专利名称：一种led晶体微焊共晶方法
技术领域：
本发明属于LED制作技术领域，具体地说是一种LED晶体微焊共晶方法。
背景技术：
现有的LED晶体共晶过程中，一般是使用约3ιιπΓ25ιιπι的金锡钎焊片，然后加热至 300摄氏度使金锡合金融化将LED晶体焊接于固定支架上。另一方法是使用有助焊剂的锡 金焊膏直接加热焊接晶片。实际使用中，该两种方法存在如下缺点1.因LED晶体与支架 接触表面粗糙度不一致，间接接触面积太少，在加热时也容易造成锡金氧化，形成假焊，造 成导热不良；2.使用锡金焊膏时，助焊剂涂布不均勻或者助焊剂没有挥发赶紧残留于支架 表面，也会形成假焊或导热不良；3. LED晶体固定后无法用普通显微镜检测芯片与之间间 是否紧密焊接，只能用价格昂贵的X光设备用非破坏的方式检测，检测非常不便。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种导热性能好、抗氧化性高的LED晶体微焊 共晶方法。为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案实现一种LED晶体微焊共晶方法，该方法步骤为1)、焊料涂布，将膏状锡金焊料涂布于固定支架上用于固定LED晶体位置，并通过 助焊剂加热使焊料融化填充于支架LED晶体共晶位置上；2)、助焊剂清除，在加热状态下，用纯水或皂化剂清洗清除助焊剂；3)、镀保护层，在加热状态下，在氮气或氮氢混合气体或真空环境中在的焊料上镀 金保护层。其中，所述的保护层为金镀层，厚度约为0. lunTO. 3um。其中，所述的固定支架材料为氧化铝或硅或氮化铝或氮化硅或碳化硅。其中，加热的方式为直接加热或超声波加热或点焊方式加热，加热温度为300士 10 摄氏度。其中，加热时为氮气或氮氢混合气体或真空环境。与现有技术相比，采用本发明方法生产的LED灯具具有如下优点1.具有高导电、高导热性能；2.设置了保护层，具有较高的抗氧化性能；3.具有较高的抗热冲击性；4.焊料渗透性(湿润性)良好；5.便于采用自动化设备作业，工作效率高，无需专用设备对成品进行检测。
具体实施例方式为了便于本领域技术人员的理解，下面将结合具体实施例对本发明结构原理作进一步详细描叙本发明实施例揭示的LED晶体微焊共晶方法采用如下步骤实现首先，焊料涂布，将膏状锡金焊料涂布于固定支架上用于固定LED晶体位置，并通 过助焊剂加热至300士 10摄氏度使焊料融化填充于支架LED晶体共晶位置；然后，在该加热 状态下实施助焊剂清除，采用纯水或皂化剂清洗清除助焊剂，将助焊剂从融化的焊料上清 除掉；最后镀保护层，同样在该加热状态下，在氮气或氮氢混合气体或真空环境中在融化的 焊料上镀保护层，保护焊接部位不会直接暴露于外界空气中氧化。共晶时，再使用超声波或 直接电加热微焊晶片。本实施例中，保护层为金。本实施例中，固定支架材料为氧化铝。此外，该固定支架材料也可以为氧化铝或硅 或氮化铝或氮化硅。本实施例中，加热的方式为直接家人。此外，该加热方式也可以为超声波加热或点 焊方式加热。本实施例中，加热时为氮气环境。此外，也可以为氮氢混合气体或真空环境。本发明保证了 LED晶体热量高效、迅速地传导散失，减少对LED晶体的损害，延长 LED晶体的使用寿命。在本公司采用自动化设备批量实验来看，合格率已经可稳定在98% 以上。以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能 因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说， 在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。因此，本发明专利的保护范围 应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种LED晶体微焊共晶方法，其特征在于，该方法步骤为1)、焊料涂布，将膏状锡金焊料涂布于固定支架上用于固定LED晶体位置，并通过助焊 剂加热使焊料融化填充于支架LED共晶位置上；2)、助焊剂清除，在加热状态下，用纯水或皂化剂清洗清除助焊剂；3)、镀保护层，在加热状态下，在氮气或氮氢混合气体或真空环境中在融化的焊料上镀 保护层；4)、加热方法，程序。
2.根据权利要求1所述的LED晶体微焊共晶方法，其特征在于所述的保护层为金。
3.根据权利要求1所述的LED晶体微焊共晶方法，其特征在于所述的固定支架材料 为氧化铝或硅或氮化铝或氮化硅。
4.根据权利要求1所述的LED晶体微焊共晶方法，其特征在于加热的方式为直接加 热或超声波加热或点焊方式加热，加热温度为300士 10摄氏度。
5.根据权利要求1所述的LED晶体微焊共晶方法，其特征在于加热时为氮气或氮氢 混合气体或真空环境。
全文摘要
一种LED晶体微焊共晶方法，该方法步骤依次焊料涂布、助焊剂清除、真空蒸镀金保护层、共晶。与现有技术相比，采用本发明方法生产的LED灯具具有如下优点1.具有高导电、高导热性能；2.设置了保护层，具有较高的抗氧化性能；3.具有较高的抗热冲击性；4.焊料渗透性(湿润性)良好；5.便于采用自动化设备作业，工作效率高，无需专用设备对成品进行检测。
文档编号B23K1/00GK102000893SQ20101052377
公开日2011年4月6日 申请日期2010年10月25日 优先权日2010年10月25日
发明者李启智, 詹勋县, 谭耀武 申请人:惠州志能达光电科技有限公司