专利名称：静电吸盘的制作方法
技术领域：
本发明方式涉及一种通常的静电吸盘。
背景技术：
在进行蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition :化学气相沉积)、派射、离子注入、灰化、曝光、检查等的基板处理装置中，作为吸附保持被吸附物(半导体晶片、玻璃基板等)的单元使用静电吸盘。在此，当静电吸盘的载置面和被吸附物互相摩擦时有可能会产生颗粒。而且，当静电吸盘的载置面和被吸附物的接触面积变大时被吸附物的吸附脱离响应性有可能会变差。因此，公知有如下技术，通过在静电吸盘的载置面侧设置突起部而减小接触面积，从而实现抑制颗粒污染并提高被吸附物的吸附脱离响应性。而且，提出有如下技术，在静电吸盘的载置面侧设置突起部的同时，对突起部的顶面进行抛光，从而在顶面上形成表面粗糙度Ra为O. 25S以下的平坦面(参照专利文献I)。该专利文献I所公开的技术通过对突起部的顶面、侧面以及突起部周围的平面部(凹部的底面)进行镜面研磨，从而即使在被吸附物的背面与这些部分接触时也能抑制产生颗粒(参照专利文献I的
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等)。但是，如果使突起部的顶面为平坦面，则由于平坦面的顶面与被吸附物的背面摩擦反而有可能使颗粒增加。尤其是近年存在如下倾向，即附着于被吸附物背面等的颗粒数的限制变得严格，使突起部的顶面为平坦面时，则有可能无法应对颗粒数的限制。
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另外，如果使突起部的顶面为平坦面，则被吸附物的吸附脱离响应性也有可能变差。而且，提出有如下技术，在静电吸盘的载置面侧设置突起部的同时，对突起部的顶面进行喷丸加工，从而在顶面上形成中心线平均粗糙度Ra为O. 5 μ m以上的粗糙面区域(参照专利文献2的
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)。该粗糙面区域是为了提高被吸附物的面内温度的均匀性、提高被吸附物的吸附脱离响应性等而设置的。而且，由于粗糙面区域为不与被吸附物的背面接触的非接触面，因此可抑制粗糙面区域与被吸附物的背面摩擦(参照专利文献2的
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)。但是，在粗糙面区域的周围形成有中心线平均粗糙度Ra为O. 5 μ m以下的平滑区域。即，与专利文献I所公开的技术的情况一样，有可能由于顶面的平滑区域与被吸附物的背面摩擦而使颗粒增加。尤其是近年存在如下倾向，即附着于被吸附物背面等的颗粒数的限制变得严格，有可能由于在突起部的顶面设置平滑区域而无法应对颗粒数的限制。另外，如果在突起部的顶面上设置平滑区域，则被吸附物的吸附脱离响应性也有可能变差。而且，利用喷砂法等形成突起部时，有时在突起部的表面区域、平面部的表面区域内产生裂纹等的缺陷部。这种缺陷部内在于表面区域内时，则表面区域的一部分有可能以缺陷部为基点而脱离从而产生颗粒。
这种内在于表面区域内的缺陷部无法用抛光法除去，利用磨具加工法、激光雕刻法、喷丸法等时还有可能进一步使缺陷部增加。而且，没有考虑关于构成突起部的顶面、侧面以及突起部周围的平面部的材料的晶粒径，还有可能使颗粒增加。而且，如果利用磨具加工法、激光雕刻法、喷丸法等形成专利文献2所公开的粗糙面区域，则形成又细又深的孔。被这种孔捕捉的微小的异物很难用清扫除去，有可能无法容易地使静电吸盘表面的清洁状态恢复。另外，所捕捉的微小的异物有可能因静电吸盘动作时产生的电场而从粗糙面区域浮起，并附着在被吸附物的背面上。即，由于被粗糙面区域捕捉的微小的异物很难用清扫除去，因此残留的异物迟早有可能变成颗粒。专利文献1:日本国特开2003-86664号公报专利文献2 :日本国特开2001-341043号公报
发明内容
本发明方式是基于上述课题的认识而进行的，提供一种静电吸盘，可抑制产生颗粒，同时容易使静电吸盘表面的清洁状态恢复。第I发明是一种静电吸盘，是具备电介体基板的静电吸盘，该电介体基板具有突起部，形成在载放被吸附物侧的主面上；及平面部，形成在所述突起部的周围，其特征在于，所述电介体基板由多晶陶瓷烧结体形成，所述突起部的顶面为曲面，在所述顶面上与露出在表面上的晶粒相对应地形成有第I凹部，所述平面部具有平坦部，在所述平坦部上形成有第2凹部，所述第I凹部的深度尺寸比所述第2凹部的深度尺寸大。根据该静电吸盘，除去被第I凹部、第2凹部的内部捕捉的异物变得容易。S卩，即使在异物附着于静电吸盘表面的情况下，也能容易地使静电吸盘表面的清洁状态恢复。顶面为曲面且形成有第I凹部。因此，可以使顶面和被吸附物背面的接触部分的面积大幅度减少。还可以在第I凹部的内部捕捉细微的异物。而且，由于在平坦部上形成有第2凹部，因此假使被吸附物挠曲而致使被吸附物的背面与平面部接触，也能够使接触部分的面积大幅度减少。还可以在第2凹部的内部捕捉细微的异物。S卩，由于可以使与被吸附物背面的接触部分的面积减少，因此可抑制产生颗粒。而且，通过在第I凹部、第2凹部的内部捕捉细微的异物，而能够抑制产生颗粒。第2发明是一种静电吸盘，在第I发明中，其特征在于，所述顶面具有比因吸附力而弯曲的所述被吸附物的挠曲曲线的曲率半径小的曲率半径。根据该静电吸盘，可以使顶面的形状对应于板状被吸附物被静电吸附时的挠曲形状。因此，可以使顶面和被吸附物背面的接触部分上的表面压力下降，因此，可抑制产生颗粒。第3发明是一种静电吸盘，在第I发明中，其特征在于，所述第I凹部的深度尺寸和所述第2凹部的深度尺寸比所述多晶陶瓷烧结体的晶粒的平均粒径小。根据该静电吸盘，可抑制产生颗粒，同时更容易恢复静电吸盘表面的清洁状态。第4发明是一种静电吸盘，在第I发明中，其特征在于，所述第I凹部的侧面为斜面，所述第I凹部的底面和所述第I凹部的侧面所成的角度为钝角，所述第I凹部的侧面与所述顶面相交的部分以及所述第I凹部的侧面与所述第I凹部的底面相交的部分呈带有连续圆角的形状。根据该静电吸盘，在对静电吸盘表面进行清洁时可以消除成为死角的部分，因此，可以更加切实且容易地恢复静电吸盘表面的清洁状态。S卩，由于深度浅的第I凹部的侧面部分为连续平缓的形状，因此可以增大与无纺布等清扫工具的接触面积。因此，即使是用含有有机溶剂的无纺布擦拭程度的清扫，也能顺畅地除去微小的异物。第5发明是一种静电吸盘，在第I发明中，其特征在于，所述第2凹部的侧面为斜面，所述第2凹部的底面和所述第2凹部的侧面所成的角度为钝角，所述第2凹部的侧面与所述平坦部相交的部分以及所述第2凹部的侧面与所述第2凹部的底面相交的部分呈带有连续圆角的形状。根据该静电吸盘，在对静电吸盘表面进行清洁时可以消除成为死角的部分，因此，可以更加切实且容易地恢复静电吸盘表面的清洁状态。S卩，由于深度浅的第2凹部的侧面部分为连续平缓的形状，因此可以增大与无纺布等清扫工具的接触面积。因此，即使是用含有有机溶剂的无纺布擦拭程度的清扫，也能顺畅地除去微小的异物。第6发明是一种静电吸盘，在第I发明中，其特征在于，所述平面部具有在所述平面部上开口的多个孔，所述平坦部形成在所述孔的周围。根据该静电吸盘，由于可以在平面部上开口的多个孔中捕捉异物，因此可抑制产生颗粒。 第7发明是一种静电吸盘，在第6发明中，其特征在于，所述孔的深度尺寸比所述多晶陶瓷烧结体的晶粒的平均粒径小。根据该静电吸盘，除去被孔捕捉的异物变得容易。第8发明是一种静电吸盘，在第I发明中，其特征在于，所述突起部的高度尺寸比所述多晶陶瓷烧结体的晶粒的平均粒径大。根据该静电吸盘，假使多晶陶瓷烧结体的晶粒脱落，也能抑制突起部的形状改变。第9发明是一种静电吸盘，在第I发明中，其特征在于，所述电介体基板由多晶氧化铝烧结体形成，所述平均粒径为1. 5 μ m以下，粒径分布的标准偏差为I μ m以下。根据该静电吸盘，由于可以使作为基底的多晶氧化铝烧结体成为致密的组织，因此可以用CMP法均匀且稳定地形成第I凹部、第2凹部。其结果，可使颗粒的产生大幅度减少。第10发明是一种静电吸盘，在第9发明中，其特征在于，所述电介体基板的氧化铝含有率为99. 9wt%以上，假密度为3. 96以上，体积电阻率在静电吸盘的使用温度区域内为IO14Qcm 以上。这种静电吸盘利用库仑力吸附被吸附物。如果利用库仑力则能够显现较强的吸附力，但是即使在这种静电吸盘的情况下，也能够使颗粒的产生大幅度减少。第11发明是一种静电吸盘，在第I发明中，其特征在于，所述顶面的曲率半径为20毫米以下。
根据该静电吸盘，可以使顶面的曲率半径比因吸附力而弯曲的板状被吸附物的挠曲曲线的曲率半径小。第12发明是一种静电吸盘，在第I发明中，其特征在于，所述第I凹部的深度尺寸为30nm以上、150nm以下，所述第2凹部的深度尺寸为5nm以上、30nm以下。根据该静电吸盘，除去被第I凹部、第2凹部的内部捕捉的异物变得容易。S卩，即使在异物附着于静电吸盘表面的情况下，也能容易地使静电吸盘表面的清洁状态恢复。第13发明是一种静电吸盘，在第9发明中，其特征在于，所述电介体基板的体积电阻率在静电吸盘的使用温度区域内为IO8Qcm以上、IO13 Qcm以下。这种静电吸盘利用约翰逊·拉别克力吸附被吸附物。如果利用约翰逊·拉别克力，则与利用库仑力时相比吸附力变强，但是即使在这种静电吸盘的情况下，也能够使颗粒的产生大幅度减少。第14发明是一种静电吸盘，在第13发明中，其特征在于，所述电介体基板的氧化铝含有率为99. 4wt%以上。如果是由这种高纯度的氧化铝形成的电介体基板，则可以抑制氧化铝以外的物质引起的污染。根据本发明方式，提供一种静电吸盘，可抑制产生颗粒，同时容易使静电吸盘表面的清洁状态恢复。
图1 (a)是用于例示静电吸盘的模式剖视图，(b)是(a)中的A部分的模式放大图。 图2是用于例示突起部和平面部的表面特性、截面形状等的曲线图。图3是用于例示形成在突起部的顶面上的细微凹部的激光显微镜照片。图4是用于例示形成在平坦部上的细微凹部的扫描型电子显微镜照片。图5是用于例示使顶面为平坦面时的激光显微镜照片。图6是用于例示形成在顶面3al上的凹部13a的形状的图；(a)是凹部13a的三维图像，(b)、(c)是用于例示凹部13a的轮廓的图。图7是用于例示形成在平坦部3b2上的凹部13b的形状的图；(a)是凹部13b的三维图像，(b)、(c)是用于例示凹部13b的轮廓的图。图8是用于例示在平面部上开口的孔的深度尺寸的曲线图。图9是用于例示细微凹部的长度测定的激光显微镜照片。图10是用于例示露出在多晶陶瓷烧结体表面上的晶粒的长度测定的激光显微镜照片。图11是用于例示电介体基板的表面区域中产生的裂纹的扫描型电子显微镜照片。图12是用于例示表面区域的一部分将要脱离的状态的扫描型电子显微镜照片。图13 (a)是用于例示缺陷部所内在的部分上产生的干涉条纹的激光显微镜照片，(b)是(a)中的B-B线截面的扫描型电子显微镜(SEM !Scanning Electron Microscope)照片，而且，(c)是(b)中的D部分的放大照片，(d)是与(a)相同的部分的扫描型电子显微镜照片。图14 (a)是用于例示缺陷部所内在的部分上产生的干涉条纹的激光显微镜照片，(b)是(a)中的C-C线截面的扫描型电子显微镜照片。图15是用于例示进行了二值化处理的图像的照片。图16是用于例示用CMP法除去缺陷部的状态的曲线图。图17是用于例示用CMP法除去缺陷部之前的状态的曲线图。图18是用于例示用CMP法除去缺陷部的状态的曲线图。图19是用于例示用CMP法除去缺陷部之前的状态的曲线图。图20 Ca)是晶粒的平均粒径为1. 8μπι左右的情况，(b)是晶粒的平均粒径为1. 4μπι左右的情况。图21是用于例示通过激光显微镜拍摄的多晶陶瓷烧结体的照片。图22是用于例示晶粒的平均粒径和粒径分布的标准偏差的曲线图。图23是用于例示晶粒的平均粒径和粒径分布的标准偏差的曲线图。图24是用于例示细微凹部的深度测定的图；(a)是用于例示测定值曲线的曲线图，(b)是用于例示测定位置的激光显微镜照片。图25是表示形成在顶面3al上的细微凹部13a的深度尺寸与附着在被吸附物背面上的颗粒数的关系的曲线图。图26 (a)是晶粒的 平均粒径为20μπι 50μπι、假密度为3. 7、氧化铝含有率为90wt%的情况，(b)是晶粒的平均粒径为1. 5 μ m以下、假密度为3. 96、氧化铝含有率为99. 9wt%的情况。图27是用于例示附着在半导体晶片背面上的颗粒数的模式图；另外，Ca)是作为基底的多晶氧化铝烧结体为图26 (a)所示的状态的情况，(b)是作为基底的多晶氧化铝烧结体为图26 (b)所示的状态的情况。图28 Ca)是用于例示其它实施方式所涉及的静电吸盘的模式剖视图，(b)是(a)中的F部分的模式放大图。图29是用于例示静电吸盘的制造方法的流程图。
具体实施例方式以下，参照附图例示本发明的实施方式。另外，对各附图中相同的构成要素标注相同的符号并适当省略详细的说明。图1是用于例示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式剖视图。另外，图1 (a)是用于例示静电吸盘的模式剖视图，图1 (b)是图1 (a)中的A部分的模式放大图。如图1 (a)、(b)所示，在静电吸盘I中设置有基台2、电介体基板3、电极4。在基台2的一侧的主面(电极4侧的表面)上形成有由无机材料构成的绝缘体层5。而且，电介体基板3具有突起部3a，形成在载放被吸附物侧的主面(载置面侧)上；及平面部3b,形成在突起部3a的周围。该突起部3a的顶面在载放半导体晶片等的被吸附物时成为载置面。另外，关于突起部3a、平面部3b的表面特性、截面形状等的详细内容在后面进行说明。而且，用绝缘性粘结剂粘结设有电极4的电介体基板3的主面和设有绝缘体层5的基台2的主面。该绝缘性粘结剂固化后成为接合层6。电极4和电源10a、电源IOb通过电线9连接。另外，电线9以贯穿基台2的方式被设置，但是电线9与基台2绝缘。图1所例示的是使正极、负极的电极相互邻接而形成在电介体基板3上的所谓的双极型静电吸盘。但是，并未限定于此，也可以是使一个电极形成在电介体基板3上的所谓的单极型静电吸盘，还可以是三极型、其它多极型。而且，电极的数量、形状、配置也可以适当变更。而且，以贯穿静电吸盘I的方式设置有贯穿孔11。贯穿孔11的一端在平面部3b上开口，另一端介由未图示的压力控制单元、流量控制单元而与也未图示的气体供给单元连接。未图示的气体供给单元供给氦气体或氩气体等。而且，通过形成平面部3b而设置的空间3c成为所供给的气体的通路。空间3c彼此分别连通，使所供给的气体遍布全部空间。而且，在载放半导体晶片等的被吸附物时支撑被吸附物外周部的位置上配设未图示的环状突起部，还可以避免前述气体漏出。而且，当设置有前述气体供给用贯穿孔11以外的贯穿孔时，在该贯穿孔周围配设未图示的环状突起部，也可以避免前述气体漏出。上述未图示的环状突起部的表面特性、截面形状等也可以与突起部3a —样。而且，可以在平面部3b上设置与贯穿孔11连通的放射状、同心圆状的未图示的气体分配槽(凹状槽)。如果设置这种气体分配槽，则可以加快气体分配速度。基台2例如可以由如铝合金、铜等的热传导率高的金属形成。而且，可以在其内部设置流过冷却液或加热液的流路8。另外，不是一定需要流路8，但是从被吸附物的温度控制的观点出发则优选设置。而且，设置在基台2的一侧的主面上的绝缘体层5例如可以由氧化铝(A1203)、氧化钇(Y2O3)等的多晶体形成。而且，优选绝缘体层5的热传导率比接合层6的热传导率大。此时，更优选使绝缘体层5的热传导率为2W/mK以上。据此，热传递性比接合层单独存在时更为良好，可以使被吸附物的温度控制性和面内温度的均匀性更加提高。在接合层6中，优选提高其热传导率。例如，优选使热传导率为lW/mK以上，如果为1. 6ff/mK以上则更加优选。上述热传导率例如可以通过作为填充物在硅树脂等中添加氧化铝、氮化铝而得到。而且，还可以通过添加的比率来调节热传导率。如果考虑热传递性，则优选接合层6的厚度尽量薄。另一方面，如果考虑由于基台2的热膨胀率与电介体基板3的热膨胀率的差所引起的热剪切应力而使接合层6剥离等，则优选接合层6的厚度尽量厚。因此，考虑上述情况，优选接合层6的厚度为O.1mm以上、O. 3mm以下。电介体基板3可以根据静电吸盘所要求的各种要求而使用各种材料。此时，考虑热传导率、电绝缘的可靠性时，优选为多晶陶瓷烧结体。作为多晶陶瓷烧结体，例如可以例示由氧化铝、氧化钇、氮化铝、碳化硅等构成的多晶陶瓷烧结体。电介体基板3的材料的体积电阻率在静电吸盘的使用温度区域内可以为IO8 Ω cm以上。另外，本说明书中的体积电阻率是用JIS规格(日本工业标准)(JIS C2141 1992电绝缘用陶瓷材料试验方法)所示的方法测定的值。此时，测定可以在静电吸盘的使用温度区域(例如室温(25°C左右))内进行。而且，优选电介体基板3由晶粒的平均粒径为O. 8μπι以上、1. 5μπι以下的多晶陶瓷烧结体构成。而且，更优选电介体基板3由晶粒的平均粒径为I μm以上、1. 5 μm以下的多晶陶瓷烧结体构成。如果由晶粒的平均粒径为0. 8 μ m以上、1. 5 μ m以下的多晶陶瓷烧结体构成，则可以更加切实地抑制晶粒从电介体基板3脱落。而且，假使晶粒脱落，也能抑制突起部3a的形状改变。另外，关于构成电介体基板3的多晶陶瓷烧结体的晶粒的平均粒径的详细内容在后面进行说明。作为电极4的材料,可以例示氧化钛、钛单体或钛和氧化钛的混合物、氮化钛、碳化钛、鹤、金、银、铜、招、铬、镍、金-自金合金等。下面，关于突起部3a、平面部3b的表面特性、截面形状等进一步进行例示。突起部3a的顶面在载放被吸附物时成为载置面。因此，为了减少颗粒的产生，以往使突起部的顶面为平坦面，通过进行抛光、镜面研磨而避免在顶面上形成细微的凹凸(例如参照专利文献1、专利文献2)。但是，通过本发明人的研讨，结果判明了如果使突起部的顶面为平坦面，而不在顶面上形成细微凹部，则颗粒数反而增加。因此，在本实施方式中，在使突起部3a的顶面3al为曲面的同时，在顶面3al上形成细微的凹部13a (第I凹部)(参照图2、图3、图4)。细微的凹部13a的深度是基于晶粒径的尺寸。此时，优选细微的凹部13a的深度尺寸为30nm以上、150nm以下(参照图25)。在此，通过用喷砂法等削去成为突起部3a的部分的周围而形成突起部3a和平面部3b的大致形状。因此，在平面部3b上形成在平面部3b上开口的多个孔3bl。而且，如后所述，在平面部3b上开口的孔3bl的开口周围形成有平坦部3b2。而且，在本实施方式中，在平坦部3b2上也形成细微的凹部13b (第2凹部)。细微的凹部13b的深度尺寸为30nm以下，优选为20nm以下，更优选为5nm以上、20nm以下。图2是用于例示突起部和平面部的表面特性、截面形状等的曲线图。另外，图2是用接触式粗糙度测量仪测定突起部和平面部的表面的图。如图2所示，突起部3a的顶面3al具有向外侧突出的曲面。而且，在突起部3a的顶面3al上形成有细微的凹部13a。而且，在平面部3b上设置有在平面部3b上开口的多个孔3bl以及形成在孔3bl的开口周围的平坦部3b2。而且，在平坦部3b2上形成有细微的凹部13b。在此，对本说明书中的“顶面”进行说明。如图2所示，本说明书中的“顶面”是指从突起部3a的中心轴左右分开而在L2的长度范围内所具有的部分。在此，L2是突起部3a的底部长度LI的80%的长度。另外，突起部3a的顶面3al具有曲面即可，顶面3al的外侧既可以是曲面，也可以是直线状的面。下面，对本说明书中的曲面的“曲率半径R”进行说明。如图2所示，使顶面3al两端部分的位置为P1、P3，使顶面3al的中心位置(顶面3al与突起部3a的中心轴的交点位置)为P2。经过P1、P2、P3的圆的半径是本说明书中的曲面的“曲率半径R”。另外，经过P1、P2、P3的圆的中心位置为连接Pl和P2的线段的垂直二等分线与连接P3和P2的线段的垂直二等分线的交点。因此，根据P1、P2、P3的位置求出经过P1、P2、P3的圆的中心位置，通过求出圆的中心位置到P1、P2、P3任意一个的距离而能够得到曲面的“曲率半径R”。根据本发明人所得到的见解，优选顶面3al的曲率半径R比因吸附力而弯曲的板状被吸附物的挠曲曲线的曲率半径小。据此，可以使顶面3al的形状对应于板状被吸附物被静电吸附时的挠曲形状。因此，可以使顶面3al和被吸附物背面的接触部分上的表面压力下降，因此，可抑制产生颗粒。此时，如果使曲率半径R为20毫米以下，则可以使顶面3al的曲率半径比因吸附力而弯曲的板状被吸附物的挠曲曲线的曲率半径小。下面，对形成在顶面3al、平坦部3b2上的细微凹部进行说明。图3是用于例示形成在突起部的顶面上的细微凹部的激光显微镜照片。图4是用于例示形成在平坦部上的细微凹部的扫描型电子显微镜照片。图5是用于例示使顶面3al为平坦面时的激光显微镜照片。如图3所示，在突起部3a的顶面3al上形成有细微的凹部13a。而且，如图4所示，在平坦部3b2上形成有细微的凹部13b。而且，在图5所示的情况下，在顶面3al上未形成细微的凹部13b。在图3、图4所例示的状态的情况下，顶面3al为曲面且还形成有凹部13a。因此，可以使顶面3al和被吸附物背面的接触部分的面积大幅度减少。还可以在凹部13a的内部捕捉细微的异物。与此相对，在图5所例示的状态的情况下，由于在顶面3al上未形成细微的凹部13b，因此顶面3al和被吸附物背面的接触部分的面积变大。而且，还无法捕捉细微的异物。而且，由于在平坦部3b2上形成有凹部13b，因此假使被吸附物挠曲而致使被吸附物的背面与平面部3b接触，也能够使接触部分的面积大幅度减少。还可以在凹部13b的内部捕捉细微的异物。S卩，由于可以使与被吸附物背面的接触部分的面积减少，因此可抑制产生颗粒。而且，通过在凹部13a、凹部13b的内部捕捉细微的异物，而可以抑制产生颗粒。表1、表2用于例不抑制产生颗粒的效果。另外，表I是图3、图4所例示的状态的情况，表2是图5所例示的状态的情况。另外，表1、表2如下，使被吸附物为半导体晶片，按颗粒的粒径统计附着在半导体晶片背面上的颗粒数。表1、表2中的颗粒数如下，计测规定面积中的颗粒数，将该值换算为直径300mm的半导体晶片中的颗粒数。表I
权利要求
1.一种静电吸盘，是具备电介体基板的静电吸盘，该电介体基板具有突起部，形成在载放被吸附物侧的主面上；及平面部，形成在所述突起部的周围，其特征在于， 所述电介体基板由多晶陶瓷烧结体形成， 所述突起部的顶面为曲面，在所述顶面上与露出在表面上的晶粒相对应地形成有第I凹部， 所述平面部具有平坦部，在所述平坦部上形成有第2凹部， 所述第I凹部的深度尺寸比所述第2凹部的深度尺寸大。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述顶面具有比因吸附力而弯曲的所述被吸附物的挠曲曲线的曲率半径小的曲率半径。
3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述第I凹部的深度尺寸和所述第2凹部的深度尺寸比所述多晶陶瓷烧结体的晶粒的平均粒径小。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于， 所述第I凹部的侧面为斜面，所述第I凹部的底面和所述第I凹部的侧面所成的角度为钝角， 所述第I凹部的侧面与所述顶面相交的部分以及所述第I凹部的侧面与所述第I凹部的底面相交的部分呈带有连续圆角的形状。
5.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于， 所述第2凹部的侧面为斜面，所述第2凹部的底面和所述第2凹部的侧面所成的角度为钝角， 所述第2凹部的侧面与所述平坦部相交的部分以及所述第2凹部的侧面与所述第2凹部的底面相交的部分呈带有连续圆角的形状。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述平面部具有在所述平面部上开口的多个孔，所述平坦部形成在所述孔的周围。
7.根据权利要求6所述的静电吸盘，其特征在于，所述孔的深度尺寸比所述多晶陶瓷烧结体的晶粒的平均粒径小。
8.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述突起部的高度尺寸比所述多晶陶瓷烧结体的晶粒的平均粒径大。
9.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述电介体基板由多晶氧化铝烧结体形成，所述平均粒径为1. 5 m以下，粒径分布的标准偏差为I U m以下。
10.根据权利要求9所述的静电吸盘，其特征在于，所述电介体基板的氧化铝含有率为99. 9wt%以上，假密度为3. 96以上，体积电阻率在静电吸盘的使用温度区域内为IO14 Q cm以上。
11.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述顶面的曲率半径为20毫米以下。
12.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于， 所述第I凹部的深度尺寸为30nm以上、150nm以下， 所述第2凹部的深度尺寸为30nm以下。
13.根据权利要求9所述的静电吸盘，其特征在于，所述电介体基板的体积电阻率在静电吸盘的使用温度区域内为IO8Qcm以上、IO13 Q cm以下。
14.根据权利要求13所述的静电吸盘，其特征在于，所述电介体基板的氧化铝含有率为99. 4wt%以上。
全文摘要
本发明提供一种静电吸盘，是具备电介体基板的静电吸盘，该电介体基板具有突起部，形成在载放被吸附物侧的主面上；及平面部，形成在所述突起部的周围，其特征在于，所述电介体基板由多晶陶瓷烧结体形成，所述突起部的顶面为曲面，在所述顶面上形成有第1凹部，所述平面部具有平坦部，在所述平坦部上形成有第2凹部，所述第1凹部的深度尺寸比所述第2凹部的深度尺寸大。可抑制产生颗粒，同时容易使静电吸盘表面的清洁状态恢复。
文档编号B23Q3/15GK103038874SQ201180037269
公开日2013年4月10日 申请日期2011年8月11日 优先权日2010年8月11日
发明者石川佳津子, 米澤顺治, 青岛利裕, 林田义秀 申请人:Toto株式会社