重叠。
[0061]图4是例示第一实施方式的显示装置的示意图。
[0062]如图4例示的那样，显示装置110中设有多个开关元件11、多个像素电极Px和显示层30。开关元件11以及像素电极Px包含于显示部DP。多个开关元件11的各个与多个第1布线L1 (栅极线GL)的某一个第1布线以及多个第2布线L2 (信号线SL)的某一个第2布线电连接。
[0063]例如，开关元件11包括栅极llg和半导体层12。半导体层12包括第1部分12a和第2部分12b。栅极llg与多个栅极线GL之一电连接。半导体层12的第1部分12a与多个信号线SL之一电连接。
[0064]多个像素电极Px的各个与多个开关元件11的各个电连接。例如，1个像素电极Px与开关元件11的半导体层12的第2部分12b电连接。
[0065]显示层30基于被提供给多个像素电极Px的电信号来进行光学动作。光学动作包括光学特性的变化和发光的至少某一个。如后述那样，显示层30设置在例如多个像素电极Px和多个检测线RL之间。驱动元件71能够将被提供给像素电极Px的电信号输出到电路部75。该电信号经由驱动元件71被供给至像素电极Px。
[0066]作为显示层30而使用了液晶层的情况下，光学动作包括光学特性的变化。光学特性包括例如复折射率、旋光性、散射性、光反射率以及光吸收率中的至少某一个。例如，通过被提供给像素电极Px的电信号，在像素电极Px以及公共线CL之间、或者像素电极Px以及与公共线CL连接的公共电极之间产生电场。通过该已产生的电场，显示层30(液晶层)中的液晶取向发生变化，实效的复折射率变化。也可以是旋光性、散射性、光反射率以及光吸收率中的至少某一个变化。另外，在图4所示的显示装置110中，作为显示层30而使用了液晶层，但作为显示装置110，可以替代液晶层而使用发光层。
[0067]在作为显示层30而使用了发光层(例如有机发光层)的情况下，光学动作包括发光(光的放出)。作为有机发光层的例，有机电致发光(Organic Electro Luminescence)的情况下，电子从一方的电极移动，空穴(hole)从另一方的电极移动。该电子以及空穴通过在发光层进行再结合，产生发光。并且作为发光层，也可以替代有机发光层而使用无机发光层。
[0068]S卩，显示层30进行光学特性的变化和发光中的至少某一个的光学动作。
[0069]显示层30在使用了例如液晶层的情况下，成为负载电容。在图4所示的例中，与显示层30并列地设有存储电容Cs。存储电容Cs根据需要而设置，可以省略。
[0070]显示装置110中设有多个像素35。多个像素35的每个像素设有至少一个开关元件11和至少一个像素电极Px。即，多个开关元件11的每个开关元件设置于多个像素35的每个像素。多个像素电极Px的每个像素电极设置于多个像素35的每个像素。
[0071]如图4所例示的那样，显示装置110设有驱动部60。
[0072]驱动部60包括例如第1驱动电路61、第2驱动电路62、控制部63。第1驱动电路61与多个栅极线GL电连接。第2驱动电路62与多个信号线SL以及多个公共线CL电连接。控制部63与第1驱动电路61以及第2驱动电路62电连接。对控制部63获得的电信号进行适当的信号处理。被进行了信号处理的电信号被供给至第1驱动电路61以及第2驱动电路62。另外，该电信号包含图像信号。
[0073]通过栅极线GL、信号线SL、开关元件11以及像素电极Px来控制多个像素35中的显示层30 (例如液晶层)的光学动作。在显示动作中，例如公共线CL作为像素电极Px的对置电极而被利用。即，经由开关元件11向像素电极Px供给电信号，控制多个像素电极Px各自的电位。根据通过像素电极Px和公共线CL产生的电场，液晶的取向发生变化而进行显不ο
[0074]图1 (b)所例示的第1栅极驱动器76a以及第2栅极驱动器76b包含在例如第1驱动电路61中。图2所例示的驱动元件71以及电路部75包含在例如第2驱动电路62中。在设有多路调制器77的情况下，可以将多路调制器77包含在第2驱动电路62中。
[0075]进而，驱动部60可以设置检测电路65。检测电路65与检测线RL电连接。在检测动作中，通过例如第2驱动电路62和检测电路65，检测多个公共线CL各自和多个检测线RL各自之间形成的电容的变化。例如，图1 (a)所例示的检测部83包含于检测电路65。
[0076]通过例如多个检测线RL和多个公共线CL，来检测向显示装置110的接触输入。在检测动作中，例如，显示装置110的观察者(使用者)的手指或输入部件(例如输入笔等)等接触或接近于显示装置110。由检测线RL和公共线CL形成的静电电容通过上述的接触或接近而变化。通过检测该静电电容的变化，来检测接触输入。例如，进行静电电容型的检测。这种显示装置110可称为带输入功能的显示装置。
[0077]本实施方式中，公共线CL (第3布线L3)作为显示用的对置电极而使用，并且还作为检测用的对置电极而使用。
[0078]如图4例示的那样，多个像素35包括第1色像素35a和第2色像素35b。例如，多个像素电极Px包括第1色用的第1色像素电极Pxa和第2色用的第2色像素电极Pxb。第2色与第1色不同。多个信号线SL包括第1色布线Sla和第2色布线SLb。第1色布线Sla经由多个开关元件11的某一个开关元件而与第1色像素电极Pxa电连接。第2色布线SLb经由多个开关元件11的其他的某一个开关元件而与第2色像素电极Pxb电连接。进而，还可以设有第3色像素以及第3像素电极。与此相伴地，可以设有第3色布线。进而，可以设置4色以上的像素35。以下，对设有3色的像素35的情况的例进行说明。
[0079]图5是例示第一实施方式的显示装置的示意性剖面图。
[0080]如图5所示，显示装置110中设有第1基板部10u、第2基板部20u和显示层30。显示装置110中设有多个像素35。图5例示了 1个像素35的部分。
[0081]例如，作为第1基板部10u而使用阵列(array)基板。第1基板部10u上设有例如第1基板10、栅极线GL (第1布线L1)、开关元件11、信号线SL (第2布线L2)、公共线CL(第3布线L3)和像素电极Px。
[0082]栅极线GL以及信号线SL在例如X — Y平面内延伸。第1基板部10u在X — Y平面内延伸。
[0083]图5所示的第1基板10是光透过性的。作为第1基板10例如使用玻璃或树脂。第1基板10之上设有栅极线GL。
[0084]本实施方式中，作为开关元件11而使用薄膜晶体管(Thin FilmTransistor:TFT)。开关元件11包括半导体层12。半导体层12包括第1部分12a、第2部分12b和第3部分12c。第2部分12b在X — Y平面内与第1部分12a分离。第3部分12c配置在第1部分12a和第2部分12b之间。第1部分12a为开关元件11的源极以及漏极的一方。第2部分12b为源极以及漏极的另一方。第3部分12c为开关元件11的沟道部。
[0085]开关元件11还包括栅极llg和栅极绝缘膜lli。在第3部分12c和栅极llg之间设有栅极绝缘膜lli。图5中，在栅极llg之上配置第3部分12c。该例中，开关元件11具有底栅构造。实施方式中，开关元件11也可以具有顶栅构造。
[0086]栅极线GL以及栅极llg的至少某一个中使用第1金属层。第1金属层中使用例如Mo(钼)、MoW(钼钨)、A1(铝)以及Cu(铜)中的至少某一种。例如，第1金属层包含Mo。另外，栅极线GL以及栅极llg可以使用不同的材料来形成，也可以使用相同的材料形成为同层。在使用不同的材料形成了栅极线GL以及栅极llg的情况下，设置连接区域而进行电连接。
[0087]导体层12中使用例如多晶硅、非晶硅以及结晶硅中的至少某一种。作为半导体层12可以使用氧化物半导体。例如，半导体层12可以包含含有铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)中的至少某一种的氧化物。
[0088]信号线SL与第1部分12a电连接。图5所示的信号线SL具有层间绝缘层13上的区域即第1连接部15a、以及层间绝缘层13中的区域即第1连接导电部15c。图5中，作为信号线SL的一部分的第1连接导电部15c与第1部分12a电连接。
[0089]另一方面，第2部分12b之上设有与像素电极Px连接的引出电极。该引出电极具有层间绝缘层13上的区域即第2连接部15b、以及层间绝缘层13中的区域即第2连接导电部15d。图5中，第2连接导电部15d与第2部分12b电连接。
[0090]作为信号线SL的一部分的第1连接部15a以及第1连接导电部15c、和作为引出电极的一部分的第2连接部15b以及第2连接导电部15d中使用第2金属层。第2金属层中使用例如A1(铝)以及Cu (铜)中的至少某一种。例如第2金属层包含A1。
[0091]信号线SL的第1连接部15a与半导体层12之间、引出电极的第2连接部15b与半导体层12之间设有层间绝缘层13。另外如上所述，第1连接导电部15c以及第2连接导电部15d设置在层间绝缘层13中。
[0092]层间绝缘层13中例如使用氧化物或氮化物等。层间绝缘层13中使用例如硅氧化物、硅氮化物以及硅氮氧化物中的至少某一种。
[0093]图5中，公共线CL设置在信号线SL等的第2金属层之上。在公共线CL和信号线SL之间设有第1绝缘层II。第1绝缘层II设置在多个信号线SL和多个公共线CL之间。
[0094]第1绝缘层II例如作为平坦化层而发挥功能。例如，第1绝缘层II包括有机材料。第1绝缘层II包括例如丙烯酸树脂以及聚酰亚胺树脂中的至少某一种。作为第1绝缘层II，通过使用有机材料，能够得到高平坦性。另外，作为第1绝缘层II，也可以代替有机材料而使用无机材料。
[0095]在公共线CL之上设有像素电极Px。图5中，像素电极Px是梳状，像素电极Px包括多个部分Pxs。多个部分Pxs在X — Y平面内相互分离。像素电极Px与第2连接部15b电连接。图5中，作为像素电极Px的一部分的第3连接导电部17与第2连接部15b电连接。
[0096]公共线CL以及像素电极Px中的至少某一方使用例如光透过性的导电层。例如，公共线CL以及像素电极Px中的至少某一方使用包含从由In、Sn、Zn以及Ti构成的群中选择出的至少某一种的元素在内的氧化物。公共线CL以及像素电极Px使用例如ITO(IndiumTin Oxide)等。作为公共线CL以及像素电极Px，可以使用例如光透过性的薄金属层。如后述那样，可以对公共线CL设置辅助布线。
[0097]在像素电极Px和公共线CL之间设有第2绝缘层12。图5中，多个公共线CL的至少一部分配置在多个像素电极Px的某一个像素电极的至少一部分和多个信号线SL的某一个信号线的至少一部分之间。此外，第2绝缘层12配置在多个公共线CL的上述至少一部分和多个像素电极Px的某一像素电极的上述至少一部分之间。
[0098]第2绝缘层12可以使用例如与第1绝缘层II相同的材料，也可以使用其他的材料。第2绝缘层12的材料是任意的。
[0099]图5中，在像素电极Px之上设有第1取向膜18。
[0100]第2基板部20u在Z轴方向上与第1基板部10u分离。图5中，第2基板部20u包括第2基板20、滤色器层25、第2取向膜28和检测线RL(第4布线L4)。检测线RL与开关元件11以及多个像素电极Px分离。在检测线RL和第1基板部10u之间设有第2基板20。在第2基板20和第1基板部10u之间设有滤色器层25。在滤色器层25和第1基板部10u之间设有第2取向膜28。
[0101]图5中，第2基板20是光透过性的。第2基板20使用例如玻璃或树脂。
[0102]作为检测线RL的材料，例如使用光透过性的导电材料。检测线RL使用包含从由In、Sn、Zn以及Ti构成的群中选择出的至少某一种的元素在内的氧化物(例如ΙΤ0等)等。作为检测线RL，可以使用光透过性的薄金属层。此外，作为检测线RL，可以使用金属布线。在作为检测线RL而使用了金属布线的情况下，优选的是做成不能被视觉辨认的尽可能细的布线。此外在作为检测线RL而使用了金属布线的情况下，需要抑制基于该金属布线彼此的排列、或该金属布线与后述的滤色器层25的排列、或该金属布线与像素的排列的关系而产生干涉纹(moire)的情况。为了抑制该干涉纹，可以将该金属布线的形状设为，使具有规定的长度的金属片与相邻的金属片保持规定的角度配置的形状。
[0103]滤色器层25包括例如红着色层、绿着色层以及蓝着色层等。另外，本例中，与滤色器层25同层地形成将TFT遮光的遮光层BM。红着色层、绿着色层以及蓝着色层各自对应于多个像素35的各个地配置。滤色器层25的色可以是4色以上。实施方式中，滤色器层25可以省略。滤色器层25可以设置在第1基板部10u。
[0104]第1取向膜18以及第2取向膜28使用例如聚酰亚胺等。这些取向膜根据需要进行取向处理(例如研磨(rubbing)处理等)。或者