Coa型阵列基板及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种C0A型阵列基板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，IXD)及有机发光二极管显不装置(Organic Light Emitting Display, OLED)。
[0003]现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。通常液晶显示面板由彩膜基板(CF，Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT，Thin Film Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成。
[0004]现有的液晶显示装置大多数是在彩膜基板中设置彩色光阻层，以彩色光阻层过滤产生红(R)，绿(G)，蓝(B)三原色，再将三原色以不同的比例混合而生成各种色彩，来显示彩色图像。随着信息技术发展，对显示图像的显示装置的各种需求也在增加。高透过率、低功耗、成像质量佳等也成为人们对显示装置的要求。传统的平面显示装置采用的红(R)，绿(G)，蓝(B)三原色系统的穿透率及混光效率都比较低，混合而成的白光显色性能较弱，导致显示装置的能耗较大。因而，提出了在传统的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素的基础上，添加一个白色(W)子像素，构成RGBW四色显示装置，可以提高穿透率和显示亮度，降低显示能耗。
[0005]COA (Color filter On Array)是一种将彩色光阻层制备于阵列基板上的技术。请参阅图1，图1为现有的一种RGBW模式的C0A型阵列基板，该阵列基板包括:基板100、设于基板100上的TFT层200、设于所述TFT层200上的彩色光阻层300、及设于所述彩色光阻层300上的像素电极400，所述彩色光阻层300包括数个阵列排布的:红色光阻块301、绿色光阻块302、蓝色光阻块303、及透明光阻块304。该阵列基板采用RGBW四色显示技术，虽然能够提高穿透率和显示亮度，但是由于红、绿、蓝三色光的混色光为白色光，因此会降低显示画面的对比度，在显示灰阶为0的全暗画面时，会存在漏光的问题。
[0006]CMY模型是采用青色(Cyan，C)、品红色(Magenta，Μ)、黄色(Yellow，Y)三种基本颜色按一定比例合成颜色的方法，在CMY模型中，青色、品红色、黄色三种颜色混色时显示黑色。
【发明内容】
[0007]本发明的目的在于提供一种C0A型阵列基板，能够在不降低对比度的前提下，提升面板的穿透率和亮度，且避免漏光的问题。
[0008]本发明的目的还在于提供一种C0A型阵列基板的制作方法，该方法工艺简单，制得的C0A型阵列基板能够在不降低对比度的前提下，提升面板的穿透率和亮度，且避免漏光的问题。
[0009]为实现上述目的，本发明提供一种C0A型阵列基板，包括:基板、设于所述基板上的TFT层、设于所述TFT层上的彩色光阻层、及设于所述彩色光阻层上的像素电极；
[0010]所述基板包括呈阵列排布的数个子像素区域，所述彩色光阻层包括对应数个子像素区域的数个色阻块，所述数个色阻块包括品红色光阻块、青色光阻块、黄色光阻块、及透明光阻块，在白光照射下，所述品红色光阻块、青色光阻块、黄色光阻块、及透明光阻块分别透射出品红色、青色、黄色、及白色光。
[0011 ] 所述TFT层包括对应数个子像素区域的数个TFT，所述TFT包括:设于所述基板上的栅极、设于所述栅极金属层及基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、及设于所述半导体层上的源极与漏极。
[0012]所述彩色光阻层上对应所述漏极上方设有过孔，所述像素电极通过该过孔与漏极相接触。
[0013]所述彩色光阻层中的数个色阻块构成多个重复排列的像素单元，每个像素单元包括左到右依次排列的品红色光阻块、青色光阻块、黄色光阻块、及透明光阻块。
[0014]所述像素电极的材料为ΙΤ0。
[0015]本发明还提供一种C0A型阵列基板的制作方法，包括如下步骤:
[0016]步骤1、提供一基板，所述基板包括呈阵列排布的数个子像素区域，在所述基板形成TFT层；
[0017]步骤2、在所述TFT层上制作彩色光阻层，所述彩色光阻层包括对应数个子像素区域的数个色阻块，所述数个色阻块包括品红色光阻块、青色光阻块、黄色光阻块、及透明光阻块；
[0018]步骤3、在所述彩色光阻层上形成像素电极。
[0019]所述TFT层包括对应数个子像素区域的数个TFT，所述TFT包括:设于所述基板上的栅极、设于所述栅极金属层及基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、及设于所述半导体层上的源极与漏极。
[0020]所述彩色光阻层上对应所述漏极上方设有过孔，所述像素电极通过该过孔与漏极相接触。
[0021]所述彩色光阻层中的数个色阻块构成数个重复排列的像素单元，每个像素单元包括从左到右依次排列的品红色光阻块、青色光阻块、黄色光阻块、及透明光阻块。
[0022]所述像素电极的材料为ΙΤ0。
[0023]本发明的有益效果:本发明提供一种C0A型阵列基板及其制作方法，采用C0A技术在阵列基板上设置彩色光阻层，所述彩色光阻层包括呈阵列排布的多个品红色光阻块、青色光阻块、黄色光阻块、及透明光阻块，由于品红色、青色、黄色三种光的混色为黑色，因此可以提升显示装置的对比度，避免现有的RGBW四色显示模式在显示全暗画面(灰阶为0)时的漏光问题，同时结合透明光阻块构成的白色子像素，能够提升显示亮度与穿透率。本发明还提供一种C0A型阵列基板的制作方法，该方法工艺简单，制得的C0A阵列基板能够保持对比度，避免现有的RGBW四色显示模式在显示全暗画面时的漏光问题，同时能够提升显示亮度与穿透率。
[0024]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【附图说明】
[0025]下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0026]附图中，
[0027]图1为现有的RGBW模式的C0A型阵列基板的结构示意图；
[0028]图2为本发明的C0A型阵列基板的结构示意图；
[0029]图3为本发明的C0A型阵列基板的制作方法的流程图。
【具体实施方式】
[0030]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0031]请参阅图2，本发明首先提供一种C0A型阵列基板，包括:基板1、设于所述基板1上的TFT层2、设于所述TFT层2上的彩色光阻层3、及设于所述彩色光阻层3上的像素电极4 ；
[0032]所述基板1包括呈阵列排布的数个子像素区域10，所述彩色光阻层3包括对应数个子像素区域10的数个色阻块30，所述数个色阻块30包括品红色光阻块31、青色光阻块
32、黄色光阻块33、及透明光阻块34，在白光照射下，所述品红色光阻块31、青色光阻块32、黄色光阻块33、及透明光阻块34分别透射出品红色、青色、黄色、及白色光。
[0033]具体的，所述TFT层2包括对应数个子像素区域10的数个TFT20，所述TFT2