一种液晶像素单元以及像素单元暗纹控制方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，具体说涉及一种液晶像素单元以及像素单元暗纹控制方法。
【背景技术】
[0002]在采用了垂直取向显示技术的液晶显示器(Vertical Alignment TFT-1XD，VATFT-LCD)中，HVA(High Vertical Alignment)型的像素电极一般设计成“米”字型结构(如图1所示)。
[0003]“米”字型结构的像素电极设计在会在十字交叉位置(图1所示101区域以及附近)产生暗纹。尤其是在曲面显示时，由于弯曲造成的上下基板错位，导致十字长边的暗纹变宽。这样会严重影响像素单元的穿透率和显示效果。
[0004]针对上述问题，在现有技术中将像素电极十字交叉结构变为两个相对的侧“T”字型结构(如图2所示)，使暗纹移动至“T”字交叉位置(像素边缘，如图2所示201、202区域以及附近)，降低暗纹对曲面显示的影响。但由于将像素电极由十字交叉结构改为侧“T”字型结构，导致像素边缘的左右场的对称性被破坏，使得像素边缘的暗纹易向像素中心偏移，尤其是在制程产生波动时更易导致液晶配向异常。如图3所示，左方的图为像素电极结构示意图，右方为对应的像素显示效果示意图，区域301、302分别与区域311、312对应。从图上可以看出，本应出现在区域301对应的区域311及其附近的暗纹明显向区域302对应的区域312 (像素中心)偏移。
[0005]因此，针对侧“T”字型结构的像素电极的暗纹问题，需要一种新的像素电极设计。
【发明内容】
[0006]针对侧“T”字型结构的像素电极的暗纹问题，本发明提供了一种液晶像素单元，所述像素单元的像素电极采用侧“T”形结构，在所述像素单元中构造有用于增加所述像素电极“T”字交叉位置处的电场的干扰电极，其中:
[0007]所述干扰电极采用金属构造且与所述像素电极相互独立；
[0008]所述干扰电极为仅包含纵向分支和横向分支的侧“ T ”形结构；
[0009]所述干扰电极的纵向分支、横向分支以及“T”字交叉位置分别位于所述像素电极的纵向分支、横向分支以及“T”字交叉位置正下方。
[0010]在一实施例中，所述干扰电极的纵向分支以及横向分支具有与所述像素电极的纵向分支以及横向分支一致的形状大小。
[0011]在一实施例中:
[0012]所述干扰电极的纵向分支的形状大小与所述像素电极的纵向分支的形状大小一致；
[0013]所述干扰电极的横向分支为由一朝向所述像素单元中心的凸起。
[0014]在一实施例中，所述干扰电极的横向分支为切面与所述干扰电极的纵向分支相接的半圆形且所述半圆形的直径大于所述像素电极的横向分支的宽度。
[0015]在一实施例中，所述干扰电极被构造成悬空或与阵列侧公共电极连接。
[0016]本发明还提出了一种像素单元暗纹控制方法，所述像素单元采用侧“T”形结构的像素电极，在所述像素单元中构造用于增加所述像素电极“T”字交叉位置处的电场的干扰电极，其中:
[0017]所述干扰电极采用金属构造且与所述像素电极相互独立；
[0018]所述干扰电极为仅包含纵向分支和横向分支的侧“ T ”形结构；
[0019]所述干扰电极的纵向分支、横向分支以及“T”字交叉位置分别位于所述像素电极的纵向分支、横向分支以及“T”字交叉位置正下方。
[0020]在一实施例中，采用与所述像素电极的纵向分支以及横向分支一致的形状大小构造所述干扰电极的纵向分支以及横向分支。
[0021]在一实施例中:
[0022]采用与所述像素电极的纵向分支一致的形状大小构造所述干扰电极的纵向分支；
[0023]在所述干扰电极的纵向分支对应所述像素电极“T”字交叉位置处构造一朝向所述像素单元中心的凸起以形成所述干扰电极的横向分支。
[0024]在一实施例中，将所述干扰电极的横向分支构造为切面与所述干扰电极的纵向分支相接的半圆形，其中，所述半圆形的直径大于所述像素电极的横向分支的宽度。
[0025]在一实施例中，将所述干扰电极设置为悬空或连接到阵列侧公共电极。
[0026]与现有技术相比，根据本发明的像素单元及方法可以有效控制暗纹，从而提升产品的显示品味和一致性；并且由于本发明的像素单元结构简单，构造难度低，因而本发明的像素单元及方法具有较低的推广难度。
[0027]本发明的其它特征或优点将在随后的说明书中阐述。并且，本发明的部分特征或优点将通过说明书而变得显而易见，或者通过实施本发明而被了解。本发明的目的和部分优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的步骤来实现或获得。
【附图说明】
[0028]附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例共同用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中:
[0029]图1是现有技术中“米”字形结构像素电极示意图；
[0030]图2是现有技术中侧“T”形结构像素电极示意图；
[0031]图3是现有技术中侧“T”形结构像素电极及其对应显示效果示意图；
[0032]图4、图5、图6以及图7分别是根据本发明一实施例的像素电极以及干扰电极示意图；
[0033]图8是对应图7所示实施例的显示效果示意图。
【具体实施方式】
[0034]以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此本发明的实施人员可以充分理解本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程并依据上述实现过程具体实施本发明。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
[0035]针对侧“T”字型结构的像素电极的暗纹偏移问题，本发明提供了一种像素单元暗纹控制方法。在现有技术中，侧“T”字型结构的像素电极的暗纹偏移是由于像素边缘的左右场的对称性被破坏而造成的。暗纹偏移的主要表现为暗纹易向像素中心偏移(如图3右图所示由区域311向区域312)。为了改善暗纹偏移，本发明采用了增强电场的方案。
[0036]具体的，在像素单元中构造用于增加像素电极“T”字交叉位置处的电场的干扰电极(采用金属构造干扰电极)。为了避免干扰电极影响像素电极的正常功能，令干扰电极位于像素电极的正下方且与像素电极相互独立。同时，干扰电极被构造成与对应位置处的像素电极的形状走向保持一致。
[0037]由于暗纹是从像素电极“T”字交叉位置处向像素单元中心处偏移(图3左图所示由区域301向区域302)，因此需要增强区域301处的电场。在本发明一实施例中，为了在不影响像素电极的正常功能的前提下实现增加像素电极“T”字交叉位置处的电场的目的，干扰电极也采用侧“T”形结构。并且，为了尽可能的减少干扰电极对像素电极正常功能的干扰，令干扰电极的侧“ T ”形结构仅包含主干的纵向分支以及横向分支。
[0038]干扰电极的侧“T”形结构位于像素电极的侧“T”形结构的正下方。S卩，干扰电极“T”字交叉位置位于像素电极“T”字交叉位置正下方；干扰电极的纵向分支和横向分支分别位于像素电极的纵向分支和横向分支的正下方(干扰电极的垂直向投影与像素电极的垂直向投影重合)。
[0039]如图4所示，干扰电极的侧“T”形结构仅包含主干的纵向分支401、411以及横向分支402、412。并且，从正上方向下看，干扰电极的侧“T”形结构与像素电极的侧“T”形结构的主干(纵向分支以及横向分支)重合。
[0040]由于像素边缘“T”字交叉位置(Trunk)下面有金属(干扰电极)，因此侧“T”型像素边缘Trunk位置处的电场就被增强。使得像素单元的液晶分子(Liquid Crystal,LC)更易倒向Trunk边缘，导致像素显示的暗纹就会被压向像素边缘。进一步的，由于金属(干扰电极)不透光，正好可以将压到像素边缘暗的纹遮住。这样不仅改善了像素暗纹的位置，也提高了像素单元显示的一致性。
[0041 ] 进一步的，在本发明一实施例中，构造与像素电极的纵向分支以及横向分支的形状大小一致的干扰电极的纵向分支以及横向分支。即，干扰电极的纵向分支以及横向分支的长宽分别与像素电极的纵向分支以及横向分支的长宽保持一致。如图4所示，干扰电极的纵向分支401、411以及横向分支402、412与像素电极的纵向分支以及横向分支的长宽保持一致。
[0042]在