半导体晶片蚀刻辅助装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种半导体晶片蚀刻辅助装置，包括下盘（2）和设置在下盘（2）上的多个晶片放置凹孔（1）；还包括在所述下盘（2）上的多个晶片放置凹孔（1）的底部边缘开设的防移动卡槽（40），以及用于固定晶片（3）的盖状装置（4）；所述盖状装置（4）的上表面直径小于所述盖状装置（4）主体的直径，并在所述盖状装置（4）的上表面边缘处开设有拆分凹槽（44），在所述盖状装置（4）的底部边缘处安装有密封部（41），在所述盖状装置（4）上开设有多个导气孔（43）。本半导体晶片蚀刻辅助装置在保证晶片蚀刻稳定性和密封性的同时，显著缩短了对晶片进行蚀刻的作业时间，有效提高作业效率和产品合格率。
【专利说明】半导体晶片蚀刻辅助装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体晶片的加工装置，具体是一种半导体晶片蚀刻辅助装置。
【背景技术】
[0002]目前，半导体制造领域普遍采用在晶片表面形成薄膜，通过等离子体的化学气相沉积来进行蚀刻，进而刻画出所需的图形。
[0003]为了确保产能，一次要处理多片晶片产品，以往的半导体晶片蚀刻辅助装置是直径为320_的圆盘，采用小尺寸的蓝宝石衬底，如图1所示，这种传统半导体晶片蚀刻辅助装置包括下盘2，在下盘2上设有多个具有一定深度的晶片放置凹孔1，在晶片放置凹孔I上放置晶片3，然后将上盘6扣压在下盘2上，通过多个螺栓42和连接孔7将下盘2和上盘6进行紧固；在上盘6上设有与晶片放置凹孔I 一一对应的上盘通孔8，在上盘通孔8的内侦牝朝向上盘通孔8的中心方向均匀设有多个顶压式防移动装置5，该顶压式防移动装置5在下盘2和上盘6结合时，将顶压住晶片放置凹孔I中的晶片3，以达到防止晶片3移动的目的。进而将结合好的下盘2和上盘6放入设备内对晶片3进行蚀刻加工。
[0004]上述现有技术的半导体晶片蚀刻辅助装置存在以下问题:
[0005]I)下盘2和上盘6若要紧密连接需要很多数量的螺栓42，作业完毕后需要拆开下盘2和上盘6，拆卸螺栓42，再分解下盘2和上盘6，整体作业时间会较长，而导致作业效率低下；
[0006]2)使用螺栓42对下盘2和上盘6进行紧固会带来污染物质，因此导致产品出现次品的概率增大，产品合格率受到影响；
[0007]3)使用螺栓42固定下盘2和上盘6时，都需要拧动螺栓42的动作，由于力道的差异，将会使得晶片3的受力均衡性较差，在后续蚀刻过程中极易导致问题产品的出现；
[0008]4)顶压式防移动装置5直接接触晶片3的上表面中的一部分，在后续蚀刻过程中，顶压式防移动装置5会损伤到与晶片3的接触部位，将会形成没有图形的区域，该区域如果较大的话就将导致问题产品的出现。
实用新型内容
[0009]针对上述现有技术问题，本实用新型提供一种半导体晶片蚀刻辅助装置，能够完全避免现有技术问题存在的缺陷，显著缩短作业时间，提高作业效率和产品合格率。
[0010]为了实现上述目的，本半导体晶片蚀刻辅助装置包括下盘和设置在下盘上的多个晶片放置凹孔；
[0011]还包括在所述下盘上的多个晶片放置凹孔的底部边缘开设的防移动卡槽，以及用于固定晶片的盖状装置；
[0012]所述盖状装置的上表面直径小于所述盖状装置主体的直径，并在所述盖状装置的上表面边缘处开设有拆分凹槽，在所述盖状装置的底部边缘处安装有密封部，在所述盖状装置上开设有多个导气孔。
[0013]进一步，所述防移动卡槽为阶梯式结构。
[0014]进一步，所述密封部为密封圈。
[0015]与现有技术相比，本半导体晶片蚀刻辅助装置将现有的上、下盘拼接式的半导体晶片蚀刻辅助装置改造为单孔盖状装置对晶片进行固定，采用在晶片放置凹孔的底部边缘开设的防移动卡槽，以及在盖状装置上设置密封部、拆分凹槽和导气孔的方式，在保证晶片蚀刻稳定性和密封性的同时，显著缩短了对晶片进行蚀刻的作业时间，有效提高了作业效率和产品合格率。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是现有技术的结构示意图；
[0017]图2是本实用新型的安装结构示意图；
[0018]图3是单孔安装状态放大示意图；
[0019]图4是盖状装置放大示意图。
[0020]图中:1、晶片放置凹孔，2、下盘，3、晶片，4、盖状装置，5、顶压式防移动装置，6、上盘，7、连接孔，8、上盘通孔，40、防移动卡槽，41、密封部，42、螺栓，43、导气孔，44、拆分凹槽。
【具体实施方式】
[0021]下面结合附图对本实用新型做进一步说明。
[0022]如图2、图3和图4所示，本半导体晶片蚀刻辅助装置包括下盘2和设置在下盘2上的多个晶片放置凹孔I ;
[0023]还包括在所述下盘2上的多个晶片放置凹孔I的底部边缘开设的防移动卡槽40，以及用于固定晶片3的盖状装置4 ；
[0024]所述盖状装置4的上表面直径小于所述盖状装置4主体的直径，并在所述盖状装置4的上表面边缘处开设有拆分凹槽44，在所述盖状装置4的底部边缘处安装有密封部41，在所述盖状装置4上开设有多个导气孔43。
[0025]进一步，所述防移动卡槽40为阶梯式结构，原理与按扣相似，能够将晶片3和密封部41卡紧，有效地防止了晶片3在蚀刻过程中发生移动的现象，保证了晶片3的蚀刻质量。
[0026]进一步，所述密封部41为密封圈，简单实用，能够有效起到密封的作用，防止晶片3与防移动卡槽40之间的间隙出现气体泄漏。
[0027]本半导体晶片蚀刻辅助装置在安装时，首先将晶片3所需蚀刻的表面朝下放入下盘2上的晶片放置凹孔I中，并将晶片3紧密卡入阶梯式防移动卡槽40的底部；接着将盖状装置4也放入晶片放置凹孔I，通过阶梯式的防移动卡槽40卡紧，保证盖状装置4的底部边缘处安装的密封部41与晶片3紧密结合。安装完毕后，将整块下盘2翻转，使晶片3所需蚀刻的表面朝上，盖状装置4朝下放入蚀刻设备中即可；盖状装置4上开设有多个导气孔43，用于实现气体的热传导。
[0028]在晶片3蚀刻完成后，再将整块下盘2翻转，使盖状装置4朝上，由于盖状装置4的上表面直径小于所述盖状装置4主体的直径，并在所述盖状装置4的上表面边缘处开设有拆分凹槽44，因此通过撬动拆分凹槽44，即可以方便地将蚀刻完成的晶片3取出。[0029]本实用新型将现有的上、下盘拼接式结构改造为单孔盖状装置4对晶片3进行固定，采用在晶片放置凹孔I的底部边缘开设的防移动卡槽40，以及在盖状装置4上设置密封部41、拆分凹槽44和导气孔43的方式，在保证晶片3的蚀刻稳定性和密封性的同时，显著缩短了对晶片3进行蚀刻的整体作业时间，有效提高了作业效率和产品合格率。
【权利要求】
1.一种半导体晶片蚀刻辅助装置，包括下盘(2)和设置在下盘(2)上的多个晶片放置凹孔(I)； 其特征在于，还包括在所述下盘(2)上的多个晶片放置凹孔(I)的底部边缘开设的防移动卡槽(40)，以及用于固定晶片(3)的盖状装置(4)； 所述盖状装置(4)的上表面直径小于所述盖状装置(4)主体的直径，并在所述盖状装置(4)的上表面边缘处开设有拆分凹槽(44)，在所述盖状装置(4)的底部边缘处安装有密封部(41)，在所述盖状装置(4)上开设有多个导气孔(43)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶片蚀刻辅助装置，其特征在于，所述防移动卡槽(40)为阶梯式结构。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶片蚀刻辅助装置，其特征在于，所述密封部(41)为密封圈。
【文档编号】H01J37/20GK203631484SQ201320849382
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2013年12月20日 优先权日:2013年12月20日
【发明者】崔相玉 申请人:徐州同鑫光电科技有限公司