实际应用中，干扰电极的侧“T”形结构的纵向分支以及横向分支的具体大小形状并不限于像素电极的纵向分支以及横向分支的大小形状。如图4所示，为了进一步增加电场，在构造横向分支402、412时，首先构造直径大于像素电极横向分支宽度的半圆形凸起(位置403、413处，凸起朝向像素单元中心)。然后从凸起顶端横向延伸从而构造横向分支 402、412。
[0043]进一步的，干扰电极的具体形状并不限定于绝对与像素电极保持一致的侧“T”形结构。任何可以在不影响像素电极正常功能的前提下增加像素电极“τ”字交叉位置处的电场的结构(侧“Τ”形结构的变形)都属于本发明的方案保护范围。
[0044]在本发明另一实施例中，采用与像素电极的纵向分支一致的形状大小构造干扰电极的纵向分支；在纵向分支对应所述像素电极“Τ”字交叉位置处构造一朝向像素单元中心的凸起以形成干扰电极的横向分支。如图5所示，干扰电极的纵向分支501、511位于像素电极的纵向分支的正下方且干扰电极的纵向分支501、511的形状大小与像素电极的纵向分支的形状大小一致；干扰电极的纵向分支501、511对应所述像素电极“ T ”字交叉位置(502、512)处构造有一朝向像素单元中心的凸起以形成干扰电极的横向分支。
[0045]进一步的，将干扰电极的横向分支构造为切面与干扰电极的纵向分支相接的半圆形，其中，半圆形的直径大于像素电极的横向分支的宽度(如图5位置502、512处所示)。
[0046]在本发明中，为了避免干扰电极影响像素电极的正常功能，干扰电极与像素电极相互独立。具体的，在本发明的一实施例中，将干扰电极设置为悬空(不接入电路)。另外，在本发明的另一实施例中，也可将干扰电极连接到阵列侧公共电极(Acom)。
[0047]这里需要注意的是，当干扰电极的横向分支与像素电极的横向分支等长时(例如图4所示的实施例)，干扰电极可以直接通过横向分支接入阵列侧公共电极(Acom)。但是当干扰电极的横向分支比像素电极的横向分支短时(例如图5所示的实施例)，干扰电极无法直接通过横向分支接入阵列侧公共电极(Acom)。为了解决这一问题，在本发明一实施例中，通过走线连接不同的干扰电极的纵向分支并利用面板最边缘的干扰电极的纵向分支将一列干扰电极连接到阵列侧公共电极(Acom)。如图6所示，走线600从两个像素单元间穿过连接两个干扰电极的纵向分支601以及611。
[0048]综上，本发明的方法步骤简单，易于实现。与现有技术相比，根据本发明的方法不仅可以改善暗纹偏移，而且可以遮挡暗纹。根据本发明的方法可以有效控制暗纹，从而提升广品的显不品味和一致性。
[0049]基于本发明的方法，本发明还提出了一种液晶像素单元。本发明的像素单元的像素电极采用侧“Τ”形结构，在像素单元中构造有用于增加像素电极“Τ”字交叉位置处的电场的干扰电极，其中:
[0050]干扰电极采用金属构造且与像素电极相互独立；
[0051 ] 干扰电极为仅包含纵向分支和横向分支的侧“ T ”形结构；
[0052]干扰电极的纵向分支、横向分支以及“Τ”字交叉位置分别位于像素电极的纵向分支、横向分支以及“Τ”字交叉位置正下方。
[0053]为了避免干扰电极影响像素电极的正常功能，在本发明一实施例中，干扰电极的纵向分支以及横向分支具有与像素电极的纵向分支以及横向分支一致的形状大小。如图4所示，干扰电极的纵向分支401、411以及横向分支402、412与像素电极的纵向分支以及横向分支的长宽保持一致。
[0054]在本发明的另一实施例中，干扰电极的纵向分支的形状大小与像素电极的纵向分支的形状大小一致；干扰电极的横向分支为由一朝向所述像素单元中心的凸起。具体的，干扰电极的横向分支为切面与干扰电极的纵向分支相接的半圆形且半圆形的直径大于像素电极的横向分支的宽度。
[0055]为了实现干扰电极与像素电极相互独立。在本发明的一实施例中，干扰电极被构造成悬空或与阵列侧公共电极连接。与现有技术相比，根据本发明的像素单元可以有效控制暗纹，从而提升产品的显示品味和一致性；并且由于本发明的像素单元结构简单，构造难度低，因而本发明的像素单元具有较低的推广难度。
[0056]接下来以一具体应用实例验证本发明的效果。如图7所示，图7所示实施例采用了与图5所示实施例类似的技术方案构造了干扰电极701。图8即为图7的技术方案最终的显示效果。图8中801即为图7中干扰电极701的对应位置。
[0057]对比图8和图3右图所示的现有技术显示效果可以发现。在图8中，暗纹的偏移(图3中位置312处)得到了有效改善。另外由于干扰电极的遮挡作用(位置801)，像素单兀显不的一致性大大提尚。
[0058]虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。本发明所述的方法还可有其他多种实施例。在不背离本发明实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变或变形，但这些相应的改变或变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种液晶像素单元，其特征在于，所述像素单元的像素电极采用侧“T”形结构，在所述像素单元中构造有用于增加所述像素电极“T”字交叉位置处的电场的干扰电极，其中: 所述干扰电极采用金属构造且与所述像素电极相互独立； 所述干扰电极为仅包含纵向分支和横向分支的侧“ T ”形结构； 所述干扰电极的纵向分支、横向分支以及“T”字交叉位置分别位于所述像素电极的纵向分支、横向分支以及“T”字交叉位置正下方。2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述干扰电极的纵向分支以及横向分支具有与所述像素电极的纵向分支以及横向分支一致的形状大小。3.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于: 所述干扰电极的纵向分支的形状大小与所述像素电极的纵向分支的形状大小一致； 所述干扰电极的横向分支为由一朝向所述像素单元中心的凸起。4.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，所述干扰电极的横向分支为切面与所述干扰电极的纵向分支相接的半圆形且所述半圆形的直径大于所述像素电极的横向分支的宽度。5.根据权利要求1-4中任一项所述的像素单元，其特征在于，所述干扰电极被构造成悬空或与阵列侧公共电极连接。6.一种像素单元暗纹控制方法，其特征在于，所述像素单元采用侧“T”形结构的像素电极，在所述像素单元中构造用于增加所述像素电极“T”字交叉位置处的电场的干扰电极，其中: 所述干扰电极采用金属构造且与所述像素电极相互独立； 所述干扰电极为仅包含纵向分支和横向分支的侧“ T ”形结构； 所述干扰电极的纵向分支、横向分支以及“T”字交叉位置分别位于所述像素电极的纵向分支、横向分支以及“T”字交叉位置正下方。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，采用与所述像素电极的纵向分支以及横向分支一致的形状大小构造所述干扰电极的纵向分支以及横向分支。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于: 采用与所述像素电极的纵向分支一致的形状大小构造所述干扰电极的纵向分支； 在所述干扰电极的纵向分支对应所述像素电极“T”字交叉位置处构造一朝向所述像素单元中心的凸起以形成所述干扰电极的横向分支。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，将所述干扰电极的横向分支构造为切面与所述干扰电极的纵向分支相接的半圆形，其中，所述半圆形的直径大于所述像素电极的横向分支的宽度。10.根据权利要求6-9中任一项所述的方法，其特征在于，将所述干扰电极设置为悬空或连接到阵列侧公共电极。
【专利摘要】本发明公开了一种液晶像素单元以及像素单元暗纹控制方法。本发明的像素单元的像素电极采用侧“T”形结构，在所述像素单元中构造有用于增加所述像素电极“T”字交叉位置处的电场的干扰电极，其中：所述干扰电极采用金属构造且与所述像素电极相互独立；所述干扰电极为仅包含纵向分支和横向分支的侧“T”形结构；所述干扰电极的纵向分支、横向分支以及“T”字交叉位置分别位于所述像素电极的纵向分支、横向分支以及“T”字交叉位置正下方。与现有技术相比，根据本发明的像素单元及方法可以有效控制暗纹，从而提升产品的显示品味和一致性；并且由于本发明的像素单元结构简单，构造难度低，因而本发明的像素单元及方法具有较低的推广难度。
【IPC分类】G02F1/1343
【公开号】CN105204247
【申请号】CN201510715853
【发明人】姚晓慧
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年10月29日