液晶显示面板及液晶显示面板的制造方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种液晶显示面板及液晶显示面板的制造方法。
【【背景技术】】
[0002]传统的液晶显示面板包括彩色滤光片(CF, Color filter)基板、阵列基板以及液晶。该彩膜基板包括第一玻璃基板、黑矩阵(BM，Black Matrix)层、着色图案层和保护层(OC，Over Coat)层，该第一玻璃基板、黑矩阵层、着色图案层和保护层依次层叠设置为一体；阵列基板包括第二玻璃基板、栅极线层、绝缘层、半导体层、金属层和钝化层，该第二玻璃基板、栅极线层、绝缘层、半导体层、金属层和钝化层依次层叠设置为一体。
[0003]传统的液晶显示面板的彩膜基板和阵列基板之间是用间隔子(Spacer)来支撑的。彩膜基板和阵列基板叠加组合在一起，并且由于间隔子置于之间而存在固定距离的间隙，液晶置于该间隙内。一般在低温多晶娃(LTPS, Low Temperature Poly-silicon)薄膜晶体管液晶显示器(即LTPS-TFT LCD)中，间隔子是采用感光型间隔子(Photo Spacer, PS)来达成。对于中小尺寸的产品中，感光型间隔子是形成在彩膜基板上，具体彩色滤光片制程为黑矩阵层、着色图案层和保护层完成后，通过使用光掩膜(Photomask)的光刻工艺将感光型间隔子形成在保护层上的特定区域。
[0004]然而，制作感光型间隔子形成于彩膜基板相较于制作传统彩膜基板的制程需要多一次高成本的光刻工艺，不利于成本的降低。
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【发明内容】
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[0005]本发明的一个目的在于提供一种液晶显示面板，其对阵列基板中的平坦层形成一柱状凸起作为间隔子，从而节省在彩膜基板上的感光型间隔子制程。
[0006]本发明的另一个目的在于提供一种液晶显示面板的制造方法，其可透过半色调光刻工艺经一次曝光即可制作成平坦层及作为间隔子的柱状凸起，从而节省在彩膜基板上的感光型间隔子制程。
[0007]为解决上述问题，本发明的优选实施例提供了一种液晶显示面板，其包括包括阵列基板及彩膜基板，所述阵列基板包括数据线、扫描线及薄膜晶体管，所述数据线及所述扫描线定义出开口区。所述阵列基板还包括图案化平坦层，其形成于所述数据线、所述扫描线及所述薄膜晶体管上，并暴露出所述开口区，其中位于所述扫描线上的所述图案化平坦层形成一柱状凸起，所述柱状凸起支撑于所述阵列基板及所述彩膜基板之间。
[0008]在本发明优选实施例中，形成所述柱状凸起的所述图案化平坦层具有一第一厚度，位于所述数据线上的所述图案化平坦层具有一第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度。优选地，所述第一厚度介于2.8至3.2微米之间，所述第二厚度介于2.1至2.6微米之间。另外，所述阵列基板及所述彩膜基板之间具有一液晶盒厚度，所述第一厚度等于所述液晶盒厚度。
[0009]在本发明优选实施例中，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，且所述液晶显示面板为边缘场开关模式显示面板。优选地，所述阵列基板包括衬底基板、并在所述扫描线位置上依次形成在所述衬底基板上的缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、所述图案化平坦层、公共电极层、钝化层及像素电极层。
[0010]同样地，为解决上述问题，本发明的另一优选实施例提供了一种液晶显示面板的制造方法，其包括:提供包括数据线、扫描线及薄膜晶体管的阵列基板，所述数据线及所述扫描线定义出开口区；涂布平坦层于所述阵列基板上；采用半色调光刻工艺图案化所述平坦层，以形成位于所述数据线、所述扫描线及所述薄膜晶体管上并暴露出所述开口区的图案化平坦层，其中位于所述扫描线上的所述图案化平坦层形成一柱状凸起；以及结合所述阵列基板及彩膜基板，使得所述柱状凸起支撑于所述阵列基板及所述彩膜基板之间。
[0011]在本发明优选实施例中，形成所述柱状凸起的所述图案化平坦层具有一第一厚度，位于所述数据线上的所述图案化平坦层具有一第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度。优选地，所述第一厚度介于2.8至3.2微米之间，所述第二厚度介于2.1至2.6微米之间。
[0012]在本发明优选实施例中，结合所述阵列基板及所述彩膜基板后，所述阵列基板及所述彩膜基板之间具有一液晶盒厚度，所述第一厚度等于所述液晶盒厚度。
[0013]相对于现有技术，本发明对阵列基板中的平坦层透过半色调光刻工艺形成柱状凸起作为阵列基板及彩膜基板之间的间隔子，且去除掉原本在开口区的平坦层，以达到阵列基板与彩膜基板之间的足够的液晶盒厚度，而不需额外制作间隔子，从而节省在彩膜基板上的感光型间隔子制程。
[0014]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，幷配合所附图式，作详细说明如下:
【【附图说明】】
[0015]图1为本发明的液晶显示面板的阵列基板的俯视示意图；
[0016]图2为图1的液晶显示面板在AA’线段的剖面示意图；
[0017]图3为图1的液晶显示面板在BB’线段的剖面示意图；
[0018]图4为本发明优选实施例的液晶显示面板的制造方法的流程图；
[0019]图5A为步骤SlO的示意图；
[0020]图5B为步骤S20的示意图；
[0021 ]图5C为步骤S30的示意图；
[0022]图为步骤S40的示意图。
【【具体实施方式】】
[0023]以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。
[0024]参考图1至图3，图1为本发明的液晶显不面板的阵列基板的俯视不意图，图2为图1的液晶显不面板在AA’线段的尚]面不意图，图3为图1的液晶显不面板在BB’线段的剖面示意图。如图所示，本实施例的液晶显示面板10包括阵列基板20及彩膜基板30以及两者之间的液晶层(图未示)。
[0025]如图1所示，图1绘示阵列基板20上的一个像素结构，阵列基板20上包括数据线210、扫描线220及薄膜晶体管230，所述数据线210及所述扫描线220定义出开口区240，其中开口区240即可透光区。
[0026]在此实施例中，薄膜晶体管230为低温多晶娃(LTPS, Low TemperaturePoly-silicon)薄膜晶体管。具体而言，如图2所示，阵列基板20包括衬底基板201、并在所述扫描线220位置上依次形成在所述衬底基板201上的缓冲层(Buffer层)202、半导体层203、栅极绝缘层(GI层)204、栅金属层(GE层)205、层间介电层(ILD层)206、图案化平坦层(PLN层)207、公共电极层208、钝化层209及像素电极层210。彩膜基板30包括玻璃基板301、黑矩阵(BM) 302、色阻层303、及其上的保护层(OC) 304。
[0027]在此实施例中，彩膜基板30上并无设置公共电极，而阵列基板20的公共电极层208、钝化层209及像素电极层210都在同一个基板上，因此本实施例的液晶显示面板10为一种产生水平电场的边缘场开关(FFS, Fringe Filed Switching)模式显示面板。然而本发明并不限于此，AD-SDS (Advanced-Super Dimens1nal Switching，简称为 ADS，高级超维场开关)型、IPS (In Plane Switch，横向电场效应)型、TN(Twist Nematic，扭曲向列)型等的液晶显示面板都在本发明范围中。
[0028]需注意的是，所述图案化平坦层207形成于所述数据线210、扫描线220及薄膜晶体管230上，并暴露出所述开口区240。也就是说，本实施例的图案化平坦层207并非全部覆盖在层