专利名称：插座的锡圈熔焊工艺的制作方法
技术领域：
本发明公开一种熔焊工艺，特别涉及公开一种插座的锡圈熔焊工艺。
背景技术：
插座可分为两部分，其中外壳采用黄铜材料，内芯为烧结件(由可伐合金板、针与玻璃烧结而成)，然后再将内芯与外壳焊接在一起。现有的焊接方法分为以下三类(l)熔焊；(2)压焊；(3)钎焊。其中熔焊焊接方法被广泛的应用于插座内芯与外壳的连接上。所
谓的熔焊，是指在焊接过程中，将焊件接头加热至熔化状态，不加压力完成焊接的方法，焊接时，既要保证插座的防泄漏性，又要保证耐气压差的要求，还要考虑到焊接温度低于玻璃的软化温度及焊接后对插针和插座外壳表面涂覆的影响。以现有的熔焊焊接法根本无法同
时兼顾以上要求及影响，因此使焊接后的插座无法承受气压差超过25个大气压的长时间
实验，并且插座的防泄漏性能差。
发明内容
本发明的目的在于解决现有技术的不足而提供一种能大大降低插座的生产成本，且能使插座可以承受气压差超过25个大气压的长时间实验，并提高插座防泄漏性能的锡圈熔焊工艺。 本发明的目的是通过如下技术方案来实现的锡圈熔焊工艺，包括如下工艺步骤A、烧结件；B、烧结件的表面涂覆；C、将烧结件装入已镀镍的插座外壳；D、将插座放进500°C的箱式电阻炉，保温5分钟；E、取出插座；F、将事先绕好的锡圈放入烧结件与已镀镍插座外壳的配合位置； 本发明的具体生产工艺操作过程 A、烧结件将可伐合金制成的插针与可伐板在650 67(TC温度条件下，保温5分钟进行氧化处理得到鼠灰色可伐零件后，马上与玻璃绝缘子在950 990°C 、保温25分钟的条件下烧结； B、烧结件的表面涂覆对烧结件进行镀金或用其他方法进行处理； C、将烧结件装入已镀镍的插座外壳； D、将插座放进500 °C的箱式电阻炉，保温5分钟； E、取出插座； F、将事先绕好的锡圈放入烧结件与已镀镍插座外壳的配合位置锡圈的自熔成液
体后向烧结件结合面的四周流入及与插座外壳的镀层"浸润"来密封烧结件与插座外壳的
结合面，冷却后起到焊接烧结件与插座外壳的作用。
采用本发明熔焊工艺插座具有如下产品性能 1)耐气压差> 25个大气压 2)防护等级IP673)耐电压4000V
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本发明的熔焊工艺利用锡圈的自熔成液体后向烧结件结合面的四周流入及与插座外壳的镀层"浸润"来密封烧结件与插座外壳的结合面，在实施的过程中无需使用任何的助焊剂，不会污染插座的零件表面，大大降低插座的生产成本，使插座不仅可以承受气压差超过25个大气压的长时间实验，且防泄漏性能好。
具体实施方式
实施方式一 将可伐合金制成的插针与可伐板在65(TC温度条件下，保温5分钟进行氧化处理得到鼠灰色可伐零件后，马上与玻璃绝缘子在95(TC、保温25分钟的条件下烧结；接着对烧结件进行镀金处理；将处理好的烧结件装入已镀镍的插座外壳后，将插座放进50(TC的箱式电阻炉，保温5分钟；取出插座；将事先绕好的锡圈放入烧结件与已镀镍插座外壳的配合位置，锡圈自熔成液体后向烧结件结合面的四周流入及与插座外壳的镀层"浸润"来密封烧结件与插座外壳的结合面，冷却后起到焊接烧结件与插座外壳的作用。
实施方式二 将可伐合金制成的插针与可伐板在66(TC温度条件下，保温5分钟进行氧化处理得到鼠灰色可伐零件后，马上与玻璃绝缘子在97(TC、保温25分钟的条件下烧结；接着对烧结件进行镀金处理；将处理好的烧结件装入已镀镍的插座外壳后，将插座放进50(TC的箱式电阻炉，保温5分钟；取出插座；将事先绕好的锡圈放入烧结件与已镀镍插座外壳的配合位置，锡圈自熔成液体后向烧结件结合面的四周流入及与插座外壳的镀层"浸润"来密封烧结件与插座外壳的结合面，冷却后起到焊接烧结件与插座外壳的作用。
实施方式三 将可伐合金制成的插针与可伐板在67(TC温度条件下，保温5分钟进行氧化处理得到鼠灰色可伐零件后，马上与玻璃绝缘子在99(TC、保温25分钟的条件下烧结；接着对烧结件进行镀金处理；将处理好的烧结件装入已镀镍的插座外壳后，将插座放进50(TC的箱式电阻炉，保温5分钟；取出插座；将事先绕好的锡圈放入烧结件与已镀镍插座外壳的配合位置，锡圈自熔成液体后向烧结件结合面的四周流入及与插座外壳的镀层"浸润"来密封烧结件与插座外壳的结合面，冷却后起到焊接烧结件与插座外壳的作用。
权利要求
插座的锡圈熔焊工艺，其特征在于包括如下步骤1)烧结件将可伐合金制成的插针与可伐板在650～670℃温度条件下，保温5分钟进行氧化处理得到鼠灰色可伐零件后，马上与玻璃绝缘子在950～990℃、保温25分钟的条件下烧结；2)、烧结件的表面涂覆对烧结件进行镀金或用其他方法进行处理；3)、将烧结件装入已镀镍的插座外壳；4)、将插座放进500℃的箱式电阻炉，保温5分钟；5)、取出插座；6)、将事先绕好的锡圈放入烧结件与已镀镍插座外壳的配合位置锡圈自熔成液体后向烧结件结合面的四周流入及与插座外壳的镀层浸润来密封烧结件与插座外壳的结合面。
2. 如权利要求1所述的插座的锡圈熔焊工艺，其特征在于可伐合金制成的插针与可伐板氧化处理温度为65(TC，可伐零件与玻璃绝缘子烧结温度为950°C。
3. 如权利要求1所述的插座的锡圈熔焊工艺，其特征在于可伐合金制成的插针与可伐板氧化处理温度为66(TC，可伐零件与玻璃绝缘子烧结温度为970°C。
4. 如权利要求1所述的插座的锡圈熔焊工艺，其特征在于可伐合金制成的插针与可伐板氧化处理温度为67(TC，可伐零件与玻璃绝缘子烧结温度为990°C。
全文摘要
本发明公开一种熔焊工艺，特别涉及公开一种插座的锡圈熔焊工艺。本发明的熔焊工艺利用锡圈的自熔成液体后向烧结件结合面的四周流入及与插座外壳的镀层“浸润”来密封烧结件与插座外壳的结合面，在实施的过程中无需使用任何的助焊剂，不会污染插座的零件表面，大大降低插座的生产成本，使插座不仅可以承受气压差超过25个大气压的长时间实验，且防泄漏性能好。
文档编号B23K1/20GK101745708SQ200810237868
公开日2010年6月23日 申请日期2008年12月6日 优先权日2008年12月6日
发明者高文彬 申请人:高文彬