液晶显示器的制造方法
【技术领域】
[0001]本文献涉及液晶显示器，更具体地讲，涉及一种可通过防止数据线与像素电极之间的寄生电容的偏差来避免画面质量下降的液晶显示器。
【背景技术】
[0002]近年来，在各种类型的显示装置当中，液晶显示器由于诸如画面质量优异、重量轻和功耗低的特征而得以广泛使用。液晶显示器通过控制具有介电各向异性的液晶的透光率来显示图像。液晶显示器包括液晶面板以及用于驱动该液晶面板的驱动电路，在该液晶面板中液晶单元呈矩阵排列。
[0003]液晶面板包括薄膜晶体管阵列基板和滤色器阵列基板。薄膜晶体管阵列基板包括具有栅电极、半导体层、源电极和漏电极的薄膜晶体管、连接到该薄膜晶体管的像素电极以及与该像素电极相对地设置以与该像素电极形成电场的公共电极。滤色器阵列基板包括滤色器和黑色基底。
[0004]在液晶显示器中，以反转方式来驱动液晶面板以便防止液晶的劣化并改进显示质量。反转方法的示例包括巾贞反转法、行反转法、列反转法、点反转法、z反转法等。
[0005]在这些反转方法中，Z反转法是按照列反转方式将像素信号供应给数据线的方法。在Z反转法中，薄膜晶体管和像素电极按照锯齿形图案交替地设置在数据线的左侧和右侦L即，Z反转法是列反转法的改进版本，其中按照列反转方式驱动电路，并且液晶面板的薄膜晶体管布置在各个数据线的反向上，以按照与点反转法相同的方式在屏幕上显示图像。Z反转法产生类似于点反转法的效果，并且使得功耗急剧降低。
[0006]以下，将参照图1描述现有技术的Z反转型液晶显示器。图1是示出现有技术的Z反转型液晶显示器的像素阵列的俯视平面图。
[0007]参照图1，现有技术的Z反转型液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板包括被设置为彼此交叉的多条选通线G1和G2与多条数据线Dl、D2和D3。
[0008]由选通线G1和G2与数据线D1、D2和D3的交叉限定像素区域。像素电极P1、P2、P3和P4分别设置在像素区域中。
[0009]薄膜晶体管TFT1、TFT2、TFT3和TFT4设置在选通线G1和G2与数据线Dl、D2和D3的交叉区域处。薄膜晶体管TFT1、TFT2、TFT3和TFT4沿着数据线Dl、D2和D3按照锯齿形图案交替地布置在左侧和右侧。因此，像素电极P1、P2、P3和P4也按照锯齿形图案布置。即，由于薄膜晶体管TFT1、TFT2、TFT3和TFT4以及像素电极P1、P2、P3和P4沿着数据线Dl、D2和D3交替地布置在左侧和右侧，所以对于各个水平行，设置在由两个相邻数据线D1和D2或者D2和D3限定的相同列区域中的薄膜晶体管TFT1和TFT2或者TFT3和TFT4以及像素电极P1和P2或者P3和P4交替地连接到相邻数据线D1和D2或者D2和D3。
[0010]然而，在该Z反转型液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板制造中，在用于形成数据线Dl、D2和D3、源电极SE和漏电极DE的源/漏层形成工艺与用于形成像素电极P1、P2、P3和P4的像素电极层形成工艺之间可能存在工艺偏差。当这种工艺偏差引起源/漏层与像素电极层之间的偏移时，在像素电极P3和P4与数据线D1、D2和D3之间的寄生电容中生成差异。
[0011]以下，将参照图2详细描述由于工艺偏差而在寄生电容中生成差异。图2是用于说明由源/漏层与像素电极层之间的偏移引起的数据线与像素电极之间的寄生电容的变化的示图。图2中的(a)是示出在正常状态下形成的数据线D2与像素电极P1和P2的示图，图2中的(b)是示出像素电极P1和P2由于工艺偏差而向图的左侧偏移的示图，图2中的(c)是示出像素电极P1和P2由于工艺偏差而向图的右侧偏移的示图。
[0012]参照图2中的(a)，数据线D2距左侧和右侧的像素电极P1和P2的距离相等，因此不存在由于从数据线D2至像素电极P1的距离与从数据线D2至像素电极P2的距离之间的差异而引起的寄生电容的偏差。
[0013]然而，如图2中的(b)和(c)所示，如果像素电极P由于工艺偏差而向一侧(例如，左侧或右侧)偏移，则在从数据线D2至像素电极P1的距离与从数据线D2至像素电极P2的距离之间生成差异。这由于从数据线D2至像素电极P1的距离与从数据线D2至像素电极P2的距离之间的差异而在寄生电容中生成偏差。
[0014]此外，在Z反转型液晶显示器中，设置在数据线D2的左侧和右侧的像素电极P1和P2被充入有具有相反极性的像素信号。因此，具有相反极性的数据线D2(_)与左侧像素电极Pl(+)之间的电压偏差的量大于或小于具有相同极性的数据线D2(_)与右侧像素电极P2(_)之间的电压偏差的量。因此，这导致数据线D2(_)和左侧像素电极Pl(+)之间的第一寄生电容与数据线D2(_)和右侧像素电极P2(_)之间的第二寄生电容之间的偏差更大。
[0015]数据线与像素电极之间的寄生电容的这种偏差导致通过Z反转驱动连接到相同数据线的像素区域中的跳变电压(kickback voltage) Δ Vp的差异，从而导致画面质量下降(例如，残像(afterimage)或闪烁)。
[0016]因此，需要一种能够防止像素电极与数据线之间的寄生电容的偏差的液晶显示器。
【发明内容】
[0017]本文献的一方面在于提供一种能够通过防止数据线与像素电极之间的寄生电容的偏差来避免画面质量下降的液晶显示器。
[0018]本发明的示例性实施方式提供了一种液晶显示器，该液晶显示器包括:彼此交叉地布置的多条数据线和多条选通线；多个补偿图案，其分别覆盖所述数据线；多个薄膜晶体管，其被设置在与所述数据线和所述选通线的交叉相邻的区域处；多个像素电极，其被设置在由所述选通线与所述数据线的所述交叉限定的像素区域中并且分别连接到所述多个薄膜晶体管；以及公共电极，其被设置为与所述像素电极交叠，使得钝化膜插置在所述公共电极与所述像素电极之间，其中，各个所述补偿图案的一个边缘与所述像素电极间隔开预定距离。
[0019]所述补偿图案和所述像素电极由相同的材料制成。
[0020]所述数据线被设置在覆盖薄膜晶体管的栅电极的栅绝缘膜上，所述像素电极被设置在所述栅绝缘膜上，各个补偿图案与设置在其两侧上的像素电极的距离相等。
[0021]本发明的另一示例性实施方式提供了一种液晶显示器，该液晶显示器包括:彼此交叉地布置的多条数据线和多条选通线；多个薄膜晶体管，其被设置在与所述数据线和所述选通线的交叉相邻的区域处；一对补偿图案，其与各条数据线间隔开并且被布置在所述数据线的两侧；多个像素电极，其被设置在由所述选通线与所述数据线的所述交叉限定的像素区域中并且分别连接到所述薄膜晶体管；以及公共电极，其被设置为与所述像素电极交叠，使得钝化膜插置在所述公共电极与所述像素电极之间，其中，各个所述像素电极被形成为部分地覆盖所述一对补偿图案中的一个。
[0022]所述补偿图案和所述像素电极由相同的材料制成。
[0023]所述数据线被设置在覆盖薄膜晶体管的栅电极的栅绝缘膜上，所述数据线和所述一对补偿图案被设置在所述栅绝缘膜上，各条数据线与设置在其两侧的补偿图案的距离相坐寸。
[0024]由于即使发生工艺偏差，数据线与布置在数据线的两侧的像素电极之间的距离也保持恒定，所以根据本发明的液晶显示器没有寄生电容的偏差，因此防止了诸如残像或闪烁的画面质量下降。
【附图说明】
[0025]附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式并与说明书一起用于说明本发明的原理。附图中:
[0026]图1是示出现有技术的Z反转型液晶显示器的像素阵列的俯视平面图；
[0027]图2是用于说明由源/漏层与像素电极层之间的移位引起的数据线与像素电极之间的寄生电容的变化的示图；
[0028]图3是示出根据本发明的示例性实施方式的液晶显示器的框图；
[0029]图4是示