一种浮栅闪存器件的制造工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制作技术领域，尤其涉及一种浮栅闪存器件的制造工艺。
【背景技术】
[0002]浮栅闪存为高密度存储器，要求最大限度的利用硅表面积。现有的闪存器件平铺在硅表面，占用了大量表面积，而硅的纵深得不到有效的利用。除此之外，随着存储单元不断缩小，存储单元的沟道长度也在缩小，短沟道效应(short channel effect，简称SCE)越来越严重；同时控制栅对浮栅的耦合电容也越来越小，减小了控制栅对沟道的控制。势必要减薄0N0厚度，而在减薄0Ν0的同时会降低电荷的存储时间。
[0003]因此，如何能使浮栅闪存最大限度的利用硅表面的同时高效利用硅深度成为本领域技术人员面临的一大难题。
【发明内容】
[0004]鉴于上述问题，本发明提供一种浮栅闪存器件的制造工艺，在硅衬底上首先制备第一沟槽和第二沟槽，分别在第一沟槽和第二沟槽中制备浮栅，然后分别在第一沟槽和第二沟槽中制备控制栅，然后字线，以及形成外围电极，该技术方案具体为:
[0005]一种浮栅闪存器件的制造工艺，其中，所述制造工艺包括:
[0006]提供一硅衬底，于所述硅衬底上沉积氮化硅层，于所述沉积有氮化硅层的硅衬底上制备第一沟槽和第二沟槽；
[0007]分别于所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部预设高度制备掺杂膜；
[0008]分别于所述第一沟槽中的掺杂膜和所述第二沟槽中的掺杂膜上沉积一氧化层，制备惨杂娃层；
[0009]制备一遂川氧化层覆盖所述氮化硅的层的上表面、所述第一沟槽的侧壁和底部以及所述第二沟槽的侧壁和底部；
[0010]沉积浮栅多晶硅层分别于所述第一沟槽中的侧壁的遂川氧化层表面和第二沟槽的侧壁的遂川氧化层表面，并搁置一预设时间段；
[0011]沉积0Ν0膜与所述浮栅多晶硅层的侧壁和上表面、所述所述浮栅多晶硅之上的第一沟槽的侧壁和所述所述浮栅多晶硅之上的第二沟槽的侧壁；
[0012]于所述第一沟槽沉积多晶硅制备第一控制栅，以及于所述第二沟槽中沉积多晶硅制备第二控制栅；
[0013]分别于所述第一沟槽的浮栅多晶硅层之上的侧壁及所述第二沟槽的浮栅多晶硅层之上的侧壁制备侧墙层，于所述第一沟槽中的侧墙层之间制备第一掺杂多晶硅层，于所述第二沟槽中的侧墙层之间制备第二掺杂多晶硅层；
[0014]于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的硅衬底及氮化硅层制备隔离沟槽，于所述隔离沟槽中沉积高密度氧化层；
[0015]制备源极和漏极，沉积所述高密度氧化层于所述漏极的上表面；
[0016]分别与所述掺杂多晶硅层之上形成字线。
[0017]上述的浮栅闪存器件的制造工艺，其中，所述方法中，采用热驱动工艺制备所述掺杂娃层。
[0018]上述的浮栅闪存器件的制造工艺，其中，所述方法中，制备所述掺杂膜的方法还包括:
[0019]分别于所述第一沟槽和所述第二沟槽中沉积预设厚度的掺杂膜，所述掺杂膜覆盖所述第一沟槽的侧壁及底部，以及，所述掺杂覆盖所述第二沟槽的侧壁和底部；
[0020]沉积光阻于所述第一沟槽和第二沟槽，刻蚀去除所述光阻之上的掺杂膜；
[0021]去除所述光阻。
[0022]上述的浮栅闪存器件的制造工艺，其中，所述方法中，分别与所述掺杂多晶硅层之上形成字线的步骤还包括:
[0023]沉积第三掺杂多晶硅层于所述第一掺杂多晶硅层之上，沉积第四掺杂多晶硅层于所述第二掺杂多晶硅之上，沉积第五多晶硅层于隔离沟槽之上；
[0024]沉积一氧化硅层于所述第三多晶硅层、所述第四多晶硅及第五多晶硅之上，以所述氧化硅层为掩膜，刻蚀形成字线。
[0025]上述的浮栅闪存器件的制造工艺，其中，所述掺杂膜为掺杂砷的氧化硅。
[0026]上述的浮栅闪存器件的制造工艺，其中，所述掺杂膜为掺杂砷的氮化硅。
[0027]上述的浮栅闪存器件的制造工艺，其中，采用离子注入的方式形成所述源极和所述漏极。
[0028]上述的浮栅闪存器件的制造工艺，其中，所述漏极的深度大于所述侧墙层的深度。
[0029]上述的浮栅闪存器件的制造工艺，其中，所述方法还包括，形成所述字线后，沉积金属于所述字线之上，形成外围栅极。
[0030]上述技术方案具有如下优点或有益效果:
[0031]采用本技术方案，提高单位硅面积的存储单元，在很大程度上减小了短沟道效应，同时提高了控制栅对浮栅的耦合电容的耦合比，改善器件写入/擦除效率。
【附图说明】
[0032]参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
[0033]图1为本发明一实施例中浮栅闪存器件的制造工艺的流程图；
[0034]图2-14为本发明一实施例中制备浮栅闪存器件的过程结构示意图。
【具体实施方式】
[0035]为了让具备本项发明所属领域常规知识的人员轻松实施本项发明，参照下面所示的附图，对本项发明的实例进行详细说明。但，本项发明可按照不同的形态实施，不仅仅局限于在此说明的实例。为了更加明确地说明本项发明，省略了图纸中与说明无关的部分；而且，在整个说明书中，向类似部分赋予类似的图纸符号。
[0036]在本项发明的整个说明书中，某一个部分与另一个部分的“连接”，不仅包括“直接连接”，还包括通过其他元器件相连的“电气性连接”，以及通过通信网络连接。
[0037]在本项发明的整个说明书中，某一个部件位于另一个部件的“上方”，不仅包括某一个部件与另一个部件相接处的状态，还包括两个部件之间还设有另一个部件的状态。
[0038]在本项发明的整个说明书中，某个部分“包括”某个构成要素是指，在没有特别禁止器材的前提下，并不是排除其他构成要素，而是还能包括其他构成要素。
[0039]在本项发明的整个说明书中采用的程度用语“约”、“实质上”等，如果提示有制造及物质容许误差，就表示相应数值或接近该数值；其目的是，防止不良人员将涉及准确数值或绝对数值的公开内容用于不当用途。在本项发明的整个说明书中使用的程度用语“?(中的)阶段”或“?的阶段”，并不是“为了?的阶段”。
[0040]本说明书中的‘部件’是指，由硬件构成的单元(unit)、由软件构成的单元、由软件和硬件构成的单元。
[0041]另外，一个单元可由两个以上的硬件构成或者两个以上的单元由一个硬件构成。本说明书中，通过终端、装置或设备实施的操作或功能，其中的一部分可利用与相应终端、装置或设备相连的服务器代替实施。同样，通过服务器实施的操作或功能，其中的一部分也可以利用与该服务器相连的终端、装置或设备代替实施。接下来，参照附图，对本项发明的实例进行详细说明。
[0042]参见图1所示结构，本发明提供一种浮栅闪存器件的制造工艺，该浮栅闪存制造工艺包括:
[0043]首先提供一硅衬底1，于硅衬底上沉积氮化硅层2，于沉积有氮化硅层的硅衬底上制备第一沟槽3和第二沟槽4。优选的，采用刻蚀的方式制备第一沟槽和第二沟槽，于刻蚀前在氮化硅层2之上沉积一氧化层，作为刻蚀制备第一沟槽和第二沟槽的缓冲层。
[0044]继续，分别于第一沟槽和第二沟槽的底部预设高度制备掺杂膜，优选的，在第一沟槽3的底部和第二沟槽4的底部制备掺杂膜的步骤包括:
[0045]分别于第一沟槽和所述第二沟槽中沉积预设厚度的掺杂膜，S卩，第一沟槽中形成