清洁刮板、处理盒和图像形成装置的制造方法_5

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,并排放至纸排放单元68。
[0178] 在各图像形成单元22 (22a至22d)中,通过清洁装置34对感光体鼓31上的残余 色调剂进行清洁,并通过带清洁装置53对中间转印带230上的残余色调剂进行清洁。
[0179] 在该图像形成过程中,各残余色调剂通过清洁装置34 (或带清洁装置53)进行清 洁。
[0180] 在示例性实施方式中,在图4所示的清洁装置34中清洁刮板342直接固定在框架 部件上。作为另一种选择,清洁刮板342可固定在框架部件上,之间具有弹簧材料。
[0181] 实施例
[0182] 下面利用实施例描述本发明。然而,本发明不限于实施例。在下述描述中,术语" 份〃表示〃重量份〃。
[0183] 实施例1
[0184] -清洁刮板本体的制造_
[0185] 使用聚己酸内酯多兀醇(PLACCEL205, Daicel Corporation制造,平均分子 量:529,羟值:212K0Hmg/g)和聚己酸内酯多元醇(PLACCEL240, Daicel Corporation 制 造,平均分子量:4155,羟值:27K0Hmg/g)作为多元醇成分的软链段材料。具有2个以上 羟基的丙烯酸树脂(ACTFL0W UMB-2005B,Soken Chemical&Engineering Co.,Ltd.制造) 用作硬链段材料。软链段材料和硬链段材料以8:2的比例(重量比)混合。
[0186] 然后,相对于100份软链段材料和硬链段材料的混合物,加入6. 26份的4, 4' -二 苯甲烧二异氰酸酯(MILLIONATE MT, Nippon Polyurethane Industry Co. ,Ltd.制造)作 为异氰酸酯化合物。使所得混合物在氮气气氛下70°C反应3小时。选择该反应中所用的 异氰酸酯化合物的量,从而使反应体系中所含的异氰酸酯基与羟基的比(异氰酸酯基/羟 基)成为0.5。
[0187] 然后,向其中再加入34. 3份的异氰酸酯化合物,并使所得混合物在氮气气氛下 70°C反应3小时。因此,获得预聚物。预聚物制备中所用的异氰酸酯化合物的总量为40. 56 份。
[0188] 接下来,将预聚物的温度升至100°C,并对预聚物减压消泡1小时。随后,相对于 100份的预聚物,加入7. 14份的1,4- 丁二醇和三羟甲基丙烷的混合物(重量比=60/40), 并混合3分钟,从而不使泡沫产生。因此,制备了形成刮板用的组合物A。
[0189] 接下来,形成刮板用的组合物A倾倒入温度调整至140°C的包含模具的离心成型 机中,并进行固化反应1小时。随后,通过在IKTC加热24小时使组合物A老化,然后冷却。
[0190] 随后,再进行后加热步骤。加热温度为KKTC并且加热时间为30分钟。随后切割 所得组合物A,制备长度为320mm、宽度为12mm并且厚度为2mm的清洁刮板。
[0191] 物理性质值的测量
[0192] 对以上制备的清洁刮板通过示差扫描量热计进行热分析,从而测量70°C以上至小 于IKTC范围中的结晶熔融峰1的结晶熔融热Λ Hl (mj/mg)、IKTC以上至小于170°C范围中 的结晶熔融峰2的结晶熔融热AH2(mJ/mg)、和170°C以上至200°C以下范围中的结晶熔融 峰3的结晶熔融热Λ H3 (mj/mg)。
[0193] 通过上文所述方法测量tan δ峰值温度和100%模量(给定伸长时的应力)。
[0194] 这些结果在下表3中显示。
[0195] 实施例2至10和比较例1至5
[0196] 按照实施例1的方式制备清洁刮板,不同之处在于按下表3和4中所示改变后加 热步骤中的温度和时间。
[0197] 〈评价测试〉
[0198] -边缘磨耗-
[0199] 边缘磨耗评价如下。利用图像形成装置(商品名DocuCentre-IIC7500,富士施乐 株式会社制造)在高温高湿环境(281:,85冊%)中在44纸(210\297臟,?纸,富士施乐 株式会社制造)上形成图像,直至感光体的累积旋转次数为100000周。在图像形成后,评 价清洁刮板的边缘部分(接触角部分)的磨耗和缺陷性清洁。
[0200] 在该测试中,为了在感光体与清洁刮板接触的部分的润滑效果下降的严重条件下 进行评价,将所要形成的图像的图像密度设为1%。
[0201] 随后,利用Keyence Corporation制造的激光显微镜VK-8510对清洁刮板从其截 面侧进行观察,在清洁刮板的感光体表面侧的边缘缺失部分的最大深度处确定测试后的边 缘部分(接触角部分)的磨耗深度。
[0202] 缺陷性清洁评价如下。在完成上述测试后,在感光体和清洁刮板之间供应其上形 成未转印实心图像(实心图像尺寸:400mmX290mm)的A3纸。当未定影图像的输送方向上 最后端部分通过感光体接触清洁刮板的部分之后,立即停止装置,并目视观察色调剂的滑 动通过(slipping through)。当观察到色调剂的滑动通过时,确定发生了缺陷性清洁。
[0203] 在保持色调剂的部分由于边缘部分(接触角部分)的磨耗或剥落而丧失的情况 下,边缘的磨耗深度或剥落深度越大,则在上述测试中越容易发生缺陷性清洁。因此,上述 测试用于边缘部分(接触角部分)的磨耗或剥落的定性评价。.
[0204] 表 1
[0205]
[0206] -剥落-
[0207] 通过以下方法评价发生剥落的程度。将清洁刮板按照在富士施乐株式会社制造 的DocuCentre-IV C5575上,将法向力(NF)调整为1.3gf/mm并将工作角度(W/A)调整为 1Γ。随后,打印10000张。
[0208] 基于这时产生的剥落的尺寸和数量根据下述标准评价发生剥落的程度。在轴向上 中间部分的IOOmm范围内测量发生剥落的程度。
[0209] 表 2
[0210]
[0211] -综合评价-
[0212] 基于以下标准进行综合评价。
[0213] A:边缘磨耗评价的结果是CO或C1,并且剥落评价的结果是Cl或C2。
[0214] B:边缘磨耗评价的结果是C2或者剥落评价的结果是C3至C5中任一个(然而,此 情况不对应于以下的C)。
[0215] C:边缘磨耗评价的结果是C3至C5中任一个或者剥落评价的结果是C6至ClO中 任一个。
[0216]
[0217] 表 4
[0218]
[0219] 提供对本发明示例性实施方式的前述描述是为了说明和描述的目的。并非试图穷 尽本发明所披露的精确形式或将本发明限制于所披露的精确形式。显然,许多改进和变化 对于本领域技术人员是显而易见的。选择并描述所述实施方式是为了能够最好地解释本发 明的原理及其实际用途,由此使得本领域的其他技术人员能够理解适用于预计的特定用途 的本发明的各种实施方式和各种改进方案。本发明的范围由所附权利要求及其等同物所限 定。
【主权项】
1. 一种清洁刮板,所述清洁刮板包括: 下述部件,在该部件中,在示差扫描量热计的热分析中,处于70°C以上至小于IKTC范 围中的结晶熔融峰1的结晶熔融热AHl(mj/mg)、处于IKTC以上至小于170°C范围中的结 晶熔融峰2的结晶熔融热AH2(mJ/mg)、和处于170°C以上至200°C以下范围中的结晶熔融 峰3的结晶熔融热AH3(mJ/mg)满足式(1)至(4),所述部件至少构成与所要清洁的部件接 触的接触部分, 式(I) :AH1+AH2〉AH3 式(2) :0?O彡AHl彡 5.O 式(3) :0? 1 彡AH2 式(4) :0?O彡AH3 彡 2. 0。2. 如权利要求1所述的清洁刮板,其中,所述结晶熔融热AHl(mj/mg)满足式(2'), 式(2,): 1.0 彡AHl彡 3.0。3. 如权利要求1所述的清洁刮板,其中,所述结晶熔融热AH2 (mj/mg)满足式(3'), 式(3,):3. 0 彡AH2 彡 5. 0。4. 如权利要求1所述的清洁刮板,其中,所述结晶熔融热AH3 (mj/mg)满足式(4'), 式(4,):0? 0 彡AH3 彡 0? 5。5. 如权利要求1所述的清洁刮板,其中,构成所述接触部分的所述部件是tanS峰值温 度为-30°C以上至5°C以下的弹性部件。6. 如权利要求1所述的清洁刮板,其中,构成所述接触部分的所述部件是tanS峰值温 度为-25°C以上至2°C以下的弹性部件。7. 如权利要求1所述的清洁刮板,其中,构成所述接触部分的所述部件是tanS峰值温 度为-20°C以上至0°C以下的弹性部件。8. 如权利要求1或5所述的清洁刮板,其中,构成所述接触部分的所述部件是100%模 量为6MPa以上的弹性部件。9. 如权利要求1或5所述的清洁刮板,其中,构成所述接触部分的所述部件是100%模 量为7. 5MPa以上的弹性部件。10. -种以可拆卸方式设置在图像形成装置中的处理盒,所述处理盒包含清洁装置,该 清洁装置包含权利要求1所述的清洁刮板。11. 一种图像形成装置,所述图像形成装置包括: 图像保持部件; 充电装置,其对所述图像保持部件充电; 静电潜像形成装置,其在经充电的图像保持部件的表面上形成静电潜像; 显影装置,其利用色调剂使在所述图像保持部件的表面上形成的所述静电潜像显影从 而形成色调剂像; 转印装置,其将在所述图像保持部件上形成的所述色调剂像转印到记录介质上;和 清洁装置,其包括权利要求1所述的清洁刮板,并且在所述色调剂像经所述转印装置 转印之后通过使所述清洁刮板接触所述图像保持部件的表面而进行清洁。
【专利摘要】本发明涉及清洁刮板、处理盒和图像形成装置。所述清洁刮板包括下述部件,在该部件中,在示差扫描量热计的热分析中,70℃以上至小于110℃范围中的结晶熔融峰1的结晶熔融热ΔH1(mJ/mg)、110℃以上至小于170℃范围中的结晶熔融峰2的结晶熔融热ΔH2(mJ/mg)、和170℃以上至200℃以下范围中的结晶熔融峰3的结晶熔融热ΔH3(mJ/mg)满足式(1)至(4),所述部件构成至少与所要清洁的部件接触的接触部分,式(1):ΔH1+ΔH2>ΔH3式(2):0.0≤ΔH1≤5.0式(3):0.1≤ΔH2式(4):0.0≤ΔH3≤2.0。
【IPC分类】G03G15/00, G03G21/18, G03G21/00
【公开号】CN104914699
【申请号】CN201410526596
【发明人】中村优, 太野大介, 小野雅人
【申请人】富士施乐株式会社
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2014年10月9日
【公告号】US20150261170
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