专利名称：晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔及其雷射贯孔制程的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种承载器的定位孔及其贯孔制程，特别是涉及一种可折弯(Flexible)的晶片与软片接合的软片式承载器(Film carrier)的定位孔及其雷射贯孔(laser drilling)制程。
背景技术：
随着科技的进步与生活品质的持续提升，加上3C产业的整合与持续成长，使得集成电路(Integrated circuit，IC)的应用领域越来越广。为了使结构脆弱的集成电路裸晶片(die)能受到有效的保护，并同时使集成电路裸晶片能与外界相互传递讯号，才发展出晶片封装(package)技术。目前已经研发出的晶片封装技术众多，以晶片接合技术来说，常见的晶片接合技术为打线(Wire Bonding，W/B)、覆晶(Flip Chip，F/C)、卷带式自动接合(Tape Automatic Bonding，TAB)及晶片与软片接合(Chip On Film，COF)等，其中晶片与软片接合技术是直接将晶片接合于一软片式承载器上，而封装完成后的封装体不但体积小、重量轻，且由于软片式承载器本身具有可折弯(Flexible)的特性，故可使得封装体在后续组装上更具有弹性。
请参阅图1A～1H所示，是现有习知的一种晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程。
请参阅图1A，首先，先提供一薄膜110与一金属层130，其中金属层130是形成于薄膜110上。请参阅图1B，之后，使用一冲压模具(图中未示)对薄膜110进行冲孔(Punch)，而产生多个传动孔140。薄膜110及金属层130是藉由这些传动孔140而配置于一输送带(图中未示)上，并藉由此输送带而带动薄膜110及金属层130前进。然后，再对金属层130的表面132进行一化学研磨(chemical polish)制程。
请参阅图1C所示，接着，在金属层130的表面132上形成一光阻层150。请参阅图1D，之后，在光阻层150上配置一罩幕10，其中此罩幕10具有多个开口12，然后，藉由一光线通过此罩幕10的多个开口12，而对光阻层150进行曝光(exposure)，并移除罩幕10。请参阅图1E，接着，对光阻层150进行显影(development)，使得光阻层150呈现出一图案。请参阅图1F，之后，经由蚀刻(etching)而移除未被光阻层150的图案所覆盖的金属层130。请参阅图1G，然后，移除光阻层150。请参阅图1H，接着，使用另一冲压模具(图中未示)对薄膜110与金属层130进行冲孔而产生多个定位孔142，即完成现有习知晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔的制作。
值得注意的是，每一批软片式承载器，必须针对不同晶片的接点位置(皆图中未示)而设计出对应的定位孔142位置，而这些定位孔142是利用冲压模具对薄膜110及金属层130进行冲孔而形成。因此，对于不同晶片的接点位置设计，则必须特别订做并使用不同规格的冲压模具，然而，制作模具所需耗费的时间、成本却相当地高，如此，在生产少量多样的软片式承载器时，将明显大幅地增加了软片式承载器的定位孔的制造成本。
由此可见，上述现有的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔及其雷射贯孔制程在使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔及其雷射贯孔制程存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。
有鉴于上述现有的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔及其雷射贯孔制程存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔及其雷射贯孔制程，能够改进一般现有的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔及其雷射贯孔制程，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔存在的缺陷，而提供一种新的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔，所要解决的技术问题是使其在生产少量多样的软片式承载器时，可有效地节省软片式承载器的定位孔的制造成本，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。
本发明的另一目的在于，提供一种晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔雷射贯孔制程，所要解决的技术问题是使其在生产少量多样的软片式承载器时，可有效地节省软片式承载器的定位孔的制造成本，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其至少包括提供一薄膜与一金属层，其中该金属层是配置于该薄膜上；图案化该金属层，以形成一具有多数个定位记号的图案在该金属层上；以及藉由一雷射而形成多数个定位孔于该薄膜上本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其中所述的定位记号是与该金属层被图案化时同时形成。
前述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其中所述的图案化该金属层包括形成一具有多数个空心孔的定位记号的图案在该金属层上。
前述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其中所述的定位孔是藉由较低能量的雷射贯穿该薄膜且贯穿空心的该些定位记号而形成。
前述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其中所述的图案化该金属层包括形成一具有多数个实心点的定位记号的图案于该金属层上。
前述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其中所述的定位孔是藉由较高能量的雷射同时贯穿实心的该些定位记号与该薄膜而形成。
前述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其中所述的金属层配置于该薄膜上的方法包括一溅镀制程、一压合制程及一涂布制程的其中的一。
前述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其中所述的图案化该金属层的步骤包括形成一光阻层于该金属层的表面上；将具有多数个开口的一罩幕配置于该光阻层上；经由曝光、显影该光阻层，使得该光阻层呈现出一具有多数个定位记号的图案，并移除该罩幕；经由蚀刻而移除未被该光阻层所覆盖的该金属层；以及移除该光阻层。
前述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，在形成该光阻层前，更包括对该金属层进行一表面处理。
前述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其中所述的表面处理包括化学研磨。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种雷射贯孔制程，适用于将一薄膜及/或一金属层贯孔，而该金属层是配置于该薄膜上，其中该金属层具有多数个定位记号的图案，其至少包括藉由一雷射并贯穿该些定位记号而形成多数个定位孔于该薄膜上。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的雷射贯孔制程，其中所述的定位记号包括空心的定位记号，且该些定位孔是藉由一较低能量的雷射贯穿空心的该些定位记号与该薄膜而形成。
前述的雷射贯孔制程，其中所述的定位记号包括实心的定位记号，且该些定位孔是藉由一较高能量的雷射贯穿实心的该些定位记号与该薄膜而形成。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明的主要技术内容如下本发明提出一种晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程。首先，提供一薄膜与一金属层，其中金属层是配置于薄膜上。接着，图案化金属层，以形成一具有多个定位记号的图案在金属层上，其中这些定位记号是与金属层形成一图案化线路层时同时形成。之后，藉由一雷射而形成多个定位孔在薄膜上，以完成本发明的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔的制作。
依照本发明的较佳实施例所述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其中这些定位记号是与金属层被图案化时同时形成。当这些定位记号例如为空心孔时，定位孔是藉由低能量的雷射贯穿薄膜且贯穿空心的这些定位记号所形成的。此外，当这些定位记号例如为实心点时，定位孔是藉由高能量雷射同时贯穿薄膜以及实心的这些定位记号所形成的。
依照本发明的较佳实施例所述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其中将金属层配置于薄膜上的方法包括一溅镀制程、一压合制程或一涂布制程。
依照本发明的较佳实施例所述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其中图案化金属层的步骤包含下列数个步骤。首先，形成一光阻层在金属层的表面上。之后，将具有多个开口的一罩幕配置于光阻层上。然后，经由曝光、显影光阻层，使得光阻层呈现出此具有多个定位记号的图案，并移除罩幕。接着，经由蚀刻而移除未被光阻层所覆盖的金属层。最后，移除光阻层，以完成图案化金属层的制程。
依照本发明的较佳实施例所述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其中在形成光阻层前，更包括对金属层进行一表面处理，此表面处理包含化学研磨(chemical polish)。
为达本发明的上述目的，本发明另提出一种雷射贯孔制程，适用于将一薄膜及/或一金属层贯孔，而金属层是配置于薄膜上，其中金属层具有多个定位记号的图案，而此雷射贯孔制程至少包含藉由一雷射并贯穿这些定位记号而形成多个定位孔于薄膜上。
依照本发明的较佳实施例所述的雷射贯孔制程，其中这些定位记号包含空心的定位记号，其例如为铜环，且这些定位孔是藉由较低能量的雷射而贯穿空心的这些定位记号及薄膜而形成，或者是这些定位记号包含实心的定位记号，其例如为铜垫，且这些定位孔是藉由较高能量的雷射贯穿实心的这些定位记号与薄膜而形成。
借由上述技术方案，本发明晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔及其雷射贯孔制程至少具有下列优点本发明的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔及其雷射贯孔制程因仅藉由雷射就可贯穿这些定位记号及薄膜而形成。因此，相较于现有习知软片式承载器的定位孔制程，本发明的软片式承载器的定位孔制程将毋须制作模具，并可符合少量、多样地制作软片式承载器的定位孔的需求，故可有效地节省制作软片式承载器的定位孔的成本。
综上所述，本发明特殊结构的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔及其雷射贯孔制程，其能够在生产少量多样的软片式承载器时，可有效地节省软片式承载器的定位孔的制造成本，。其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类产品及制造方法中未见有类似的结构设计及方法公开发表或使用而确属创新，其不论在产品结构、制造方法或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔及其雷射贯孔制程具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，以下特举出多个较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
图1A～1H是现有习知的一种晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程。
图2A～2H是本发明第一实施例的一种晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程。
图2I是图2H的软片式承载器，其锡层覆盖于金属层的图案上的结构示意图。
图2J是图2I的软片式承载器，其焊罩层形成于部分的锡层上的结构示意图。
图2K是图2J的软片式承载器，其另一锡层形成于未被焊罩层覆盖的锡层上的结构示意图。
图3A～3B是本发明第二实施例的一种晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔的部分制程。
10、20罩幕12、22开口110薄膜 130金属层132表面 140传动孔142定位孔 150光阻210、310薄膜 230、330金属层232、332图案化线路234、334定位记号240传动孔 242、342定位孔250光阻 260、280锡层270焊罩层
具体实施例方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔及其雷射贯孔制程其具体实施方式
、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
第一实施例请参阅图2A～2H所示，是本发明第一实施例的一种晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程。请参阅图2A，首先，先提供一薄膜210及一金属层230，其中金属层230是形成于薄膜210上，而薄膜210的材质例如为聚乙酰胺(polyimide)，且金属层230的材质例如为铜箔或其他金属等，而将金属层230形成于薄膜210上的方法包括例如一溅镀(sputtering)、压合(laminate)及涂布(casting)等制程，而此种一薄膜210与一金属层230接合的软片式承载器是为两层板的型式；若是金属层230是藉由一粘着层(图中未示)而压合(Laminate)于薄膜210上时，则此种一薄膜210、一粘着层与一金属层230接合的软片式承载器是为三层板的型式。
请参阅图2B，之后，例如使用一冲压模具(图中未示)对薄膜210进行冲孔(Punch)而产生多个传动孔240，其中薄膜210及金属层230是藉由这些传动孔240而配置于一输送带(图中未示)上，并藉由此输送带而带动薄膜210及金属层230前进。然后，再例如对金属层230的表面232进行一表面处理步骤，其例如为一化学研磨(chemical polish)制程，以平坦化金属层230的表面232等。
请参阅图2C，接着，例如在金属层230的表面232上形成一光阻层250。请参阅图2D，之后，例如在光阻层250上配置一罩幕10，其中此罩幕10例如具有多个开口12，然后，例如藉由一光线通过此罩幕10的多个开口12，而对光阻层250进行曝光(exposure)。接着，移除此罩幕10。请参阅图2E，之后，例如对光阻层250进行显影(development)，使得光阻层250呈现出一图案。请参阅图2F，之后，例如经由一蚀刻(etching)制程而移除未被光阻层250的图案所覆盖的金属层230，其中蚀刻完的金属层230的图案例如包含一图案化线路232与多个空心的定位记号234，其中此空心的定位记号234例如为铜环等。请参阅图2G，然后，移除光阻层250。
请参阅图2H，接着，例如使用一较低能量的雷射并贯穿这些空心的定位记号234而在薄膜210上烧灼出多个定位孔242。之后，例如进行一成品检测步骤，以确保金属层230的图案外观良好，并无互相连接产生短路(Short)或断裂的现象等，以完成本发明的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔242的制作。
请参阅图2I所示，是图2H的软片式承载器，其锡层覆盖于金属层的图案上的结构示意图。请参阅图2I，然后，例如使用一电镀(plating)制程而将一锡层260覆盖于金属层230的图案上。图2J是图2I的软片式承载器，其焊罩层形成于部分的锡层上的结构示意图。请参阅图2J，再者，例如使用一印刷(printing)制程而将一焊罩层270形成于部分的锡层260上。图2K是图2J的软片式承载器，其另一锡层形成于未被焊罩层覆盖的锡层上的结构示意图。请参阅图2K，接着，例如使用一电镀(plating)制程而将另一锡层280形成于未被焊罩层270覆盖的锡层260上。最后，例如进行一成品检测步骤，以确保锡层260、280及焊罩层270的外观形成良好，而完成本发明的两层软片式承载器的制作(仅包括薄膜210与金属层230时)，以适于进行后续的将晶片配置于软片(Chip On Film，COF)上的制程。当然，若是本发明的软片式承载器是包括薄膜210、金属层230及一粘着层时，其则为三层软片式承载器。
值得注意的是，本实施例的软片式承载器的制程亦可以一较高能量的雷射而围绕着这些空心的定位记号234的周围而共同在金属层230及薄膜210上烧灼出多个定位孔，亦包含在本发明的保护的范围内。至于会用到较高能量的雷射的原因乃是因为此雷射必须要贯穿金属层230而烧灼出多个定位孔。
此外，上述图2H的以雷射烧灼出多个定位孔242的步骤，未必要在图2C～图2G的图案化金属层230的步骤之后执行，亦可以在图2A、2B、2C、2D、2E、2F、2I、2J或2K的步骤之后才进行。
另外，相较于现有习知晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，由于每一软片式承载器的传动孔240位置皆可相同，故本发明晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程仅在制作传动孔240时需制作一模具(图中未示)即可。但是，值得注意的是，由于定位孔242的位置会随着所对应的晶片的接点位置(皆图中未示)而改变，因此，本发明的软片式承载器的定位孔制程将以一雷射制程就可弹性地在金属层230或薄膜210上烧灼出多个定位孔242，而毋须制作多种不同规格的模具，故可有效地节省制作多种不同规格的模具所需的时间与成本，并可符合少量、多样地制作软片式承载器的定位孔242的需求，以有效地节省制作软片式承载器的定位孔242的成本。
第二实施例请参阅图3A～3B所示，是本发明第二实施例的一种晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔的部分制程，其定位记号为实心的剖面示意图。请参阅图3A，此外，相较于第一实施例的定位孔制程，其形成的空心的定位记号234，本实施例的软片式承载器的定位孔制程，在移除其光阻层之后，在金属层上330例如制作出包含金属层330的实心的定位记号334，其中此实心的定位记号334例如为铜垫等。
请参阅图3B，接着，例如使用一较高能量的雷射并贯穿这些实心的定位记号334而于金属层330及薄膜310上烧灼出多个定位孔342。至于本实施例的制程的其他步骤则与上述的第一实施例相同，在此便不再赘述，只是其罩幕的开口数目小于第一实施例的罩幕10的开口12数目，故蚀刻完金属层330后，仅显现出例如一图案化线路332等。
当然，本实施例的软片式承载器的制程亦可以一较高能量的雷射而围绕着这些实心的定位记号334的周围而在金属层330及薄膜310上烧灼出多个定位孔342，亦包含在本发明的保护的范围内。
因此，相较于现有习知的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，本发明晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程将以一雷射制程就可弹性地在金属层330、薄膜310上烧灼出多个定位孔342，而毋须制作多种不同规格的模具，以有效地节省制作软片式承载器的定位孔342的成本。
综上所述，由于本发明的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔及其雷射贯孔制程因仅藉由一雷射制程就可于金属层或薄膜上烧灼出多个定位孔。因此，相较于现有习知软片式承载器的制程，本发明仅需制作同一位置规格的传动孔的模具，而毋须制作其他符合不同位置规格的定位孔的模具，并符合少量、多样地、弹性地制作软片式承载器的定位孔的需求，以有效地节省制作软片式承载器的定位孔成本。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其特征在于其至少包括提供一薄膜与一金属层，其中该金属层是配置于该薄膜上；图案化该金属层，以形成一具有多数个定位记号的图案在该金属层上；以及藉由一雷射而形成多数个定位孔于该薄膜上。
2.根据权利要求1所述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其特征在于其中所述的定位记号是与该金属层被图案化时同时形成。
3.根据权利要求1所述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其特征在于其中所述的图案化该金属层包括形成一具有多数个空心孔的定位记号的图案在该金属层上。
4根据权利要求3所述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其特征在于其中所述的定位孔是藉由较低能量的雷射贯穿该薄膜且贯穿空心的该些定位记号而形成。
5.根据权利要求1所述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其特征在于其中所述的图案化该金属层包括形成一具有多数个实心点的定位记号的图案于该金属层上。
6.根据权利要求5所述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其特征在于其中所述的定位孔是藉由较高能量的雷射同时贯穿实心的该些定位记号与该薄膜而形成。
7.根据权利要求1所述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其特征在于其中所述的金属层配置于该薄膜上的方法包括一溅镀制程、一压合制程及一涂布制程的其中的一。
8.根据权利要求1所述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其特征在于其中所述的图案化该金属层的步骤包括形成一光阻层于该金属层的表面上；将具有多数个开口的一罩幕配置于该光阻层上；经由曝光、显影该光阻层，使得该光阻层呈现出一具有多数个定位记号的图案，并移除该罩幕；经由蚀刻而移除未被该光阻层所覆盖的该金属层；以及移除该光阻层。
9.根据权利要求8所述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其特征在于在形成该光阻层前，更包括对该金属层进行一表面处理。
10.根据权利要求9所述的晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔制程，其特征在于其中所述的表面处理包括化学研磨。
11.一种雷射贯孔制程，适用于将一薄膜及/或一金属层贯孔，而该金属层是配置于该薄膜上，其中该金属层具有多数个定位记号的图案，其特征在于其至少包括藉由一雷射并贯穿该些定位记号而形成多数个定位孔于该薄膜上。
12.根据权利要求11所述的雷射贯孔制程，其特征在于其中所述的定位记号包括空心的定位记号，且该些定位孔是藉由一较低能量的雷射贯穿空心的该些定位记号与该薄膜而形成。
13.根据权利要求11所述的雷射贯孔制程，其特征在于其中所述的定位记号包括实心的定位记号，且该些定位孔是藉由一较高能量的雷射贯穿实心的该些定位记号与该薄膜而形成。
全文摘要
本发明是关于一种晶片与软片接合的软片式承载器的定位孔及其雷射贯孔制程。首先，提供一薄膜与一金属层，其中金属层是配置于薄膜上。接着，图案化金属层，以形成一具有多个定位记号的图案于金属层上。之后，藉由雷射贯穿薄膜以形成至少一定位孔于定位记号所在的位置。相较于现有习知软片式承载器的定位孔制程，由于本发明的软片式承载器的定位孔制程毋须额外的模具，并可符合少量、多样地制作软片式承载器的需求，故可有效地节省制作软片式承载器的定位孔的成本。
文档编号B23K26/00GK1783441SQ20041009555
公开日2006年6月7日 申请日期2004年11月29日 优先权日2004年11月29日
发明者胡迪群, 吴建男, 林仁杰 申请人:晶强电子股份有限公司