备厚度较大的有机光阻块，然后将黑色矩阵薄膜覆盖在有机光阻块上，大大增加了对位标记处与相邻区域的断差，进而利用轮廓识别设备准确识别出对位标记的位置，解决了BOA制程中黑色矩阵薄膜涂布后对位标记难以识别的问题。
【IPC分类】G02F1-1335
【公开号】CN104777664
【申请号】CN201510208717
【发明人】熊源
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年4月28日