等离子体处理装置以及等离子体处理方法

专利名称：等离子体处理装置以及等离子体处理方法
技术领域：
本发明涉及一种对被处理体实施等离子体处理的等离子体处理装置以及等离子 体处理方法，特别是涉及控制AC(An0deCath0de 阳极阴极)比的机构。
背景技术：
等离子体电位具有比周围电位更高的电位。例如，在被图1所示的处理容器内的 壁侧的区域Ca和载置台侧(晶圆侧)区域Cc包围的等离子体处理空间中，在偏置电位为 负的时刻(晶圆电位为负)的情况下，即晶圆电位比壁电位(即，接地电位)低的情况下， 等离子体电位变成比壁电位高出10 50V左右的电位。另一方面，在偏置电位为正的时刻 (晶圆电位为正)的情况下、即晶圆电位比壁电位(即，接地电位)高的情况下，等离子体电 位变成相对于晶圆侧的电位高出10 50V左右的电位。根据希望通过提高蚀刻速率(etching rate)等来缩短加工时间从而提高生产率 (through-put)的用户要求，需要向处理容器内提供更高功率的高频电力。当从高频电源中 输出大功率的高频电力时，壁面的鞘层电压(sheath voltage)最大为300V左右。在该状 态下，等离子体中的离子对壁面的溅射力变强，等离子体中的自由基(radical)变得难以 堆积在壁面上，壁的削减越来越大。为了防止壁的削减，只要加大AC比即可。AC比表示阳极与阴极之间的非对称性， 例如能够以晶圆侧的面积和壁侧的面积之比来表示。如后所述，由于(晶圆侧的面积/壁 侧的面积)之比以其四次方影响(壁侧的鞘层电压/晶圆侧的鞘层电压)之比，因此，如果 相对于晶圆侧的面积而加大壁侧的面积来加大AC比，则能够有效地将壁面侧的鞘层电压 抑制得低。作为单纯加大AC比的方法，加大处理容器(腔室)本身即可。但是，如果这样，则 除了使制造成本变高之外，相对于晶圆的大小，等离子体存在区域变得比需要的还大，所投 入的高频电力中作用于晶圆的电力的比例变低而导致能量效率下降。因此，提出了不加大处理容器就能够加大AC比的机构(例如，参照专利文献1)。 在专利文献1中，当处理时挡板向下方移动，当清洗时向上方移动。由此，进行如下控制当 处理时加大壁侧面积相对于晶圆侧面积的比例来使AC比变大，相反地，当清洗时减小壁侧 面积相对于晶圆侧面积的比例来使AC比变小。专利文献1 日本特开平10-321605号公报

发明内容
发明要解决的问题然而，根据使挡板、载置台可动式地升降的方法，存在由可动部中产生灰尘、或者 产生异常放电的情况。其结果是，产生污染，或等离子体状态变得不稳定，无法对被处理体 进行良好的等离子体处理，存在成品率低下从而生产率下降的问题。另外，当单纯加大AC比时，存在由于工序原因而离子对壁的冲击力变得过小的情况，其结果是，在壁上将堆积不需要的附着物。近年来，在一个腔室中大多进行多种工序，例 如，在CF系气体的处理后，在CF系气体附着于壁上的状态进行下一工序时，还存在下一工 序的可靠性下降的情况。并且，AC比的合理值是根据工序的种类而不同。由此，为了不过 分地削减壁且壁上不过分地堆积附着物，需要按每个工序合理地调节AC比。鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种不设置大规模的可动部就能够使AC 比可变的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。用于解决问题的方案为了解决上述问题，根据本发明的一种实施方式，提供一种等离子体处理装置，该 等离子体处理装置是在处理容器内的等离子体处理空间中对被处理体进行等离子体处理， 其具备调节部件，其设置成至少一部分与上述处理容器内的等离子体存在区域相接触； 以及阻抗调节电路，其与上述调节部件相连接，通过控制上述调节部件和接地面之间的电 连接状态来调节上述等离子体处理空间的接地电容。通过这种方式调节部件被设置成调节部件的至少一部分与处理容器内的等离子 体存在区域相接触。阻抗调节电路与调节部件相连接，从而使调节部件与接地面之间的电 连接状态为可变。由此，能够将调节部件设为接地状态、或悬空状态。如果将调节部件设为接地状态，则壁侧的接地面积相对于晶圆侧的面积相对变 大，由于AC比变大，因此壁面侧的鞘层电压变低。由此，在壁面侧的鞘层区域中离子的加速 变弱，能够减小离子对壁的冲击力，能够抑制壁的削减。另一方面，如果将调节部件设为悬空状态，则壁侧的接地面积相对于晶圆侧的面 积相对变小，由于AC比变小，因此壁面侧的鞘层电压变高。由此，能够加大离子对壁的冲击 力，能够减少自由基等附着物堆积到壁上。由此，通过改变AC比，不设置大规模的可动部就能够按每个工序调节离子对壁面 的冲击力。因此能够防止壁的过度削减或附着物向壁的过度堆积。也可以是，上述阻抗调节电路包括一端被接地的开关机构，通过使用该开关机构 调节上述调节部件的接地面积来调节上述等离子体处理空间的接地电容。也可以是，上述阻抗调节电路包括可变电容器，通过使用该可变电容器调节上述 调节部件的电连接状态来调节上述等离子体处理空间的接地电容。也可以是，上述调节部件相对于排气方向平行地被设置。也可以是，上述调节部件设置在挡板的内部空间中，该挡板设置在上述载置台的 外周上。也可以是，上述调节部件相对于上述挡板的中心放射状地被配置了多个。也可以是，上述调节部件相对于上述挡板的中心在圆周方向上被配置了一个或者 两个以上。也可以是，上述调节部件对称地被配置为多个，等间隔地被配置为多个。也可以是，上述阻抗调节电路中所包括的多个上述开关机构或者多个上述可变电 容器的至少一种，分别与上述多个调节部件各个一对一地相连接。也可以是，上述阻抗调节电路通过对每个开关机构或者每个可变电容器的控制来 调节上述等离子体存在区域的接地电容。也可以是，具备控制装置，该控制装置具有存储器，根据预先存储在上述存储器中的制法来控制上述阻抗调节电路。为了解决上述问题，根据本发明的其它实施方式，提供一种使用了等离子体处理 装置的等离子体处理方法，该等离子体处理方法在处理容器内的等离子体处理空间中对被 处理体进行等离子体处理，在上述等离子体处理装置中，调节部分被设置成至少一部分与 上述处理容器内的等离子体存在区域相接触，通过与上述调节部件相连接的阻抗调节电路 控制上述调节部件与接地面之间的电连接状态来调节上述等离子体处理空间的接地电容。发明的效果如上所说明，根据本发明能够提供一种不设置大规模的可动部就能够改变AC比 的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。


图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的整体结构的纵截面图。
图2是用于说明作为第一实施方式所涉及的挡板以及调节部件的翅片(fin)的结构的图。
图3是表示第一实施方式所涉及的翅片以及阻抗调节电路的一部分的图。
图4是表示第一实施方式所涉及的调节部件的变形例的图。
图5是表示第一实施方式所涉及的阻抗调节电路的变形例的图。
图6是表示本发明的第二实施方式所涉及的等离子体处理装置的整体结构的纵截面图。
图7是表示第二实施方式所涉及的调节部件的变形例的图。
图8是用于说明AC比与电压比之间的关系的图。
图9是表示AC比与壁电位之间的关系的曲线。
附图标记说明
10蚀刻装置；100 处理容器；105 上部电极；110 下部电极；120 载置台；130、
180 挡板；140,150 高频电源；200 翅片；210 阻抗调节电路；220 控制装置；250,260c 环状部件；260a、260b、260d、260e 棒状部件；SW 开关。
具体实施例方式下面，参照附图详细说明本发明的优选实施方式。此外，在本说明书以及附图中， 对于实质上具有相同的功能结构的结构要素附加相同的附图标记，从而省略重复说明。<第一实施方式>(等离子体处理装置的整体结构)首先，参照图1说明本发明的第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的整体结 构。图1是示意性地表示电容耦合型(平行平板型)的蚀刻装置的纵截面图。蚀刻装置10 是在处理容器内部中对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置的一个例子。蚀刻装置10具有对从闸阀GV搬入的晶圆W进行等离子体处理的处理容器100。 处理容器100是圆筒状的形状，例如由铝等金属形成，并被接地。在处理室的内部中相向地设置有上部电极105以及下部电极110，由此构成一对的平行平板电极。在上部电极105的表面溅射有氧化铝或者氧化钇。在上部电极105贯通 有多个气孔105a，从气体供给源115提供的气体从多个气孔105a导入到处理室内。在下部电极110设置有载置晶圆W的载置台120。载置台120是由铝等金属形成， 夹着未图示的绝缘体被支持部件125支持。由此，下部电极110处于在电气上悬空的状态。 在载置台120的外围附近设置有挡板130来控制气体的流动。挡板130被接地。关于挡板 130的形状将在后面详细说明。上部电极105经由匹配器135连接在高频电源140上。从气体供给源115提供的 气体，被从高频电源140中输出的例如60MHz的高频的电场能量激励。通过由此而生成的 放电型的等离子体，对晶圆W实施蚀刻处理。下部电极110经由匹配器145连接在例如输出2MHz的高频的高频电源150上。通 过使用高频电源150对载置台120施加偏置电压，加大朝向载置台120的离子的引力。在处理容器100的底面设置有排气口 155，通过连接于排气口 155的排气装置160 对处理容器100的内部进行排气，使处理容器内维持所期望的真空状态。本实施方式的等离子体处理空间是载置台120以及挡板130的上部且被处理容器 内的壁侧的区域Ca和晶圆侧的区域Cc所包围的空间。本实施方式的等离子体存在区域是在等离子体处理空间中等离子体存在的区域， 是挡板的上方空间。被施加了高频电力(RF)的电极附近的等离子体存在区域的等离子体电位具有比 周围电位更高的电位。例如，在被晶圆侧的区域Cc所包围的等离子体处理空间中，在偏置 电位为负的时刻(晶圆电位为负)的情况下、即晶圆电位比壁电位(即地电位)低的情况 下，等离子体电位变成比壁电位高出10 50V左右的电位。另一方面，在偏置电位为正的 时刻(晶圆电位为正)的情况下、即晶圆电位比壁电位(即地电位)高的情况下，等离子体 电位变成相对于晶圆侧的电位高出10 50V左右的电位。(AC比的原理)接着，参照图8以及图9说明AC比的原理。在“ ，文7 口七〉> 夕‘Q基礎”(电 气书院，作者Brian N. Chapman)中，关于“ 1 口 ”矢 > 夕'二 >尹 > 寸f用…t i t O電極付 近O電圧分布”有如下记载。如图8所示，考察两个电极90、92的面积A:、A2⑷兴A2)之间的关系，各自的鞘层 电压\、V2以及鞘层的厚度Di、D2用高频放电的电极面积来表示。在图8中，示出了使用隔 直电容器(blocking c0ndenser)94从高频电源96提供高频电力时的电极附近的电压分布。此时，假设质量叫的正离子产生在辉光区(glow space)内且不发生碰撞而在暗 区飞行，形成空间电荷限制电流j i，乂 二！^奶/！！^咿 :常数)；另外，正离子的电流密度是相同的且在两电极中相等。当使用这两个假设时，式 ⑴成立。Vi^/Di2 = V23/2/D22 ... (1)暗区的电容与电极面积成正比，而与鞘层的厚度成反比。C A/D ... (2)
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高频电压在容量上被两个电容所分配。= CyCi ... (3)当组合⑵式以及(3)式时，= A^XD./A,将其代入到(1)式时，= {k2/ky …⑷式⑷表示如下情况。(a)大的鞘层电压施加在小的电极上。(b)电极间的非对称性(A2/Ai)以其四次方来影响电压比(％/%)。在图9中，横轴表示AC比，纵轴表示壁电位。在此，阳电极是晶圆侧，阴电极是壁 侧。在此，施加高功率的高频电压，通过安装在壁上的Q SM来测量向壁入射的离子能量。据 此可知，AC比越大，入射到壁上的离子能量越减少。(改变AC比的机构)由此，为了减少入射到壁的离子能量、防止壁的削减，只要加大AC比即可。为了加 大AC比，研究了加大处理容器本身的方法、使挡板、载置台可动式地升降的方法。但是，在 加大处理容器本身的情况下，等离子体存在区域变大到所需以上，作用于晶圆的电力的比 例变低。另外，在使挡板等升降的情况下，产生来自可动部的灰尘、异常放电的问题。另外， 由于合理的AC比因工序种类而不同，因此当单纯加大AC比时，存在由于工序而离子对壁的 冲击力变得过小的情况。(AC比的调节部件/翅片)由此，在本实施方式中，通过在挡板130的内部空间内设置用于调节AC比的多个 翅片，来即使不设置大规模的可动部也能够可变地控制AC比。参照图1 图3说明挡板 130内部的机构。如图1以及图2所示，挡板130形成为环状，配置在载置台120的外周。如图3中 部分放大所示，挡板130的内周壁130a和外周壁130b之间是中空的。挡板130的底面130c 是倾斜而形成，并设置有用于排出气体的多个孔130cl。挡板130被接地。片状的翅片200在挡板130的内部空间中被设置成不与挡板130接触。翅片200 的下部是与挡板130的底面的倾斜配合而向同方向倾斜的板状部件。翅片200是被设置成 其至少一部分与处理容器100内的等离子体存在区域相接触的调节部件的一个例子。如图2所示，翅片200相对于挡板130的中心放射状地配置有24个。翅片200相 对于排气方向平行地被设置，并以等间隔对称地被配置。由此，不妨碍过程气体的流动，从 而保持良好的流通。为了加大AC比，只要在不对导通带来坏影响的范围内加大翅片200的 个数即可。但是，翅片的个数也可以是一个。在多个翅片的情况下，优选为从各翅片200到 接地为止的电流路径成为对称。翅片200可以是在铝(A1)上用氧化钇(Y203)的绝缘覆膜等进行涂布处理而形成 的，也可以是进行氧化铝膜处理(alumitetreatment)而形成的。另外，翅片200也可以是 在电介质的表面层叠了金属和绝缘膜涂层的结构。如图1以及图3所示，在翅片200中连接了控制翅片200的电连接状态的阻抗调 节电路210。阻抗调节电路210包含一对一地设置在24个翅片200的各个上的开关SW而形成。翅片200和开关SW是经由供电棒(线)1相连接。如图1所示，各翅片200在处理 容器100的外部与开关SW连接。各开关SW的另一端与处理容器100连接而被接地。此外，虽然未图示，但是供电棒1是在被石英等保护部件覆盖的状态下贯通处理 容器100的侧壁而与开关SW连接。通过用由绝缘物所形成的保护部件来覆盖供电棒1，使 翅片200不会短路。再次参照图3时，阻抗调节电路210与控制装置220连接。控制装置220具有CPU 220a、存储器220b、接口(I/F) 220c，各部分通过内部总线220d能够实现信号的交换。在存储器220b中，预先存储有用于控制阻抗调节电路210的各开关SW的接通或 者断开切换的制法(recipe)。制法是按每个工序改变应该接通的开关，从而确定应该被接 地的翅片200的个数和位置。CPU 220a选择符合现在开始要执行的工序的制法，按照该制 法来控制各开关SW的接通以及断开。据此，通过被接地的翅片200的个数来改变翅片200的接地面积，从而能够根据 (4)式来调节AC比。例如，根据控制装置220的控制，在断开开关SW的状态下，各翅片200 处于悬空(floating)状态。另一方面，如果设为接通开关SW的状态，则翅片200处于接地 状态。通过增加接通的开关SW的数量，能够增加被接地的翅片200的个数。由此，图1 所示的壁侧的区域Ca的接地面积的比例，相对于晶圆侧的区域Cc，相对变大。其结果是，AC 比变大，能够降低壁侧的区域Ca的鞘层电压。其结果是，离子对壁的溅射力变小，能够抑制 壁的削减。例如，在高功率的工序时，壁的削减变得加大。为了避免这种情况，增加接通的开 关SW的数量，增加接地状态的翅片200的个数，加大AC比，降低壁面侧Ca的鞘层电压。由 此，能够减小离子对壁面的冲击力，能够抑制壁的削减。另一方面，通过增加断开的开关SW的数量，能够减少接地状态的翅片200的个数。 由此，图1所示的壁侧的区域Ca的接地面积的比例，相对于晶圆侧的区域Cc，相对变小。其 结果是，AC比变小，能够加大壁侧的区域Ca的鞘层电压。其结果是，离子对壁的溅射力变 大，能够抑制附着物在壁上堆积。例如，在低功率的工序时，在壁上容易附着自由基等。为了避免这种情况，断开开 关SW而使翅片200处于悬空状态，减小AC比，加大壁面侧Ca的鞘层电压。由此，能够加大 敲打壁的力，能够抑制附着物的堆积。在功率较小的等离子体清洗中，因敲打壁的离子不足而使清洗时间增加的情况 下，为了避免这种情况，如果通过控制使开关SW断开，使翅片200为悬空状态，将AC比控制 成较小，加大壁面侧Ca的鞘层电压，则能够加大敲打壁的力。由此，根据本实施方式，通过开关SW的切换能够根据工序将壁面侧的鞘层电压设 为合理的大小，能够防止壁被过分削减或在壁上过分地堆积附着物的情况。其结果是，不 浪费腔室尺寸、高频电源的功率就能够实现高速蚀刻，能够实现生产成本的降低、提高封装 (footprint)以及节能。另外，在清洗工序、掩膜工序等的低高频功率时也能够实现处理的 高速化，使附着物向壁的堆积状态稳定化，能够提高工序的控制性能。另外，在本实施方式中，配置了 24个翅片200，各个翅片上设置有开关SW，因此能 够通过各开关SW的切换来精确控制翅片200的接地状态。
例如，当蚀刻晶圆的氧化膜时，需要在下部电极110施加1000 2000V左右的电 压的情况下，为了向晶圆提供大的离子能量，AC比越大越好，因此只要将多数的翅片200设 为接地状态即可。另一方面，在需要减小晶圆侧的能量而提高敲打壁的能量的情况下，AC比 越小越好，因此只要将多数的翅片200设为悬空状态即可。由此，通过改变翅片200的接地 个数，不必具备使载置台等可动的机构就能够微调节附着物向壁的堆积状态以及对壁的溅 射状态。此外，各翅片200的接地/非接地的状态，优选被控制成尽可能具有对称性而变成 等间隔。由此，能够使向壁的沉积物均勻地附着，并且能够均勻地削减壁。此外，开关机构能够使用机械开关、继电器、半导体开关等。另外，开关的切换以及 切换时刻，通过制法的设定还能够使其在工序过程中可变。<第一实施方式的变形例1 :AC比的调节部件/环状部件>作为调节部件的其它例子，代替翅片200，也可以使用图4所示的环状部件250。环 状部件250与翅片200 —样设置在挡板130的内部空间中，不与挡板130接触。环状部件 250在相对挡板130的周方向上设置有一个，但是也可以设置两个以上。环状部件250相对 于排气方向平行地被设置，由此，不妨碍过程气体的流动，从而保持良好的流通。环状部件 250在挡板130的内周璧130a和外周璧130b之间等间隔地被配置。根据本变形例，通过图4中未图示的阻抗调节电路210的开关SW的切换，将环状 部件250控制成接地或者非接地状态，从而能够根据(4)式来调节AC比。由此，能够防止 过分地削减壁或者附着物过分地堆积到壁上。<第一实施方式的变形例2 阻抗调节电路>作为阻抗调节电路210的其它例子，除了在第一实施方式中所说明的开关结构之 外，还可以在翅片200和开关SW之间设置图5所示的固定电容器C。据此，通过多个固定电 容器C和多个开关SW的组合来形成可变电容器。在阻抗调节电路210中，也可以使用其它 机构的可变电容器。在第一实施方式中，通过使用一端被接地的开关SW来调节翅片200的接地面积， 从而调节了接地电容。与此相对，在变形例2中，通过使用可变电容器来调节翅片200的电 连接状态，从而调节接地电容。根据式(3)以及式(4)，导出式(5)。NJN2 = (kjky = CJC, ...(5)据此，代替壁侧的区域Ca和晶圆侧的区域Cc之间的面积比，能够使用壁侧的区域 Ca和晶圆侧的区域Cc之间的电容比来确定AC比。在开关SW中，能够通过接通以及断开来 只切换接地/非接地的两种状态，但是根据具有可变电容器的阻抗调节电路210，能够连续 地改变接地电容。具体而言，当加大可变电容器的电容时接地电容变大，当减小可变电容器的电容 时接地电容变小。由此，越是增加接通的开关SW的数量，越接近翅片200被接地的状态，能 够加大壁侧的区域Ca的鞘层电容相对于晶圆侧的区域Cc的鞘层电容之比，AC比变大。由 此，能够抑制壁的削减。另一方面，越是增加断开的开关S W的数量，越接近翅片200悬空的状态，能够减 小壁侧的区域Ca的鞘层电容相对于晶圆侧的区域Cc的鞘层电容之比，AC比变小。由此，能够抑制自由基向壁的附着。如以上所说明，根据本实施方式及其变形例，通过使用调节部件来使壁侧的接地 面积、接地电容可变，能够控制AC比，由此能够调节壁的削减、附着物的堆积状态。〈第二实施方式〉(等离子体处理装置的整体结构)接着，参照图6说明本发明的第二实施方式所涉及的等离子体处理装置的整体结 构。在本实施方式中，作为调节部件的一个例子的棒状部件260a、260b、260d、260e或者环 状部件260c被设置成至少一部分与等离子体存在区域相接触。在本实施方式中，通过接通或者断开开关SW来控制棒状部件260a、260b、260d、 260e或者环状部件260c为接地状态或者非接地状态，以此调节AC比来改变壁侧的鞘层电 压。由此，能够调节离子对壁的冲击力，能够抑制壁的过度的削减且附着物的过度堆积。图7的(a)、(b)表示棒状或者环状的调节部件的其它结构例。棒状或者环状的调 节部件260f、260g为了不妨碍气体的流动且使调节部件的表面积尽可能大，相对于排气方 向平行地设置有多个。各调节部件260f、260g的配置位置避开晶圆附近以及晶圆上部，如 图7的(a)所示地是载置台120的外周、晶圆的上部外周侧，希望是配置在不影响晶圆输送 的地方。由此，能够避免污染的问题。在图7的(b)的棒状或者环状的调节部件260h中，具有在表面被绝缘物覆盖的两 个导电性部件260hl之间夹持绝缘部件260h2的层叠结构。在各导电性部件260hl中分别 连接有开关SW，通过分别切换各开关SW的接通、断开，能够将各导电性部件260hl分别控制 为接地/非接地状态。由此，能够使用调节部件260h的两面而对每个单面调节接地状态。根据本实施方式，通过开关SW的切换，能够根据工序来合理地控制壁面侧的鞘层 电压，能够防止过分地削减壁、或附着物过分地堆积在壁上。如以上所说明，调节部件只要是至少一部分与等离子体存在区域相接触的部件即 可，使用调节部件来改变AC比。由此，通过调节壁侧的接地电容来加大或减小冲击壁面的 离子能量，能够控制壁的削减、附着物向壁的堆积。根据相关结构，不需要将载置台、挡板设为可动式等的大规模的构造，因此对成 本、封装有利。另外，等离子体处理空间也不会变大到所需以上，因此不必将高频电力设定 为所需以上的高功率，能够抑制无用的能量消耗。在上述各实施方式中，构成等离子体处理装置的各部分的动作是相互关联的，考 虑相互的关联的同时，能够替换为一系列动作。由此，能够将等离子体处理装置的实施方式 设为使用了等离子体处理装置的等离子体处理方法的实施方式。以上，参照附图详细地说明了本发明的优选实施方式，但是本发明当然没有被相 关的例子所限定。只要是具有本发明所属技术领域的具有普通知识的技术人员，当然在权 利要求所述的技术思想范围内能够想到各种变更例或者修改例，相关的这些内容当然也属 于本发明的技术范围内。例如，本发明所涉及的调节部件可以是板状，也可以是棒状。本发明所涉及的调节 部件也可以是蜿蜒曲折的。如果设置多个表面积小的调节部件，则能够进行接地面积的微 调节。另一方面，如果设置表面积大的调节部件，则能够大范围调节AC比。另外，本发明的等离子体处理装置不限于蚀刻装置，只要是灰化、表面改性、CVD(Chemical Vapor D印osition 化学气相沉积)等进行等离子体处理的装置即可。
另外，通过本发明的等离子体处理装置进行等离子体处理的被处理体不限于硅晶 圆，也可以是FPD (Flat Panel Display 平板显示器)用基板或者太阳电池用基板等。
权利要求
一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置是在处理容器内的等离子体处理空间中对被处理体进行等离子体处理，其特征在于，具备调节部件，其设置成至少一部分与上述处理容器内的等离子体存在区域相接触；以及阻抗调节电路，其与上述调节部件相连接，通过控制上述调节部件与接地面之间的电连接状态来调节上述等离子体处理空间的接地电容。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述阻抗调节电路包括一端被接地的开关机构，通过使用该开关机构调节上述调节部 件的接地面积来调节上述等离子体处理空间的接地电容。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述阻抗调节电路包括可变电容器，通过使用该可变电容器调节上述调节部件的电连 接状态来调节上述等离子体处理空间的接地电容。
4.根据权利要求1 3中的任意一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述调节部件相对于排气方向平行地被设置。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述调节部件设置在挡板的内部空间中，该挡板设置在载置台的外周上。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述调节部件以上述挡板为中心放射状地被配置了多个。
7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述调节部件以上述挡板为中心在圆周方向上被配置了一个或者两个以上。
8.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述调节部件对称地被配置了多个。
9.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述调节部件等间隔地被配置了多个。
10.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述阻抗调节电路中所包括的多个开关机构或者多个可变电容器的至少一种，分别与 上述多个调节部件的各个一对一地相连接。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述阻抗调节电路通过对每个上述开关机构或者每个上述可变电容器的控制来调节 上述等离子体处理空间的接地电容。
12.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，具备控制装置，该控制装置具有存储器，根据预先存储在上述存储器中的制法来控制 上述阻抗调节电路。
13.一种使用了等离子体处理装置的等离子体处理方法，该等离子体处理方法是在处 理容器内的等离子体处理空间中对被处理体进行等离子体处理，其特征在于，在上述等离子体处理装置中，调节部件被设置成至少一部分与上述处理容器内的等离 子体存在区域相接触，通过与上述调节部件相连接的阻抗调节电路，控制上述调节部件与接地面之间的电连 接状态来调节上述等离子体处理空间的接地电容。
全文摘要
本发明提供一种不设置大规模的可动部就能够改变AC比的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。蚀刻装置(10)是在处理容器内部对晶圆(W)进行等离子体处理的装置，该蚀刻装置(10)具有调节部件，其设置成至少一部分与处理容器内的等离子体存在区域相接触；以及阻抗调节电路(210)，其与调节部件相连接，通过控制调节部件与接地面之间的电连接状态来调节等离子体存在区域的接地电容。
文档编号H01J37/32GK101853765SQ20101013986
公开日2010年10月6日 申请日期2010年3月30日 优先权日2009年3月31日
发明者舆水地盐 申请人:东京毅力科创株式会社