厚膜基板无焊料共晶贴装方法
【专利摘要】本发明公开了一种厚膜基板无焊料共晶贴装方法，对基板进行加热，使用芯片吸头拾取芯片，并将芯片对准基板上的焊接区域，在焊接区域上按一定方向进行摩擦，直至芯片的硅材料与基板的金熔合形成金硅共晶体，冷却后形成焊接界面。本发明实现无焊料的共晶焊焊接，有效的降低成本；芯片与基板直接熔合，具有较高的导电率和导热率，改善了电路的性能，可以用于大功率电路；无须进行焊料的涂覆、印刷、焊片的裁剪，生产效率得以提高；芯片硅材料直接与基板导体熔合，具有较高的机械强度和长期可靠性，不会产生放气和二次污染，可以用于高可靠性应用场合。
【专利说明】厚膜基板无焊料共晶贴装方法
[0001]
【技术领域】
[0002]本发明涉及一种厚膜基板贴装方法，属于集成电路【技术领域】。
【背景技术】
[0003]传统的厚膜基板芯片贴装一般采用环氧树脂粘接或焊料焊接的方法。环氧树脂粘接是预先在粘接区域涂覆导电(或绝缘)的环氧树脂，再将芯片贴装在已涂覆好的环氧树脂上，通过高温固化使得芯片与基板结合在一起。焊料焊接是预先在焊接区域涂覆焊膏或放置预先裁剪好的焊片，再将芯片贴装在焊膏/焊片上，通过高温使焊料熔化，使得芯片与基板结合在一起。通常使用的焊料为锡基焊料。
[0004]缺点:环氧树脂粘接粘接强度较小、电阻率、热阻率较大，在使用过程中会出现劣化和放气，在高可靠性应用场合如宇航产品被禁止使用。采用锡基焊料焊接为达到良好的焊接效果，必须使用助焊剂，助焊剂会污染电路其它部位；同时锡基焊料焊接时还容易产生锡珠飞溅，造成器件的短路和损坏，因此也不适用于高可靠性场合。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是提供一种厚膜基板无焊料共晶贴装方法，克服环氧树脂粘接和焊料焊接的方法缺陷。
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供一种厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，包括以下步骤:
1)基板加热:将基板加热到金一硅共晶体临界温度以上；
2)拾取芯片:由贴装设备上的芯片吸头通过真空吸附拾取芯片；
3)摩擦贴装:在基板的焊接区域上将芯片与基板进行摩擦，芯片的硅材料与基板的金熔合形成金一硅共晶体；
4)冷却:冷却后形成焊接界面，使芯片焊接至基板上。
[0007]所述芯片是硅材料，耐受最高450°C的温度，芯片背面具有金保护层，金保护层厚度0.Ιμπι?0.3μ m,保护层与娃材料之间无其它阻挡层。
[0008]金导体衆料丝网印刷成膜，导体烧结膜厚5 μ m?12 μ m。
[0009]丝网印刷选用丝网的目数为300目?450目。
[0010]芯片的摩擦振幅设定为15 μ m?30 μ m，摩擦频率设定为2?5次/每秒，单只芯片摩擦焊接时间不超过20秒。
[0011]基板加热温度设定为380°C?420°C。
[0012]贴装设备采用喷氮气对摩擦贴装进行保护，氮气流量设定为60 Ι/h?80 1/h。
[0013]所述基板为氧化铝陶瓷基板或LTCC基板。
[0014]芯片吸头为与芯片形状相同的四边形，朝向芯片的吸嘴贯穿面上设置通孔，采用真空吸附芯片；吸嘴贯穿面四边连接2个或4个倾斜的侧壁，侧壁倾斜形成外大内小的喇叭口形。
[0015]倾斜的侧壁为2个时，2个侧壁相对设置。
[0016]本发明所达到的有益效果:
1)本发明实现无焊料的共晶焊焊接，有效的降低成本。
2)芯片与基板直接熔合，具有较高的导电率和导热率，改善了电路的性能，可以用于大功率电路。
[0017]3)无须进行焊料的涂覆、印刷、焊片的裁剪，生产效率得以提高。
[0018]4)芯片硅材料直接与基板上的导体熔合，具有较高的机械强度和长期可靠性，不会产生放气和二次污染，可以用于高可靠性应用场合。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1是采用摩擦金一硅共晶焊接方式示意图；
图2为2斜面吸头；
图3为4斜面吸头；
图4基板焊接区域设计图；
图5是技术实施流程框图；
图6是本发明在典型的组装流中的位置示意图。
【具体实施方式】
[0020]下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
[0021]本发明采用摩擦金一硅共晶方式实现芯片与厚膜基板的贴装，是将基板I加热到金一硅共晶临界温度以上，在共晶贴装设备使用专用芯片吸头3拾取芯片，在基板I上的焊接区域11上按一定方向进行摩擦(如图1所示)，芯片2的硅材料与基板I的金熔合形成金硅共晶体，冷却后形成牢固的焊接界面。金导体浆料印刷生成基板上的芯片焊接区域11。
[0022]I)贴装设备的选择:贴装设备必须具备最高可加热到450°C的加热平台，加热平台具有气氛保护功能；设备可安装专用芯片吸头，吸头组件可以进行一定频率、一定幅度的摩擦动作。
[0023]2)专用芯片吸头设计:专用芯片吸头3为与芯片形状相同的四边形，吸头朝向芯片的吸嘴贯穿面31上设置通孔311，通孔与真空系统(真空泵或管道真空)相连，通过该通孔采用真空吸附芯片。吸嘴贯穿面31的四个侧壁32为斜面，并且斜面倾斜形成外大内小的喇叭口形，斜面与芯片的侧壁接触时形成的是线接触，即仅斜面与芯片边缘相接触，可以保证不损伤芯片表面，如图3所示。在其他实施例中也可以采用2个相对的侧壁32为斜面，与芯片的2个相对的边缘相接触。采用四边接触(如图3)或两边接触(如图2)设计，便于在吸附芯片进行摩擦时，芯片不与吸嘴贯穿面进行面接触，可以保证不损伤芯片表面。
[0024]专用芯片吸头，采用夹持芯片边缘的方法，可以有效拾取芯片并且不会损伤芯片表面。芯片吸头具有加热装置，可以将芯片加热到一定温度(通常比基板加热温度低100°C?150°c)，在高温加热的厚膜基板上进行摩擦，芯片的硅与基板焊接区域的金形成金硅共晶体，冷却后形成牢固的焊接界面。
[0025]2)芯片的要求:芯片必须是硅材料，可以耐受最高450°C的温度，芯片背面具有金保护层，金保护层厚度0.1 μ m?0.3 μ m，防止硅材料氧化，并可以有效提高焊接时的浸润性。保护层与硅材料之间无其它阻挡层。
[0026]3)基板焊接区域导带的设计:基板焊接导体采用金导体浆料丝网印刷成膜，选用丝网的目数为300目?450目，乳剂膜厚25μπι?40μπι，导体烧结膜厚为5μπι?12 μ m。导体图形设计如图4所示，焊区尺寸为(A+2C)X(B+2D)，其中A、B分别为芯片的长和宽，C、D分别为焊接区域每侧超出芯片长和宽的距离，C、D 一般大于0.1mm。
[0027]4)基板加热温度及气氛保护:基板加热温度设定为380°C?420°C，温度的高低与芯片的尺寸成正比。为避免出现高温氧化，采用喷氮气保护(如有条件采用95%N2 + 5%H2)，氮气流量设定为60 Ι/h?80 1/h。
[0028]5)贴装工艺设计:摩擦贴装振幅设定为15 μ m?30 μ m，摩擦频率设定为2?5次/每秒，单只芯片摩擦焊接时间不超过20秒，电路一次整体焊接时间小于2分钟。
[0029]本发明的贴装方法流程如下:
如图5所示，准备工作做好后，先对基板进行加热，使用专用芯片吸头拾取芯片，并将芯片对准基板上的焊接区域，在焊接区域上按一定方向进行摩擦，直至芯片的硅材料与基板的金熔合形成金硅共晶体，冷却后形成焊接界面。
[0030]组装顺序的考虑:由于采用无焊料共晶贴装操作温度较高，因此其组装顺序排在首位，待其加工完成后在进行其它步骤的操作，以避免对其他元件造成不利影响，如图6所示，按本发明的方法先进行无焊料共晶贴装，再进行其它元件贴装、元件与基板互联，基板安装、封盖。
[0031]本发明主要工艺参数设计:
1)芯片材料:娃(Si),背面背金,金层厚度0.Ιμ--?0.3μηι;
2)基板类型:氧化铝(Al2O3)陶瓷、LTCC；
3)基板导带:金导体、印刷成膜，导体膜厚5μ m?12 μ m ;
4)基板加热温度:390°C?420°C；
5)单只芯片焊接时间；10s?20s。
[0032]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，包括以下步骤: 1)基板加热:将基板加热到金一硅共晶体临界温度以上； 2)拾取芯片:由贴装设备上的芯片吸头夹持芯片边缘，通过真空吸附拾取芯片； 3)摩擦贴装:在基板的焊接区域上将芯片与基板进行摩擦，芯片的硅材料与基板的金熔合形成金一硅共晶体； 4)冷却:冷却后形成焊接界面，使芯片焊接至基板上。
2.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，所述芯片是硅材料，耐受最高450°C的温度，芯片背面具有金保护层，金保护层厚度0.1 μ m?0.3 μ m，保护层与硅材料之间无其它阻挡层。
3.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，基板的焊接区域上，由金导体浆料丝网印刷成膜，导体烧结膜厚5 μ m?12 μ m。
4.根据权利要求3所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，丝网印刷选用丝网的目数为300目?450目。
5.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，芯片的摩擦振幅设定为15 μ m?30 μ m，摩擦频率设定为2?5次/每秒，单只芯片摩擦焊接时间不超过20秒。
6.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，基板加热温度设定为 380°C?420°C。
7.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，贴装设备采用喷氮气对摩擦贴装进行保护，氮气流量设定为60 Ι/h?80 1/h。
8.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，所述基板为氧化铝陶瓷基板或LTCC基板。
9.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，芯片吸头为与芯片形状相同的四边形，朝向芯片的吸嘴贯穿面上设置通孔，采用真空吸附芯片；吸嘴贯穿面四边连接2个或4个倾斜的侧壁，侧壁倾斜形成外大内小的喇叭口形。
10.根据权利要求1所述的厚膜基板无焊料共晶贴装方法，其特征是，倾斜的侧壁为2个时，2个侧壁相对设置。
【文档编号】H01L21/60GK104319242SQ201410579029
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年10月27日 优先权日:2014年10月27日
【发明者】李 杰, 车勤, 陈希龙, 刘昕 申请人:中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心