导电膜和电子发射器件的生产方法

专利名称：导电膜和电子发射器件的生产方法
(本申请是1997年2月5日递交的申请号为97109530.2、发明名称为“电子发射器件、电子源和图像形成设备的生产方法”的申请的分案申请。)
另一方面，近年来，采用液晶的平板式显示设备在一定程度上正在取代示波管。然而，上述平板式显示设备具有一些缺点，该缺点包括由于它们不是放射式，故这些设备带有背衬光，因此目前人们对放射式显示设备有着强烈的需求。虽然作为放射式显示设备，等离子体显示器正在走向商品化，但是它们是基于与示波管不同的原理，从对比度、色彩效果和其它的技术因素的观点来看，至少在目前它们还无法与示波管相竞争。由于就通过设置多个电子发射器件来形成电子源方面来说，电子发射器件具有很好的前景，并且就光发射效果来说，包括上述电子源的图像形成设备预计与示波管具有相同的效果，因此人们正考虑努力研制与开发上述类型的电子发射器件。
比如，本发明的申请人提出了下述电子源和包括该电子源的图像形成设备的多种方案，该电子源是通过设置下述的多个表面传导电子发射器件来实现的，该电子发射器件为冷阴极式器件。
虽然包括JP特开平7-235255号文献的多篇文献中具体描述了表面传导电子发射器件，以及包括该器件的电子源的结构和特征，但是上述器件的描述仅仅是泛泛的。图4A和4B以示意方式表示了下述的表面传导电子发射器件，该器件包括基层1，一对器件电极2和3，以及导电膜4，该导电膜4包括电子发射区域5。就形成电子发射区域的方法来说，部分导电膜会发生变形，变质或损坏，从而在成对电极之间施加电压时它具有很高的电阻。上述步骤称为“激发形成步骤”。为了形成在导电膜中可很好地发射电子的电子发射区域，导电膜最好包括导电性微小颗粒，如氧化钯(PdO)微小颗粒。激发形成步骤最好采用脉冲电压。用于激发形成步骤的脉冲电压可具有如

图13A所示的恒定的波高，或作为替换方式，它可具有如图13B所示的逐渐增加的波高。
当采用下述的气体沉淀方法形成微小颗粒导电膜时，通过该方法可直接将导电性微小颗粒沉淀于基层上，则将构成导电膜(比如有机金属化合物)成分的化合物的溶液敷设于基层上，并且通过加热形成所需要的导电膜的方法特别是对形成较大的电子源来说具有较突出的优点，因为该方法无需采用真空设备，因此其成本较低。为了仅仅将有机金属化合物溶液敷设于所需要的区域，最好采用喷墨装置，因为该装置无需对导电膜进行附加的绘制图案操作。
在形成电子发射区域后，通过沉淀方法在该电子发射区域中及其附近处形成主成分包括碳的膜，以便增加流过器件的电流强度，通过在包括有机物质的适合环境中的器件电极之间施加脉冲电压改善装置的电子发射特性(称为“活化步骤”的步骤)。
接着，最好对该电子发射器件进行称为“稳定步骤”的步骤，在这里上述器件放入真空容器中加热，同时对该真空容器逐渐抽气以便将在真空容器中剩余的有机物质以令人满意的方式取除，并使该器件稳定地工作。
在下述文献中公开了用于包括表面传导电子发射器件的导电膜的形成方法，该文献包括JP特开平8-273529号文献，该专利申请的申请人就是本专利申请的申请人。
下面对可用于本发明的喷墨装置进行简要的描述。
根据喷墨装置所采用的喷墨方式，该喷墨装置一般分为两种类型。
根据第1种喷墨方式，墨的微小液滴是借助设置于喷嘴中的压电部件的收缩产生的压力来喷射的。第2种方式称为气泡喷射系统，借助该系统墨通过发热电阻器加热而成气泡，之后以微小液滴的形式喷射。
图5和图6示意性地表示这两种类型的喷墨装置。
图5表示压电喷射式喷墨装置，该装置包括第1玻璃制喷嘴21，第2玻璃制喷嘴22，柱状压电部件23，输送待喷射的液体的管25和26，该液体一般为有机金属化合物的溶液，电信号输入端27。当预定电压施加于电信号输入端时，柱状压电部件收缩从而将作为微小液滴而存放在那里的液体排出。
图6表示气泡喷射式喷墨装置，该装置包括底板31，发热电阻器32，支承板33，液体通道34，第1喷嘴35，第2喷嘴36，隔壁37，一对液体腔38和39，其内包括有预定的液体，一对液体供给口310和311，以及顶板312。在上述结构中，通过发热电阻器所产生的热量使液体腔中的液体变成气泡，并从喷嘴排出。虽然上述的每个装置具有一对喷嘴，但是所考虑的类型的装置中所设置的喷嘴的数量不必限于两个。
在通过上述的任何一种喷墨装置仅仅向预定的区域敷设作为微小液滴的有机金属化合物的溶液之后，对上述溶液进行干燥，对有机金属化合物加热，使其热解从而产生下述的导电膜，该导电膜一般由金属或金属氧化物的微小颗粒形成。
所形成的导电膜的厚度最好在几个至50nm之间，虽然该厚度随着导电膜的电阻值，器件电极之间的间距、以及其它的因素的不同而不同。在单个电子发射器件内部，以及在电子源中的电子发射器件之间，膜的厚度的变化值必须严格地进行限制。
如果电子发射器件中的导电膜具有较大的变化值，则在电子发射器件中不会正确适合地形成电子发射区域。同样，下述的电子源不会平稳均匀地发射电子，该电子源包括大量的电子发射器件，该装置的膜厚度均匀较大的变化值。
因此，必须对用于形成导电膜的喷墨装置进行全面检查和调节以便保证平稳均匀地形成下述的导电膜，该导电膜的厚度不具有非所需的变化值。
仅仅采用下述的电子源便可生产较大的，具有较高分辨率的平板式图像形成设备，该电子源包括下述大量的电子发射器件，该装置从上述的观点来看可以以令人满意的方式工作。
因此，虽然可对用来在相应的电子发射器件上形成导电膜的喷墨装置的操作进行严格的控制以便避免产生有缺陷的器件，但是随着设置于图像形成设备中的电子发射器件的数量的增加，产生有缺陷的器件的可能性便会加大。
造成通过喷墨装置形成的有缺陷的导电膜包括多种原因，它包括噪音，该噪音混入下述的电信号中，该信号用于对下述的喷墨装置进行控制，该噪音会干扰正常的装置的液滴的喷射操作从而使所形成的导电膜的厚度大大偏离预定值，机械振动，该振动会使液滴敷设于电子源基层上的位置发生移动，异物，该异物掉入喷墨装置中的液体中从而干扰装置的正常的液体的排出，进而就厚度，位置和形状来说使所形成的导电膜是不能容许的。
如果大批量生产电子发射器件，特别是当必须在单个基片上生产大量的电子发射器件时，则很难提高合格器件的生产率，或者生产量。
生产量是与高的生产成本和需要对所废弃的装置进行处理是相伴随的。考虑到对工业废料量的压缩的社会需求，因此急需一种以较高产量生产电子发射器件的方法。
基于上面描述的情况，本发明的目的在于提供一种电子发射器件、例如表面传导电子发射器件的生产方法，该器件具有导电膜，该导电膜包括电子发射区域，在电子发射器件生产过程中该电子发射区域可用于对废弃的导电膜修正成可接受的导电膜。
本发明的另一目的在于提供一种电子源的生产方法，该电子源包括多个电子发射器件，该方法通过在生产电子源过程中修正在器件中所发现的有缺陷的导电膜而可明显提高生产量。
本发明还一个目的在于提供一种图像形成设备的生产方法，该图像形成设备包括设置大量的电子发射器件而形成的电子源，该方法可明显有效地提高生产量，可生产下述的图像形成设备，该设备不具有有缺陷的图像，并且亮度不会发生明显的改变。
根据本发明的另一方面，本发明提供一种电子源的生产方法，该电子源包括多个设于基层上的电子发射器件，每个电子发射器件带有包括电子发射区域的导电膜，该导电膜设于一对器件电极之间，其特征在于，上述电子发射器件是采用上述的方法生产的。
根据本发明的再一个方面，本发明还提供一种图像形成设备的生产方法，该图像形成设备包括电子源，该电子源是通过将在基层上设置多个电子发射器件形成的，每个电子发射器件带有包括电子发射区域的导电膜，该导电膜位于一对器件电极之间，用于通过辐射电子源发出的电子而形成图像的图像形成部，其特征在于，上述电子发射器件是采用上述的方法生产的。
下面参照表示本发明优选实施例的的附图对本发明进行具体描述。
图9为通过本发明的方法生产的图像形成设备的示意图；图10为用于激发形成步骤的布线结构的示意图；图11A，11B，11C，11D和11E为本发明的通过照相平版印刷法来形成线路的电子源的局部示意图；图12为图11A～11E所示的的电子源的平面图，该图表示沿A-A线的剖面图；图13A和13B为两种不同的脉冲电压波形图，它可用于本发明用的激发形成方法。
图14为导电性微小颗粒膜厚度和表面电阻之间的关系图；图15为具有梯形状布线结构的电子源的示意图；图16为包括图15所示的电子源的图像形成设备的示意图。
实施发明的具体方式一方面，本发明涉及一种电子源生产方法，该电子源包括设置于基层上的多个电子发射器件，每个电子发射器件具有一对电极和导电膜，该对电极相对地设置于上述基层上，该导电膜与上述成对的电极相连接，并且局部包括电子发射区，其中每个电子发射器件的导电膜的形成方法包括以下步骤，通过喷墨装置将包括导电膜材料的液滴敷设于基片的预定区域，对所敷设的液体进行干燥，之后对其进行加热以便形成导电性微小颗粒膜，上述导电膜的形成方法还包括下述的其它步骤。
按照实现本发明的第1种优选方式，上述的其它步骤包括对用于形成导电性微小颗粒膜(在本说明书后面简称为“初始膜”)的初始膜进行检查，该导电性微小颗粒膜是通过喷墨装置敷设液滴而形成的，从经上述检查步骤确定为有缺陷的区域去除上述模，再次将液滴敷设于上述去除模的区域。下面参照图1A～图1E对上述步骤进行描述。
参照图1A，图中表示有用于形成电子源的基层1和电极2和3。初始膜6形成于上述一对电极之间从而将它们进行电连接。如果所形成的初始膜偏移其正确位置，通过上述的方法对其位置进行修正。具体来说，标号6’表示必须修正的发生偏移的初始膜。对初始膜异常状态，如偏移进行检查用的方法包括通过显微镜用眼进行观察。图1A还表示异常状态的检测装置。参照图1A，图中表示有反射镜11，将用于修正的溶剂排出的喷墨装置12，以及设有图像放大光学系统的成像设备13。通过上述装置，可对有缺陷的初始膜进行检查，可对溶剂进行敷设，同时可通过成像设备对喷墨装置进行检查以便使其进行正确的定位。通过上述检查操作，可对初始膜的位移以及下述异常状态一起进行检测，该异常状态包括异常形状，初始膜的异常膜厚度，以及下述金属化合物中的异常大的晶体，该金属化合物构成导电膜的导电材料的初始膜。为实现本发明，处于上述异常状态下的初始膜确定为有缺陷。
可采用各种方法将有缺陷的膜去除。
对于第1种方法，通过溶解稀释使通过喷墨装置敷设溶剂，比如水或有机溶剂而形成的膜发生膨胀。虽然不应当使该膜膨胀而触及相邻设置的装置，但是经证明，如果在下述条件下该方法是简单和有效的，该条件指膜装置与相邻的装置分开所需的间距，经干燥和加热后膜中的微小颗粒分散开，从而该膜膨胀到足够程度以便从整体上看其不具有导电性。
下面参照图1B～1D对上述的去除膜的方法进一步进行描述。首先，如图1B所示，将溶剂液滴敷设于待修正的初始膜上。之后，在不触及相邻的电子发射器件的情况下，使在初始膜上形成的溶剂浆液15膨胀。当对该溶剂干燥时，忽略剩余的有机金属化合物的量，如图1D所示，这样基本恢复初始膜形成之前的上述器件的形状。通过本发明的方法，在通过上述步骤去除有缺陷的膜后，如图1E所示，可再次形成初始膜。
下面对导电性微小颗粒膜的膜表面电阻和膜厚度之间的关系进行描述。
当用于本发明的导电薄膜由电阻率为ρ，宽度为w，长度为I，厚度为t的材料制成时，上述膜的表面电阻Rs构成膜的纵向两端之间的膜的电阻R。
R＝Rs·I/w如果ρ和t保持恒定，与位置无关，则表面电阻Rs按下述公式表示Rs＝ρ/t因此，如果平均膜厚度比膜的微小颗粒的平均直径足够大，则Rs与t成反比。这是因为由于较小的膜厚度的各种计算值和位置变化对本发明来说不重要，微小颗粒膜可基本看作均匀连续的延伸膜。
然而，如果平均膜厚度与膜的微小颗粒的平均直径基本相同，则膜的局部的不平整度会对膜的表面电阻产生很大的影响，这是因为上述膜由微小颗粒构成，为了使表面电阻大于下述数值，该数值是通过与膜厚度成反比的上述的关系计算得出的，膜厚度的位置变化相对平均膜厚度不可忽略不计。
当平均膜厚度进一步减小时，电阻突然增加，直至从整体上看该膜完全不导电，这是因为膜的微小颗粒的很大部分相互不接触。在该状态下，当颗粒相互不接触时，颗粒团分开，每个颗粒团由单个或多个微小颗粒形成。在此状态下称其为“膜”是不合适的，如果这种命名方式不会引起误解，为了方便起见，在下面仍将称为“膜”。
图14为下述氧化钯(PdO)微小颗粒膜的表面电阻与膜厚度之间的关系图，该氧化钯微小颗粒是采用有机钯化合物酸溶液制成的，这一点将参照实例1-1和其它的实例在后面进行描述。在这些实例中，膜厚度是通过对敷设有机钯化合物酸溶液液滴的次数进行控制或通过在所敷设酸溶液的中再添加水滴以扩大所敷设的酸溶液液滴的面积。之后将所敷设的有机钯化合物在300℃温度下加热12分钟，使其变成氧化钯(PdO)。在实例中所采用的试样中，氧化钯(PdO)微小颗粒的平均粒径为10±2nm。还可发现，当平均膜厚度大于15nm，但是平均膜厚度实际值(图14中较粗实线表示)大于下述计算值(图14中较细实线表示)时，在这里该计算值是在平均膜厚度与平均颗粒粒径相同时通过上述的关系计算得出的，表面电阻Rs与膜厚度t成反比。当膜厚度小到6nm时，膜的表面电阻突然增加从而失去导电性。因此，下面将要描述的实例的结果与上述的观察完全一致。
实施本发明重要的是在于容易确定初始膜膨胀的范围。如果通过对标准的初始膜进行加热而形成的导电膜的厚度为t，表面积为s，另外通过在上述的修正操作中添加溶剂，初始膜膨胀的面积为S，则通过后面的加热而所形成的“膜”(实际上不是膜)的平均厚度T表示为T＝st/S。为了使膜从整体上不具有导电性，T必须要比膜的微小颗粒的平均粒径D足够小。具体来说，T最好小于D的60％。
当在上述步骤中所敷设的溶剂干了时，或标准初始膜经加热而形成导电膜之后，可进行第2次的敷设溶液液滴的操作。如果在对初始膜进行加热之后敷设溶液液滴，则由在上述步骤中所敷设的溶剂所稀释和膨胀的初始膜包括分开的微小颗粒，该溶液按下述方式使基层变湿，该方式与当第1次敷设液滴时该液滴的工作方式相同，该第1次液滴使所修正的器件象从最开始工作良好的装置一样正常工作。如果该器件局部暴露于还原气体中以便使金属氧化物中的导电微小颗粒变成纯金属的导电微小颗粒，则甚至在对通过敷设溶剂初始膜的面积发生膨胀的量进行一定的限制的条件下，该微小颗粒会再次结团，从而其粒径增加，进而从整体上该膜不具有导电性。
如果溶剂包括适合的配体，则可使该膜更适合溶于该溶剂中。换言之，包括下述配体的盐的水溶液易于将初始膜溶解，而该配体易于与构成初始膜的金属化合物的金属原子相配合。最好本发明的配体采用可螯合的配体。用于该配体的螯合物包括二胺，氨基酸和二羧酸。
对于去除有缺陷的膜的第2种方法，首先采用上述的第1种方法中的溶剂对膜进行稀释(图2A)，之后将该溶剂从膜上吸收去除。可通过固定于图2B所示的杆17前端的多孔树脂海绵状部件16，或注射器针头或管进行将溶剂吸收的操作。图2C表示在将溶解初始膜的溶液去除以便形成另一初始膜后，该装置的原始形状。与采用上述第1种方法的情况相比，采用上述第2种方法，可以更密的方式设置电子发射器件。换言之，本方法适合于下述场合，即溶剂浆液不能膨胀到足够程度，并且第1种方法不适用的场合。
按照实现本发明的第2种优选的方式，增加的步骤包括下述步骤即对通过对由喷墨装置敷设的液滴进行加热而形成的导电膜进行检查，将在检查步骤中判断为有缺陷的导电膜去除，向所去除的有缺陷的膜的适合区域敷设液滴，对该液滴进行加热以形成替换导电膜。
在检查步骤中可采用光学显微镜以光学方式观测导电膜。作为替换方式，可通过对每个电子发射器件的电阻进行观测来检查导电膜，这种检查方法的灵敏度比检测异常膜厚度的光学观测方法高。
由于在此阶段导电膜不溶于溶剂中，故在这里不适合采用下述对导电膜稀释的方法，该方法在前面已参照进行本发明的第1种方式进行了描述。因此，实际将导电膜去除掉的方法适合进行本发明的第2种方式。比如，可采用下述的细杆，该细杆带有软粘性材料件，如硅橡胶件，将该杆压入导电膜中，使该膜粘于硅橡胶上以便将该膜去除。
如果使导电膜与基层的粘附性变差，则可以可靠地将导电膜去除。具体来说，如果导电膜由导电金属氧化物的微小颗粒构成，则可通过以化学方式将金属氧化物还原成纯金属来降低导电膜的粘附性。如果导电膜，比如由氧化钯(PdO)微小颗粒构成，则可通过将其暴露于含氢的环境中的方式而很容易将该氧化物还原。当在室温条件下进行该还原反应时，如果将导电膜加热到150℃左右，则可使该反应进行得更快。可适当采用图7所示的双喷嘴结构以便将唯一选定的装置暴露给还原气体。该双喷嘴结构中的内喷嘴41将用于喷射还原气体，之后该气体由双喷嘴结构中的外喷嘴吸入。如果外喷嘴吸入还原气体的速度足够大于内喷嘴排出的气体的速度，则还原气体流42不会分散，气体仅仅通过靠近喷嘴口的区域流动从而形成局部还原环境。对于上述结构，待去除的导电膜44可暴露于局部还原环境中以降低其与基层的粘附性，从而可以很容易将其去除。最好采用包括氢的混合气体作为下述的还原气体，而氧化钯(PdO)微小颗粒膜暴露于该还原气体中。作为替换方式，最好采用惰性气体，如稀有气体或氮气对含有氢的还原气体进行稀释以使氢的浓度为1～2％，因为上述混合气体没有爆炸的危险，由于氢的浓度足够低，本发明无须特殊的防爆装置。
按照实现本发明的第3种优选方式，增加的步骤包括通过喷墨装置敷设导电膜材料溶液液滴以形成导电膜，之后，对基层上形成的每个电子发射器件上的导电膜进行检查，进行激发形成步骤以形成电子发射区域，之后进行活化步骤，通过喷墨装置再次敷设液滴，在上述检查步骤中确定为有缺陷的每个器件上形成导电膜。如果需要可在敷设液滴步骤之前将导电膜去除。
上面描述的活化步骤指下述步骤，在装置中的导电膜的电子发射区域形成之后在含有有机物质的适合的环境中，在基层上形成的每个电子发射器件中的器件电极之间施加脉冲电压以便在电子发射区域和靠近该区域形成主成份包括碳的沉淀膜，从而可增加流过电子发射器件的电流，并改善电子发射器件的电子发射性能。
如上所述，当检查步骤采用光学显微镜时，可使电流流过电子发射器件，对电子发射器件上施加的电压(器件电压)Vf和流过的电流(器件电流)If之间的关系(If-Vf关系)进行观测。
如果在活化步骤之后对每个电子发射器件进行If-Vf关系的观测，则可采用下述三角形脉冲电压，该电压用来在电子源的一般操作中驱动电子发射器件。如果它具有异常大的电阻或器件电极发生短路，则可以很容易发现有缺陷的电子发射器件，因为If-Vf关系从电阻值上受到了影响，故还可容易检测装置中的漏电情况。另外，由于多种原因电子发射器件中的If-Vf关系的极限电压会与正常值发生偏离，该偏差也可被检测到和被确认。
如果在活化步骤之前通过施加下述电压而进行检查步骤，该电压用于在电子源的一般操作中驱动电子发射器件，则If值非常低，并且电子发射区域中的裂缝会加大，从而对电子发射器件的电子发射性能产生不利影响。然而，由于上述电子发射器件中的非线性观测I-V关系的极限电压足够低于使裂缝加宽的电压，这样如果上述极限电压位于给定的范围内，则认为该电子发射器件是可容许的，如果上述极限电压不位于给定的范围内，则认为该电子发射器件是不可容许的。
具体来说，向每个电子源中的电子发射器件施加稍高于上述极限电压的三角形脉冲电压，以便观察电子发射器件的I-V关系。如上所述，通过所观测的I-V关系可发现器件电极之间的短路现象和电子发射器件中所存在的漏电现象。此外，可通过采用所获得的数据的计算来确定If-Vf的关系的二阶微分以求出最大值，该值用作极限电压并用来确定电子发射器件是否容许。采用下述数据应当非常谨慎，该数据对于确定二阶微分的计算基本没有噪音。图3A表示在电阻值方面受到影响的If-Vf关系图。假设漏电电流流过具有上述关系的电子发射器件是安全的。与此相对照，图3B表示处于正常状态的If-Vf关系图，同时表示经d2If/dVf2-Vf计算的数值。与所获得的二阶微分最大值相对应的电压Vth用作极限电压，如果该极限电压在给定范围内，则认为该电子发射器件是可容许的。因此，当在活化步骤之前采用复杂的试验设备以确定If-Vf关系时，因为上述方法没有进行两次活化步骤的缺点，故在下述条件下建议采用该方法，该条件为希望经常进行形成第2导电膜的操作。
对于实现本发明来说，下述步骤是不可缺少的，该步骤为从下述每个电子发射器件去除导电膜，就短路和漏电方面来说，该电子发射器件认为是有缺陷的。然而，如果由于下述原因或其它原因，该原因可能是在激发形成步骤中采用过大的电流，电子发射区域的裂缝异常加大，则实际上不必在上述步骤中将导电膜去除。如果处于上述情况，可简单地将溶液液滴敷设到导电膜一侧以便形成另一导电膜，之后对该导电膜进行激发步骤。
应注意到，第2种和第3种方法不仅可用于通过喷墨装置敷设导电膜材料化合物的溶液的场合，而且可用于采用下述溶液的场合，该溶液包括形成导电膜的分散的导电性微小颗粒。
如果采用上述的第3种方法，当在活化步骤之后不进行检查步骤时，则可在装配图像形成设备之前或之后进行活化步骤。如果活化步骤在图像形成设备装配之后进行，则对于该活化步骤来说，在图像形成设备的真空容器中放置适合的有机气态物质，反复对电子发射器件施加脉冲电压。与此相反，如果活化步骤在图像形成设备装配之前进行，则在具有适合的气态物质的适合的真空设备中放置设备电子源，反复对设备中的电子发射器件施加脉冲电压。
前一方法的优点在于它不需要附加的真空设备，而后一方法的优点在于不必将用于活化步骤的有机物质引入图像形成设备中的真空容器内，因此如果具有该物质的话，可以很容易地将已存在于真空容器内的该有机物质去除从而使设备的操作保持稳定。考虑到实际生产的条件，对于活化步骤可选择上述两种方法中的任何一个。可用于活化步骤的有机物质包括丙酮和n-己烷。作为替换方式，可采用无油的排出装置以便利用上述装置所产生的有机物质。
显然，后一方法必须用于在进行活化步骤后通过第3种方法进行检查步骤的场合。
本发明包括平面式图像形成设备的生产方法，该设备包括电子源，该电子源是通过上述的第1-3种方法中的一种制备的。
实例下面通过实例对本发明作进一步的描述。
实例1-1在本实例中，电子源是按照下面的参照图8A～8E所描述的步骤制成的。
步骤a在完全对钠钙玻璃板进行清洗后，通过溅射法在其上形成二氧化硅(SiO2)膜，其厚度为0.5μm以形成基层1，通过旋涂器在该基层1上敷设光敏抗蚀剂(AZ1370由Hechst Corporation生产)从而形成抗蚀层。之后，使该光敏抗蚀剂暴露于光线下，使其以光化学方式显影形成一对开口，该开口与待形成于上述基层上的每个电子发射器件中的器件电极的形状相对应。然后，通过溅射法按顺序敷设Ti和Pt层，其厚度分别为5nm和50nm。接着通过有机层将该抗蚀层去除以便通过剥离方法形成每个电子发射器件的器件电极51和52(图8A)。
步骤b通过丝网印刷形成Ag膏构成的预定图案，对其进行焙烧以形成Y方向的导线53，每根导线的厚度为20μm左右，宽度为100μm左右(图8B)。
步骤c通过印刷形成玻璃膏构成的预定图案，对其进行焙烧以使每排电子发射器件形成中间绝缘层。应注意到，每个电子发射器件形成有切除区域55从而后者未被上述中间绝缘层所覆盖，该绝缘层在下述区域的宽度为250μm左右，厚度为20μm左右，在该区域该层位于Y方向上的导线上，上述绝缘层在剩余区域的厚度为35μm左右(图8C)。
步骤d在中间绝缘层54上形成Ag膏构成的预定图案，对其进行焙烧以形成X方向上的导线56，每根导线的宽度为200μm左右，厚度为15μm左右(图8D)。
步骤e之后，借助压电喷射式喷墨装置在每个电子发射器件上敷设下述溶液的液滴以便形成电子发射器件中的导电膜用的初始膜57，该溶液为有机钯化合物和乙醇胺的复合体。所形成的X方向上的相邻的导线间距为350μm左右，而所形成的Y方向上的相邻的导线间距为270μm左右。初始膜的直径为48μm左右。上述溶液液滴是按下述方式敷设的，即在加热步骤之后所形成的初始膜厚度为15nm，该加热处理步骤将在后面描述。在后面将要描述的条件下进行加热步骤之后，初始膜中的微小颗粒直径为10nm(图8E)。
图5以示意方式表示与在此步骤中所采用的装置类似的喷墨装置，虽然仅仅采用成对的喷嘴中的一个来形成初始膜。
步骤f借助采用显微镜和光学传感器的图像形成方法对每个初始膜进行观察，以便自动确定该膜是否容许。下述的膜确定判定为是不能容许的，即带有一个或一个以上的较大晶体的膜，与正常位置发生偏移的膜，发生变形并且不呈现正常的圆形的膜，或其直径超过48μm或小于32μm的膜，借助喷墨装置将醋酸丁酯液滴敷设于有缺陷的区域，该喷墨装置采用在上述步骤e中未曾使用的喷嘴。调节该喷墨装置以排出上述溶液，从而每个液滴的体积为60μm3，对每个有缺陷的器件敷设10次液滴，将有缺陷的初始膜溶解并稀释，以便将膜扩展到由导线包围的整个区域。之后，使醋酸丁酯溶剂处于120℃温度下保持10分钟，进行干燥。其结果是，初始膜扩展的区域是原有区域的13.5倍。因此通过对膜加热而形成的氧化钯“膜”的平均厚度为1nm左右，该厚度足够小于10nm左右微小颗粒的平均粒径。换言之，通过上述溶剂而扩展的初始膜并未对后面的步骤产生重大的影响。
步骤g在上述步骤e中所描述的条件下，在下述区域再次形成初始膜，在前述步骤中初始膜已事先从该区域去除。通过显微镜对初始膜进行观察以便确认此时该膜是否容许。
步骤h之后在300℃的温度下对初始膜加热10分钟，以便形成包括PdO的微小颗粒的导电膜。
步骤i接着采用所形成的电子源基层(其上带有多对电极以及位于相对成对器件电极之间的导电膜)形成图像形成设备，该设备的结构如图9所示。在通过玻璃胶将电子源基片61固定于后板62之后，将面板63(其带有设于玻璃基片64的内表面上的金属底板66和荧光膜65)设于支架67上，该支架67位于面板63和后板62之间，然后将玻璃胶敷设于面板63，支架67和后板62，在大气中在400℃的温度下对其焙烧10分钟，以便将该容器完全密封。在图9中，标号68表示电子发射器件，标号69和70分别表示X方向上的器件导线和Y方向上的器件导线。
当如果图像形成设备用于形成黑白图像而荧光膜69仅仅由荧光体构成时，本实例中的荧光膜是这样制成的，首先形成黑色条带，将主颜色的条状荧光部件填入黑色条带之间的空隙中。该黑色条带由主成分包括石墨的一般材料形成，采用膏剂方法，将荧光材料敷设于玻璃基层64上。
金属底板66一般设于荧光膜65的内表面。在荧光膜65形成之后，按下述方式形成金属底板66，即在荧光膜65的内表面上进行抹光操作(一般称为“成膜”)，之后通过真空蒸镀法在其上形成铝膜。
虽然可在荧光膜65的外侧的面板63上设置透明电极以便提高荧光膜的导电性，但是在本实例中没有采用该透明电极，因为上述金属底板具有足够的导电性。
为了进行上述的粘接操作，将部件认真对齐以便使有色荧光部件122和电子发射器件之间形成准确的对位。
步骤j当按照后面将要描述的方式进行激发形成步骤以便在每个导电膜中形成电子发射区域时，通过排气管(图中未示出)将所形成的玻璃容器(后面称为“外壳”)排空以便使内部压力降到1.3×10-4Pa以下。在激发形成步骤中，如图10所示，Y方向上的导线与公共的电极73连接，并逐个对X方向上的导线施加电压。在图10中，标号71和72分别表示X方向上的导线和Y方向上的导线，其中Y方向上的导线72通过公共电极73接地。电子发射器件74设置于X和Y方向上的导线的每个交叉处。标号75表示脉冲发生器，其正极与其中一个X方向上的导线，而其负极通过电阻器76接地以便对电流密度进行测定。图10中的标号77表示对用于激发形成的脉冲电流进行监测的示波器。
具有图13B所示的波形电压用于激发形成步骤。
参照图13B，所施加的电压为三角形脉冲电压，其脉冲宽度T1＝1msec，其脉冲间隔T2＝10msec，其波高(激发形成用的最大电压)按0.1V的等级逐渐上升。在激发形成过程中，在激发形成脉冲电压的旧够间隔中插入有0.1V的附加脉冲电压以便确定电子发射器件的电阻，当该电阻超过100kΩ时，激发形成步骤结束。
步骤k然后，将丙酮放入上述外壳中以便在其内部产生1.3×10-2Pa的压力。之后通过施加脉冲电压进行活化步骤。所施加的脉冲电压为波高为18V的矩形波。
步骤l将外壳内部的压力排出10个小时以便使内部压力降到1.3×10-6Pa，同时使整个外壳的温度保持在200℃。
在通过矩阵驱动确认设备操作状态适合显示图像之后，通过煤气灯对排气管进行加热，从而对该排气管(图中未示出)进行焊接以便将外壳完全密封。
最后，通过高频加热法对外壳进行除气步骤。
所形成的图像形成设备可在亮度没有明显变化的情况下良好地显示图像。
实例1-2本实例中所形成的图像形成设备除了多个电子发射器件按不同的方式连接以外其它方面与实例1-1中的相同。具体来说，本实例采用梯形配线结构。
在本实例中，如图15所示，在基层91上设有成对的导线95-a和95-b，在上述导线之间设有多对器件电极92和93，每对电极具有导电膜，该导电膜是按照实例1-1中所描述的方式形成的，上述多对电极与导线连接，如图16所示，之后与实例1-1中的情况相同，将基层91放入外壳中，该外壳中设有网状电极96，该电极96具有孔97，该孔用于让电子穿过以便形成图像形成设备。该图像形成设备的工作效率与实例1-1中的相同。应注意到，图16中的与图9相应的部分相同或类似的部件分别采用相同的标号表示。
实例2在本实例中，除了下述方面以外，图像形成设备是采用实例1-1中的方法形成的。
按照实例1-1中步骤e中所描述的方式借助气泡喷射式喷墨装置敷设液滴。该喷墨装置的结构如图6所示。在本实例中，喷嘴35和36中的一个用于敷设有机钯溶液液滴，该溶液是按照将乙酸钯-单乙醇胺(PAME)放入水中，并使该溶液中含有2wt％的金属的方式制成的。
另外，在下述初始膜中加入水滴以便将该膜溶解，该初始膜已在实例1-1的步骤f中判断为是不能容许的。该水滴是通过未在步骤e中使用的喷嘴加入的。
与实例1-1中的情况相同，所形成的图像形成设备可在亮度没有明显变化的情况下良好地显示图像。
应注意到，本实例也可采用乙酸钯水溶液。
同样，与实例1-1中的情况相同，可用醋酸丁酯作为溶解有缺陷的初始膜的溶剂。如果敷设的液滴的次数加倍才产生相同的效果，则待添加的液滴的体积减半。上面描述的步骤还可用于形成下述的电子源，该电子源具有实例1-2中所描述的梯形布线结构。
实例3-1在本实例中，器件电极和导线均通过照相平版印刷术形成。下面将参照图11A～11E和图12对形成本实例中的图像形成设备的步骤进行描述，在这里，图12为本实例中的电子源的平面示意图，图11A～11E为沿图12中A-A线的剖面图。应注意到，在图12中省略了中间绝缘层和接触孔。
步骤a在完全对钠钙玻璃板进行清洗后，通过溅射法在其上形成二氧化硅(SiO2)膜，其厚度为0.5μm以形成基层81。之后通过真空蒸镀法在该基层上分别形成Cr膜和Au膜，其厚度分别为5nm和600nm，通过旋涂器在其上敷设光致抗蚀剂(AZ1370由Hechst Corporation生产)，同时使基层旋转，对其进行焙烧。之后，暴露出光掩模图像，使其以光化学方式显影形成Y方向上的导线(底层导线)用的掩模，然后对Au/Cr沉淀膜进行湿法腐蚀以便形成具有所需图案的Y方向上的导线(底层导线)82(图11A)。
步骤b通过RF溅射法形成二氧化硅膜中间绝缘层83，其厚度为1.0μm(图11B)。
步骤c然后，在二氧化硅膜上构成下述待形成的接触孔84的光致抗蚀剂图案，该接触孔84穿过步骤b中的所形成的二氧化硅膜，以该光致抗蚀剂图案作为掩模，通过反应离子腐蚀对中间绝缘层83进行腐蚀确实形成的接触孔84。采用CF4和H2作为腐蚀气体(图11C)。
步骤d之后，形成用于器件电极51和52的光致抗蚀剂图案(RD-2000N-41由Hitachi Chemical Co.，Ltd生产)，然后通过真空蒸镀法逐一形成Ti层和Ni层，它们的厚度分别为5nm和100nm。接着，将光致抗蚀剂图案溶解成有机溶剂，将Ni/Ti沉淀层去除以便成对电极51和52，该电极的宽度300μm，它们的间距为3μm(图11D)。
步骤e之后，形成器件电极51和52上的X方向上的导线(顶层导线)85的光致抗蚀剂图案，然后通过真空蒸镀法逐一形成Ti沉淀层和Au沉淀层，它们的厚度分别为5nm和100nm。接着，通过剥离方法去除光致抗蚀剂的不需要的区域以便形成顶层导线85(图11E)。
步骤f与实例1-1中的步骤e相同，敷设液滴以便形成初始膜。采用有机钯溶液(ccp-4230由Okuno Pharmaceutical Co.，Ltd.生产)。
步骤g通过显微镜对每个初始膜进行观察。下述的膜判定为是不能容许的，即带有一个或一个以上的较大晶体的膜，与正常位置发生偏移的膜，发生变形并且不呈现正常的圆形的膜，或其直径超过48μm或小于32μm的膜，借助喷墨装置将醋酸丁酯液滴敷设于有缺陷的区域，该喷墨装置采用在上述步骤e中未曾使用的喷嘴。调节该喷墨装置以排出上述溶液，从而每个液滴的体积为60μm3，对每个有缺陷的器件敷设10次液滴，将有缺陷的初始膜溶解并稀释，以便将膜扩展到由导线包围的整个区域。之后，对醋酸丁酯溶剂进行干燥，使其在300℃温度下加热10分钟。该加热的结果是，可接受器件的初始膜变成许多PdO微小颗粒的导电膜。经加热的区域具有较高的电阻。
步骤h在上述步骤f中所描述的条件下，再次在下述区域形成初始膜，而初始膜已事先在前述步骤中从该区域去除。通过显微镜对初始膜进行观察以便确认此时该膜是否容许。虽然在实例1-1中第2次形成的初始膜的直径是可容许的，但是它稍大于第1检查步骤所容许的初始膜。其原因是当已存在有机钯化合物薄膜时，第2次敷设的溶液扩展程度大于第1次敷设的溶液。与此相对照，第2次形成的初始膜的形状基本与第1次形成的初始膜相同。其原因是溶解的有机钯化合物变成凝结的PdO颗粒从而可保证对于第1次敷设的液滴和第2次敷设的液滴，基层的可湿性处于相同的等级。
步骤i之后，在300℃温度下对初始膜加热10分钟以便形成包括PdO的微小颗粒的导电膜。
后面的步骤与实例1-1中的相同。
与实例1-1的情况相同，所形成的图像形成设备明显可在亮度没有明显变化的情况下良好地显示图像。
实例3-2在本实例中，按照实例3-1的步骤形成图像形成设备，只是在这里采用气泡喷射式喷墨装置以便获得比较结果。
实例4在本实例中，除了下述方面，其它的方面均采用实例2中的步骤。
可容许的初始膜的直径80μm，或为实例2中相应的部分的的尺寸的两倍。膜的厚度为30μm。如果按实例2方式对这些膜进行处理，不能从这些膜中获得可容许的导电膜，因为膜的平均厚度不够小。
借助气泡喷射式喷墨装置对在检查步骤中认为是不能容许的初始膜敷设溶剂液滴以便将该膜溶解焙烧并使其扩张。该溶剂采用乙二胺四乙酸铵的5wt％的水溶液。该溶液包括与Pd离子相配合的配体从而它可比水更快地溶解初始膜。
在对电子源在300℃温度下加热10分钟后，通过在前面已参照图7描述过的双喷嘴结构将有缺陷的电子发射器件局部暴露于还原环境下，使该电子源处于150℃的温度下。该还原环境包括混合气体，该气体是用氮气N2对氢气H2进行稀释而制成的，其氢气的浓度为2％。由于空气中氢气浓度的爆炸下限为4％，因此当生产设备通风良好时，可在不必设有防爆装置的情况下采用上述混合气体。
作为上述方法的结果，相应的PdO微小颗粒变成Pd微小颗粒，该Pd微小颗粒之后凝结成较大的颗粒从而它们从整体上不具有导电性。
所有剩余的步骤与实例2中的相同。
与实例2中的情况相同，所形成的图像形成设备明显可在亮度没有明显变化的情况下良好地显示图像。
实例5-1在本实例中，采用实例1-1中的步骤a～e，只是在本实例中对条件进行了选择以便形成直径为80μm的初始膜。由于有缺陷的初始膜具有较大的直径，在本实例中它不可能通过采用溶剂对其进行溶解的方式使其足够扩展，故需要采用下述的步骤。
步骤f对初始膜敷设在实例4中所采用EDTA的5wt％的水溶液液滴，该初始膜通过显微镜观察判断为是不能容许的，对每个有缺陷的区域压入带有聚酯海绵部件的杆，将含有溶解的初始膜的溶液吸收。后面的步骤与实例1-1中的相同。
与实例1-1中的情况相同，所形成的图像形成设备明显可在亮度没有明显变化的情况下良好地显示图像。
采用本实例中的方法可以较高的密度设置电子发射器件从而可形成具有较高分辨率的图像形成设备。通过将有缺陷的初始膜完全去除，可避免产生漏电，如果仅仅通过溶剂将有缺陷的初始膜溶解，则上述的漏电是不可忽略的。
实例5-2在本实例中，采用实例5-1中的步骤以便形成图像形成设备，只是在这里采用气泡喷射式喷墨装置以形成与实例5-1中的设备一样有效的图像形成设备。
实例6-1在本实例中，除了以下方面，其它的采用实例5-1中的的步骤。
与实例5-1中的步骤f相同，对通过检查步骤认为有缺陷的初始膜敷设溶剂液滴，之后通过注射器针头将含有溶解的初始膜的溶液吸走，该注射器针头通过硅管与排出设备连接。
虽然与实例5-1相比，本实例必须采用较大的生产设备，但是上述设备对在不更换海绵的情况下进行连续性生产操作是很有效的，因此它适合批量生产。
本实例中的方法可用于下述的电子源，该电子源具有实例1-2中所描述的梯形布线结构从而可获得类似的结果。
实例6-2在本实例中，采用实例6-1中的步骤以便形成图像形成设备，只是在这里采用气泡喷射式喷墨装置以形成与实例6-1中的设备一样有效的图像形成设备。
实例7在本实例中，通过胶印印刷法形成器件电极，同时通过丝网印刷形成导线。
步骤a在完全对碱石灰玻璃板进行清洗后，通过溅射法在其上形成二氧化硅(SiO2)膜，其厚度为0.5μm以形成基层1。采用Pt树脂酸盐膏通过胶印印刷法对每个电子发射器件形成成对的器件电极51和52。该器件电极的间距为50μm(参见图8A)。
之后采用实例1-1中的的步骤b～d。
步骤e通过气泡喷射式喷墨装置对每个电子发射器件敷设在实例2中的步骤e中所采用的PAME水溶液液滴以便形成导电膜中的初始膜。选择上述步骤的条件以便形成圆形初始膜，其直径为100μm。接着，对初始膜在300℃的温度下加热10分钟以便形成PdO微小颗粒的导电膜。
步骤f对每个电子发射器件的电阻进行观测，去除下述的电子发射器件，即该装置中的电阻与参考值相差20％以上。
将下述的杆压靠于每个有缺陷的电子发射器件上，该杆带有直径为200μm，厚度为500μm的硅橡胶部件，从而使上述硅橡胶吸收导电膜，之后将该导电膜去除。
步骤g按步骤e中的方式形成导电膜以便取代所去除的导电膜。
下面的步骤与实例1-1中的相同。
与实例1-1中的情况相同，所形成的图像形成设备明显可在亮度没有明显变化的情况下良好地显示图像。
实例8在本实例中，除了下述方面其它的均采用实例7中的步骤。
采用实例4中所采用的方法使下述每个导电膜进行化学还原反应，该导电膜在实例7中的步骤f中判断为是有缺陷的，之后按实例7中所描述的方式，采用硅橡胶吸收还原物质溶液，并将其去除。
上述化学还原的效果是，通过将导电膜中的PdO微小颗粒还原成金属Pd，导电膜将粘接剂还原成玻璃基层，从而上述膜可以很容易地并且可靠地通过将硅橡胶压靠于其上的方式去除。
实例9在进行实例7中的步骤a～e之后，进行下述的步骤。
步骤f将下述的电子源基层放于真空室中，该基层是采用实例7中的步骤a～e形成的，之后将该真空室压力排出使压力值低于1.3×10-4Pa。这里所采用的排气系统是超高真空系统，它包括作为主泵的离子泵和作为辅助泵的涡形泵。
接着，按照实例1-1中的步骤j中所描述的方式对电子源进行激发形成步骤以便在每个导电膜中形成电子发射区域。
步骤g然后，将丙酮放入上述真空室中以便在其内部产生1.3×10-2Pa的压力，之后按照实例1-1中步骤k中的所描述的方式通过施加脉冲电压进行活化步骤。
步骤h对真空室进行抽气10个小时，使压力值低于1.3×10-6Pa，同时将其加热到200℃。接着，对电子发射器件按顺序施加波高为18V的三角形脉冲电压以便观察装置电流If和每个器件的相应的器件电压。
虽然表示非线性If-Vf关系的多数电子发射器件中具有靠近10V的极限值，但每个器件中的器件电流远远低于上述极限值。具体来说，当Vf＝18V时，If＝1.4～1.7mA。然而，按照相同方式形成的一些电子发射器件具有欧姆效应，而在Vf＝18V时，另一些器件则不具有较大的If值。
步骤i从真空室中取出电子源，与实例8的情况相同，使每个有缺陷的电子发射器件中的导电膜进行化学还原反应，将其去除，重复上述步骤以便形成不带有电子发射器件的电子源。
步骤j与实例1-1中的步骤i相同，形成外壳。之后，与实例1-1中的步骤I相同，对该外壳进行排气，在对进行除气步骤之前焊接排气管以便形成图像形成设备。
与实例1-1中的情况相同，所形成的图像形成设备明显可在亮度没有明显变化的情况下良好地显示图像。
实例10在本实例中，进行实例7中的步骤a～e和实例9中的步骤f。之后，进行下述的步骤。
步骤g在进行上述步骤之后，按顺序对电子发射器件按顺序施加三角形脉冲电压以便观测每个器件中的器件电流If和相应的的器件电压。该三角形脉冲波高为12V。
对每个器件实际100次脉冲以便获得上述观测值的平均值从而消除噪音效果。接着，通过采用所获得的数据进行计算，确定If-Vf关系的二阶微分以便求出Vf的最大值，将该值用值极限电压Vth。所有其Vth＝10.0±1.0的器件都是可容许的，而剩余的器件是不能容许的。虽然多数装置是可接受的，但是按本实例形成的一些电子源包括有缺陷的电子发射器件。
步骤h从真空室中取出电子源，用显微镜对每个不能容许的导电膜进行观察。一些不能容许的导电膜中的电子发射区域具有较大的裂缝。设有具有上述裂缝的导电膜的电子发射器件不具有易发现的If值。这种有缺陷的装置的电子发射器件并未去除，在其上形成有另一导电膜。
一些剩余的有缺陷的电子发射器件具有有缺陷的电子发射区域，裂缝并未完全将导电膜分开成单独部分从而呈现连续的导电膜，而其它装置带有粘于其上的异物或部分电子发射区域呈现较大的裂缝。与实例8的情况相同，将这些有缺陷的导电膜去除，并更换成新的，以便形成无裂缝的电子源。
步骤i按实例1-1中的步骤k的方式形成外壳。之后，将丙酮注入该外壳中以便进行活化步骤。
步骤k按照实例1-1中的步骤l的方式，对该外壳进行抽气使其具有较高的真空度，在除气之前焊接排气管，以便形成图像形成设备。
与实例1-1中的情况相同，所形成的图像形成设备明显可在亮度没有明显变化的情况下良好地显示图像。
本发明的优点如上所述，根据本发明，在电子发射器件，如表面传导的电子发射器件的生产方法中，上述每个器件包括一对器件电极和导电膜，该导电膜包括位于上述器件电极之间的电子发射区域，可对任何有缺陷的导电膜进行修正或以无裂缝的器件对其进行更换，以便提高产量。特别是，在包括多个电子发射器件的电子源的场合下，可局部对发现有缺陷的一些电子发射器件进行修正，从而生产包括上述电子源的图像形成设备的产量较高，并且该设备可在亮度没有明显变化的情况下良好地显示图像。
权利要求
1.一种在基层上形成导电膜的方法，包括下列步骤用喷墨法在基层的所希望的位置上施加包含待形成的导电膜的初始材料的液体；当通过敷设液体形成作为导电膜的初始膜的薄膜时，将其作为图象进行观察以鉴别缺陷；以及在没有缺陷时，对初始膜加热。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述观察步骤包括对上述初始膜的位置进行观察。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述观察步骤包括对上述初始膜的外形进行观察。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述观察步骤包括对上述初始膜上是否存在异物进行观察。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其特征在于，在上述观察步骤后，还包括基于观察结果在基层的所希望的位置上重新敷设液体的步骤。
6.一种电子发射器件的生产方法，该器件具有导电膜，该导电膜具有设于一对器件电极之间的电子发射区域，该方法包括形成导电膜的工艺，在该导电膜中将形成电子发射区域，该工艺包括下列步骤形成一对器件电极，在它们之间设有一间距；向上述一对器件电极的上述间距用喷墨法在基层的所希望的位置上施加包含待形成的导电膜的初始材料的液体；当通过敷设液体形成作为导电膜的初始膜的薄膜时，将其作为图象进行观察以鉴别缺陷；以及在没有缺陷时，对初始膜加热。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，上述观察步骤包括对上述初始膜的位置进行观察。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，上述观察步骤包括对上述初始膜的外形进行观察。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，上述观察步骤包括对上述初始膜上是否存在异物进行观察。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的方法，其特征在于，在上述观察步骤后，还包括基于观察结果在基层的所希望的位置上重新敷设液体的步骤。
11.一种在基层上形成多个导电膜的方法，包括下列步骤用喷墨法在基层的多个所希望的位置上施加包含待形成的导电膜的初始材料的液体；当通过敷设液体形成作为导电膜的初始膜的薄膜时，将其作为图象进行观察以鉴别缺陷；以及在没有缺陷时，对初始膜加热。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，上述观察步骤包括对上述初始膜的位置进行观察。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，上述观察步骤包括对上述初始膜的外形进行观察。
14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，上述观察步骤包括对上述初始膜上是否存在异物进行观察。
15.根据权利要求11～14中任一项所述的方法，其特征在于，在上述观察步骤后，还包括基于观察结果在基层的所希望的位置上重新敷设液体的步骤。
16.一种多个电子发射器件的生产方法，每个上述电子发射器件都具有导电膜，该导电膜具有设于一对器件电极之间的电子发射区域，该方法包括形成多个导电膜的工艺，在这些导电膜中将形成电子发射区域，该工艺包括下列步骤形成多对器件电极，在每对之间设有一间距；向上述多对器件电极的上述间距用喷墨法施加包含待形成的导电膜的初始材料的液体；当时，将通过敷设液体形成的作为导电膜的初始膜的薄膜作为图象进行观察以鉴别缺陷；以及在没有缺陷时，对初始膜加热。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，上述观察步骤包括对上述初始膜的位置进行观察。
18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，上述观察步骤包括对上述初始膜的外形进行观察。
19.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，上述观察步骤包括对上述初始膜上是否存在异物进行观察。
20.根据权利要求16～19中任一项所述的方法，其特征在于，在上述观察步骤后，还包括基于观察结果在基层的所希望的位置上重新敷设液体的步骤。
全文摘要
生产一种电子发射器件，该器件带有包括电子发射区域的导电膜，该导电膜设于一对器件电极之间。上述导电膜是通过下述步骤形成的，即通过喷墨方法将包括上述导电膜的材料的液体敷设于基层上，之后对所敷设的液体进行干燥和加热。对在所敷设的液体，初始膜或导电膜中的有缺陷状态进行检查，该所敷设的液体或初始膜是通过对上述液体干燥形成的，该导电膜是通过对初始膜加热形成的，对发现处于有缺陷的状态的区域再次敷设相同的液体进行修正。
文档编号H01J9/02GK1405826SQ02132210
公开日2003年3月26日 申请日期1997年2月5日 优先权日1996年2月8日
发明者长谷川光利 申请人:佳能株式会社