准量测机台内设置光刻对准量测程序以确定所述硅片对准标记测量点位置。光罩系统中储存有光罩平面信息文件，所述光罩平面信息文件中包含有各种版图的对准信息以及光罩上定义的光刻图形的位置信息。所述光刻对准测量程序的设置依据为光罩系统中储存的光罩上定义的光刻图形位置信息，这样可以给光刻对准测量程序的设置提供信息，避免盲目设置，提高效率同时提高精度。
[0035]步骤二 S2:采集设置于最小曝光单元1 (Shot)，即光罩在硅片上的最终图形中的多个测量点2的坐标。
[0036]最小曝光单元1中的娃片对准标记测量点2数量不少于4个。如图4所示,在本实施例中，以1个最小曝光单元1为例，所述最小曝光单元1中的硅片对准标记测量点2数量设置为4个，所述硅片对准标记测量点2分别位于所述最小曝光单元1的左上角、右上角、右下角及左下角，构成矩形结构。在本实施例中，位于所述最小曝光单元1的左上角的测量点为A1,其坐标为(xl, yl);右上角的测量点为A2,其坐标为(x2, yl);右下角的测量点为A3，其坐标为(x2，y2);左下角的测量点为A4，其坐标为(xl，y2)。
[0037]步骤三S3:根据所述硅片对准标记测量点2的坐标计算硅片对准标记测量点2位置位移。
[0038]本步骤S3中，所述硅片对准标记测量点2位置位移包括X方向位置位移x、Y方向位置位移1及对角位置位移xy。由步骤二 S2中坐标可知,Χ方向位置位移X = x2-xl,Y方向位置位移y = y2-yl,对角位置位移xy = SQRT(x2+y2)。
[0039]步骤四S4:将对准量测机台计算所得硅片对准标记测量点2位置位移与光罩上定义的位置位移作比较，若偏差在允许范围内，则结束；若偏差超出允许范围，则返回步骤一S1重新设置所述硅片对准标记测量点2位置，直至偏差在允许范围内为止。
[0040]从光罩系统中储存的光罩平面信息文件中获取与所述硅片对准标记测量点2位置位移相对应的光罩上定义的位置位移x’、y’、(xy)’，其中，(xy)，= SQRT(x，2+y，2)。将步骤三S3中计算所得的硅片对准标记测量点2位置位移与相应的光罩上定义的位置位移作比较，比较结果的偏差值需控制在允许范围内，所述允许范围可根据实际测量要求进行设定。在本实施例中，所述允许范围设定为不大于0.0015%，若X与X’的偏差、y与y’的偏差及xy与(xy)’的偏差不大于0.0015%，则认为所述对准测量程序设置完成，可进行下一步操作程序；若X与X’的偏差、y与1，的偏差及xy与(xy)，的偏差大于0.0015%,贝ij返回步骤一 S1重新设置所述硅片对准标记测量点2的位置。
[0041]本发明的对准测量方法通过设置光刻对准量测程序得到各硅片对准标记测量点坐标，并将硅片对准标记测量点坐标信息转化为位置位移，并与光罩上定义的位置位移做比较，并将比较所得的偏差控制在满足测量要求的范围内，以光罩上定义的光刻图形信息为依据，大大提高了光刻对准量测程序设置的准确性，保证了后续自动补偿的准确性，进而提高硅片套准精度的准确性，保证了硅片的良品率。
[0042]综上所述，本发明提供一种对准测量方法，所述对准测量方法至少包括以下步骤:将待测量工件引入对准量测机台，在所述对准量测机台内设置用于对准测量的硅片对准标记测量点位置；采集设置于最小曝光单元中的多个硅片对准标记测量点的坐标；根据所述硅片对准标记测量点的坐标计算硅片对准标记测量点位置位移；将对准量测机台计算所得硅片对准标记测量点位置位移与光罩上定义的位置位移作比较，若偏差在允许范围内，则结束；若偏差超出允许范围，则返回重新设置所述硅片对准标记测量点位置，直至偏差在允许范围内为止。本发明的对准测量方法通过设置光刻对准量测程序得到各硅片对准标记测量点坐标，并将硅片对准标记测量点坐标信息转化为位置位移，并与光罩上定义的位置位移做比较，并将比较所得的偏差控制在满足测量要求的范围内，以光罩上定义的光刻图形信息为依据，大大提高了光刻对准量测程序设置的准确性，保证了后续自动补偿的准确性，进而提高硅片套准精度的准确性，保证了硅片的良品率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0043]上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种对准测量方法，其特征在于，所述对准测量方法至少包括以下步骤: 步骤一:将待测量工件引入对准量测机台，在所述对准量测机台内设置用于对准测量的硅片对准标记测量点位置； 步骤二:采集设置于最小曝光单元中的多个硅片对准标记测量点的坐标； 步骤三:根据所述硅片对准标记测量点的坐标计算硅片对准标记测量点位置位移； 步骤四:将对准量测机台计算所得硅片对准标记测量点位置位移与光罩上定义的对准标记点位置位移作比较，若偏差在允许范围内，则结束；若偏差超出允许范围，则返回步骤一重新设置所述硅片对准标记测量点位置，直至偏差在允许范围内为止。2.根据权利要求1所述的对准测量方法，其特征在于:所述待测量工件为带有光刻图形息的晶圆。3.根据权利要求1所述的对准测量方法，其特征在于:步骤一中硅片对准标记测量点位置的设置依据为光罩上定义的光刻图形位置信息。4.根据权利要求1所述的对准测量方法，其特征在于:最小曝光单元中的硅片对准标记测量点数量不少于4个。5.根据权利要求1所述的对准测量方法，其特征在于:步骤三中所述测量点位置位移包括X方向位置位移、Y方向位置位移及对角位置位移。6.根据权利要求1所述的对准测量方法，其特征在于:步骤四中所述允许范围设定为不大于0.0015%。
【专利摘要】本发明提供一种对准测量方法，至少包括以下步骤：将待测量工件引入对准量测机台，在所述对准量测机台内设置用于对准测量的硅片对准标记测量点位置；采集设置于最小曝光单元中的多个硅片对准标记测量点的坐标；根据所述硅片对准标记测量点的坐标计算硅片对准标记测量点位置位移；将对准量测机台计算所得硅片对准标记测量点位置位移与光罩上定义的对准标记点位置位移作比较，若偏差在允许范围内，则结束；若偏差超出允许范围，则返回重新设置所述硅片对准标记测量点位置，直至偏差在允许范围内为止。本发明大大提高了光刻对准量测程序设置的正确性，保证了后续自动补偿的准确性，进而提高硅片套准精度的准确性，保证了硅片的良品率。
【IPC分类】G03F9/00
【公开号】CN105446090
【申请号】CN201410410237
【发明人】包巧霞, 邓贵红, 余志贤
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年8月20日