专利名称：：静电吸盘的制作方法
技术领域：
：本发明涉及静电吸盘。
背景技术：
：静电吸盘在半导体器件制造的各种工序中主要作为固定工件的载置台使用。这里作为工件主要相当于晶片或调制盘。静电吸盘除了固定晶片之外，还有以从晶片有效地去除伴随工序产生的热，将晶片的温度维持在一定的目的来使用的情况。例如，为了提高晶片的冷却效果，静电吸盘配置在冷却装置上。另外，以从吸附在静电吸盘上的晶片吸取热量的目的为了向晶片的背面流入氦等背流气体，在静电吸盘上设有用于背流气体流入的细孔(例如，参照日本特开2000-315680号7>报)。但是要求才艮据用途进一步提高晶片的冷却效果。在将晶片载置于静电吸盘上用等离子蚀刻等进行处理的场合，存在起因于等离体的不均匀性而使得蚀刻率在晶片面上不同的倾向。作为解决该问题的措施，要求等离子体的高密度化。然而，由于等离子体的高密度化带来氦的吸热增加，所以必须减小静电吸盘的厚度，减小金属制的冷却装置和晶片载置面的距离，进一步提高冷却效率。该场合，有在用于流入背流气体的细孔附近发生击穿的情况，若发生击穿，则产生颗粒的发生和所处理的晶片的损伤、静电吸盘的破损等的问题明显化。
发明内容本发明的目的是提供能防止随着等离子密度增高而产生电弧的静电吸盘。本发明第一方式的静电吸盘，在具备冷却装置和配置在上述冷却装置上且具有工件载置面的静电吸盘主体的半导体制造装置中使用，其特征在于设有以贯穿上述冷却装置且从上述冷却装置的一个主面到达另一主面表面的方式延伸的气体供给孔，在上述气体供给孔的开口部设有直径比上述气体供给孔大的主沉孔部；在上述主沉孔部，埋入由设有与上述气体供给孔连通的气体流路的绝缘部件所构成的防电弧部件；在上述工件载置面，设有通过上述气体流路而与上述气体供给孔连通的细孔。本发明第二方式的静电吸盘，在具备冷却装置和配置在上述冷却装置上且具有工件载置面的静电吸盘主体的半导体制造装置中使用，其特征在于设有以贯穿上述冷却装置且从上述冷却装置的一个主面到达另一主面表面的方式延伸的气体供给孔，在上述气体供给孔的开口部设有直径比上述气体供给孔大的主沉孔部；将防电弧部件埋入上述主沉孔部，在上述防电弧部件的表面上设有用包含气体流动方向的中心线的剖面图的周围定义的多个槽，以便在将上述防电弧部件插入到上述主沉孔部时上述多个槽成为气体流路；在上述工件载置面，设有通过上述气体流路而与上述气体供给孔连通的细孔。本发明第三方式的静电吸盘，在具备冷却装置和配置在上述冷却装置上且具有工件载置面的静电吸盘主体的半导体制造装置中使用，其特征在于设有以贯穿上述冷却装置且从上述冷却装置的一个主面到达另一主面表面的方式延伸的气体供给孔，在上述气体供给孔的开口部设有直径比上述气体供给孔大的主沉孔部；在上述静电吸盘主体侧主面上具备由在上述防电弧部件的径向中心相交的两个槽所构成的十字状的副沉孔部，将防电弧部件埋入上述主沉孔部，在上述防电弧部件的圆筒形状的侧面具有在上述十字状的副沉孔部的各个槽的长度方向上直行的平面状的多个切口部，以便在将上述防电弧部件插入上述主沉孔部时形成气体流路；在上述工件载置面，设有通过上述气体流路而与上述气体供给孔连通的细孔。本发明可提供能防止随着等离子密度增高而产生电弧的静电吸盘。图1(a)表示实施方式的静电吸盘的剖面，图1(b)表示从上方观察实施方式的静电吸盘的静电吸盘主体和冷却装置的接合界面的冷却装置侧的图，图1(c)表示防电弧部件的立体图。图2(a)表示实施方式的变形例1的静电吸盘的剖面，图2(b)表示从上方观察实施方式的变形例1的静电吸盘的静电吸盘主体和冷却装置的接合界面的冷却装置侧的图，图2(c)表示防电弧部件的立体图。图3(a)表示实施方式的变形例2的静电吸盘的剖面，图3(b)表示从上方观察实施方式的变形例2的静电吸盘的静电吸盘主体和冷却装置的接合界面的冷却装置侧的图，图3(c)表示防电弧部件的立体图。图4(a)表示实施方式的变形例2的静电吸盘的剖面，图4(b)表示从上方观察实施方式的变形例2静电吸盘的静电吸盘主体和冷却装置的接合界面的冷却装置侧的图，图4(c)表示防电弧部件的立体图。图5(a)表示实施方式的变形例3的静电吸盘的剖面，图5(b)表示从上方观察实施方式的变形例3静电吸盘的静电吸盘主体和冷却装置的接合界面的冷却装置侧的图，图5(c)表示防电弧部件的立体图。图6表示比较例的静电吸盘的剖面，图6(b)表示从上方观察比较例的静电吸盘的静电吸盘主体和冷却装置的接合界面的冷却装置侧的图。图7表示现有的静电吸盘的剖视图。具体实施例方式以下举例说明实施方式，但本发明并不限定于以下的实施方式。对于图中具有相同的功能或类似的功能的部分附注相同或类似的符号而省略说明。作为工件，使用晶片进行说明。(发明所要解决的课题)本发明的目的在于提供能够防止伴随等离子体的高密度化的击穿的发生的静电吸盘。(静电吸盘)图1(a)所示的实施方式的静电吸盘10，其在具备冷却装置1和配置在上述冷却装置1上且具有工件载置面的静电吸盘主体2的半导体制造装置中使用，该静电吸盘IO设有以贯穿上述冷却装置且从上述冷却装置的一个主面到达另一主面表面的方式延伸的气体供给孔la,在气体供给孔la的开口部设有直径比气体供给孔la大的主沉孔部lb;在主沉孔部lb，埋入由设有与气体供给孔连通的气体流路3a的绝缘部件所构成的防电弧部件3;在工件载置面，设有通过气体流路3a而与气体供给孔la连通的细孔2a。还有，为了易于理解本发明省略了图示，但是静电吸盘主体2和冷却装置1通过配置在静电吸盘主体2和冷却装置1之间的接合带接合。细孔数并不特别限制于三个。防电弧部件3在圓筒状的内侧气体流路具备从冷却装置1侧向静电吸盘主体2侧内径呈同心圆状扩展的剖面锥形的内壁3b。从防止击穿的观点考虑，防电弧部件3的直径优选为静电吸盘主体2的厚度的两倍以上，从实现等离子体的高密度化和工件的冷却效果的观点考虑，优选为静电吸盘主体2的厚度的四倍以下。防电弧部件3的最小内经与气体供给孔la的内径相同或在其以下。从提高工件的冷却效果的观点考虑，静电吸盘主体2的工件载置面和冷却装置的抵接面间的厚度优选为3mm以下，更优选为1.5mm以下。设置在静电吸盘主体2上的多个细孔2al、2a2、2a3优选为内经160jum以下。静电吸盘主体2的材质没有特别限制，但从使导热性优良、对反应性气体富有抗腐蚀性的观点考虑，优选氮化铝系陶瓷、含有氮化铝的复合材料、氧化铝系陶瓷、含有氧化铝的复合材料、氧化铝和氮化铝的复合陶瓷。另外，碳化硅、氧化钇或者它们的复合材料也可以。内部电极的材质没有特别限定，所以导电性陶瓷或金属即可，但是优选高熔点金属，特别优选钼、钨、钼和钨的合金。作为防电弧部件3的材质，只要确保绝缘性就没有特别限制，可列举聚四氟乙烯(例如注册商标特氟隆)等耐热性氟树脂或氧化铝等高熔点绝缘性陶瓷。从长期使用的观点考虑，作为防电弧部件3的材质，使用形状变化的倾向小的材质更好，从冷却的观点考虑，使用导热率高的氧化铝或氮化铝等高熔点绝缘性陶瓷更好。冷却装置1具有在内部形成有冷却水的流道，且该流道的表面用铝板覆盖的结构。冷却装置的最大直径优选做成与静电吸盘主体2的最大直径相同程度。另外，冷却装置1的厚度没有特别限制，但例如将冷却装置1的厚度做成300mm程度的场合，优选将冷却装置1的厚度做成3040mm程度。冷却装置1的材质只要是导热性就没有特别限制，但是优选使用铝。作为接合片，没有特别限制，可使用各种物质，例如可使用丙烯树脂、硅酮树脂。另外，虽然使用粘接剂代替接合片也可以，但若考虑粘接剂流动而溢出的情况，则优选使用作业性良好的粘接片。关于实施方式的静电吸盘10的作用效果，在与图7所示的静电吸盘110的对比中进^f亍说明。如图7所示，冷却装置101和静电吸盘主体102之间的距离较长的场合，晶片的冷却效率低，而且如果施加高电压则不能提高等离子体密度，不能满足希望的工艺特性。这里，本发明者为了提高等离子体的密度和晶片的冷却效率，如图1所示，构思出将静电吸盘主体2的厚度变薄。虽然理由不清楚，但是通过兼作RF电极的冷却装置1和晶片载置面的距离缩短，产生了以下问题，即、在发生等离子体时，认为起因于在背流气体(,:y夕寸^H、力'只)的供给孔开口部发生击穿或辉光放电的电弧痕迹附着在工件上。击穿不仅损伤冷却装置l，而且成为颗粒或污染的原因，由于对所载置的晶片的背面(载置面)产生损伤，所以要求防止击穿的方法。该场合，如果是图7的静电吸盘，则由于冷却装置101和静电吸盘主体102间的距离长，气体供给孔101a空间宽阔，所以通过在该空间配置陶瓷片能够防止电弧的发生。但是，如图1(a)所示，若冷却装置1和晶片载置面间的距离短，则不能确保配置陶资片的空间，所以要求新的防止击穿发生的方法。本发明者精诚研究的结果，根据上述的实施方式，通过改善与上述的电弧痕迹相关的问题，可提高等离子体密度和晶片的冷却效率。根据实施方式，通过^f吏用防电弧部件3,不会在气体供给孔la上产生击穿，能够发生密度更高的等离子体。其结果，可得到例如在等离子蚀刻的工序中能够加快晶片的处理速度的作用效果。(静电吸盘的制造方法)作为静电吸盘10的制造方法，对静电吸盘主体2为氮化铝的场合的制造方法进4于i兌明。(1)首先，将氮化铝陶瓷粉末形成为规定形状而形成成形体。然后，在该成形体上配置由钼构成的内部电极。并且在其上填充氮化铝粉末再次成形并得到埋设了内部电极的圓盘状的成形体。静电吸盘IO向埋设于静电吸盘主体2内的静电电极供给用于吸附晶片的直流电压、和用于产生等离子体的RF电力。(2)其次，通过在氮气氛围中烧结该成形体，制作埋设了内部电极的静电吸盘主体2。将与内部电极电导通的端子可接合地形成。使用激光加工法和蚀刻加工法设置从晶片载置面至冷却装置抵接面的细孔2al、2a2、2a3。虽然省略了图示，但是在静电吸盘主体2上与细孔2al、2a2、2a3同样地设置多个细孑L也可以。(3)制作冷却装置1,并且在冷却装置1上设置成为背流气体供给孔la的贯通孔。供给孔la的配置间隔和直径没有特别限制，但是例如在将冷却装置1的直径^没为300mm的场合，优选在距外周端17mm内侧的圆周上以大致等间隔设置23个直径lmm的贯通孔la。在成为气体供给孔的开口部的与静电吸盘主体2的接合面侧表面可嵌合防电弧部件3地设置主沉孔部lb。在将气体供给孔la的直径做成lmm的场合的沉孔部的尺寸优选为直径2.5mm、深度1.3mm。(4)其次，制作图1(a)~(b)所示那样的防电弧部件3。将防电弧部件3嵌入冷却装置1的主沉孔部lb中。(5)然后，通过接合片接合静电吸盘主体2和冷却装置1。通过以上步骤制造出了静电吸盘10。(实施方式的变形例)如上所述，本发明通过实施方式进行了记载，但是不应理解为构成该公开的一部分的论述以及附图限定本发明。本领域技术人员根据该公开可清楚各种代替实施方式、实施例以及应用技术。作为实施方式的变形例可列举如下变形例。以不同部分的防电弧部件为中心进行说明。(变形例1)图2(a)~(c)所示的防电弧部件13在静电吸盘主体2侧的主面上设有直径比防电弧部件13的外径还小的副沉孔部13b，并具备绝缘部件，该绝缘部件具有直径比从副沉孔部13b的底面连接到冷却装置1侧主面的气体供给孔la的内径还小的多个贯通孔13al、13a2、13a3。多个贯通孔的配置和静电吸盘主体2的细孔的配置优选从静电吸盘的垂直上面观察为不重叠。贯通孔的数量在图中是三个，但也可以是三个以上。根据变形例1,通过减小背流气体的流动空间，从而难以在气体供给孔la中产生等离子体。其理由被认为是，尽管不流动但静电吸盘主体2和冷装置1的接合部被防电弧部件3密封，从静电吸盘主体2的孔2al、2a2、2a3至冷却装置1的沿面距离增大。(变形例2)图3(a)(c)所示的防电弧部件23在静电吸盘主体2侧的主面上设有直径比防电弧部件23的外径还小的副沉孔部23b，在用防电弧部件3的包含气体流动方向的中心线的剖面图的周围定义的防电弧部件的表面上设有多个槽23al、23a2，以便在插入到主沉孔部lb中时成为气体流路。图4(a)(c)所示的防电弧部件33是增加图3(b)(c)的槽23al、23a2的数量，如图4所示那样做成槽33al、33a2、33a3、33a4时的例子。根据变形例2，根据与变形例1同样的理由能够防止击穿。(变形例3)图5(a)~(c)表示防电弧部件43。如图5(c)所示，防电弧部件43在静电吸盘主体2侧主面上具备由在防电弧部件43的径向中心相交的两个槽43lv43b2所构成的十字状的副沉孔部43b。如图5(a)所示，以在将防电弧部件43插入主沉孔部lb时形成气体流路lc的方式，如图5(b)所示那样在圆筒形状的侧面43a(43a!、43a2、43a3、43a4)具有在十字状的副沉孔部43b的槽43bl、43b2的长度方向上直行的平面状的多个切口部43d、43c2、43c3、43c4。防电弧部件43的直径如图5(b)所示那样比主沉孔部lb的直径小较理想。这是因为，通过背流气体在侧面43a。43a2、43a3、43a4和主沉孔部lb的内壁的狭小空间流动而使得在气体供给孔la中难以产生等离子，从而可有效防止电弧产生。再有，如果在切口部43c,、43c2、43c3、43c4和主沉孔部lb的内壁之间形成背流气体流动的空间，则虽然可^f吏防电弧部件43的直径与主沉孔部lb的直径大体相同，但为了有效防止电弧，优选使其比主沉孔部lb的直径小。根据图5的防电弧部件43,与根据实施方式的防电弧部件3及根据其变形例的防电弧部件13、23、33相比易于加工，此外，可起到与防电弧部件3及根据其变形例的防电弧部件13、23、33同样或以上的防电弧效果。在需要使用加工困难的部件来制作防电弧部件的情况下有利。这样，本发明当然包含这里没记载的各种实施方式等。因此，本发明的技术范围根据上述的说明仅由涉及方案的范围的发明特定事项决定。本发明的效果如下。根据本发明，提供能够防止伴随等离子体的高密度化的击穿的发生的静电吸盘。(实施例)(静电吸盘的制造)(制造例1)以上述的制造方法为基准按以下条件制造了制造例1的静电吸盘。(1)制作了埋设有双极电极的直径300mm、厚度l.lmm的铝制的静电吸盘主体2。从冷却装置1侧照射C02激光(波长10.6jnm)并设置了七个直径lmm的细孔2al、2a2、2a3。虽然省略了图示，但是除了细孔2al、2a2、2a3之外还设有四个细孔。(2)通过将冷却装置1的直径设为300mm、将冷却装置1的厚度设为34mm，在距离外周17mm的圆周上设置23处直径lmm的贯通孔，从而制造了氧化铝制的冷却装置l。(3)在贯通孔的与静电吸盘主体2的接合面侧通过立铣刀设置了用于嵌合防电弧部件3的直径2.5mm、深度1.3mm的主沉孔部lb。(4)制作出具备图1(a)~(c)所示的形状的由聚四氟乙烯构成的防电弧部件3。另外，在本实施例的栏中作为聚四氟乙烯使用了注册商标名称"特氟隆"。(5)在冷却装置1的主沉孔部lb上嵌入防电弧部件3之后，通过丙烯制的接合片接合冷却装置1和静电吸盘主体2得到了静电吸盘10。(制造例2、3、4)除了使用具备图2(a)~(c)、图3(a)~(c)、图4(a)(c)的形状的由聚四氟乙烯构成的防电弧部件13、23、33替换防电弧部件3之外，与制造例1同样地制造了静电吸盘11、12、13。(制造例5、6、7)除了使用具备图1(a)(c)、图2(a)(c)、图3(a)(c)、图4(a)(c)的形状的由99%的氧化铝构成的防电弧部件13、23、33替换防电弧部件3之外，与制造例1同样地制造了静电吸盘10。(制造比较例)除了未使用防电瓜部件这一点和将冷却装置1的形状做成图6(a)(b)所示的冷却装置201之夕卜，以上述的实施方式的制造方法为基准制造了制造比较例的静电吸盘210。(击穿防止效果评价)(实施例1实施例4、比较例1)对于在制造例1-制造例4、制造比较例中制造的图1图5所示的静电吸盘，按表l所示的条件评价了击穿防止效果。将图1~图4、图6所示的各静电吸盘设置在评价用真空腔室内。然后，将由硅构成的晶片载置在静电吸盘10上，对静电吸盘的静电电极施加直流电压并吸附晶片。将吸附施加电压设为+V250AV250。其次，真空吸引腔室内以及气体供给管线并达到O.lTorr(13.3Pa)之后，在腔室内供给氩(Ar)和氦(He)的混合气体，使腔室内压力达到1Torr(133Pa)。从腔室的外侧将控制了压力的气体(He)供给到静电吸盘的气体供给孔la,作为晶片的背流气体。背流气体(He)压力如图1所示达到10Torr(1330Pa)。这里，晶片的背流气体是指在已被吸附的晶片和静电吸盘表面之间形成的空间中的气体。然后，在上下的平行平板电极(即腔室内所配备的上部电极板、冷却装置1)之间施加13.56MHz的高频电压，在静电吸盘IO和上部电极之间的空间(即、晶片上)产生等离子体。一分钟后停止施加，放置30秒后，再将发生l分钟的等离子体的周期重复10个周期。然后，将静电电压接地并设为零伏，使晶片脱离后，目视确认有无击穿。将有向晶片背面的痕迹的构件评价为"有"，将没有痕迹的构件评价为"无"，综合所得到的结果表示在表1中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>(实施例5~实施例8、比较例2)如表2所示，除了将背流气体压力设为1Torr(133Pa)这一点之外，与实施例1同样地评价了击穿防止效果。综合所得到的结果表示在表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>(实施例9~实施例13、比较例3)如表3所示，除了作为防电弧部件的材质采用了99%的氧化铝这一点之外，与实施例1同样地评价了击穿防止效果。综合所得到的结果表示在表3中。此外，根据以下的基准来测定气体流量。所得的结果在表3中汇总表示。(气体流量的测定方法)在与气体供给源和静电吸盘的气体供给孔连通的配管的中途设置质量流量表。而且，使腔室为真空(大致0Torr)，用质量流量表来测定在没有装载晶片的状态下在静电吸盘上流动的气体流量。在表中将背流气体压力为10Torr(1330Pa)表示为气体供给源的压力为10Torr(1330Pa),在吸附晶片时背流气体压力和气体供给源的压力相同。如果没有吸附晶片，则在0Torr的真空中放出气体，不存在背流气体压力。再有，表3中的"SCCM"是standardcc(cm3)/min的缩略语，表示在latm(大气压1013hPa)下，一定温度(25°C)的换算成每单位时间的流量。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>背流气体(He)压力1Torr(133Pa)如表1~表4所示可知，具有实施例的防电弧部件的静电吸盘直到比比较例高的等离子体输出没有引击穿。另外，作为形状，具备图2所示的形状的防电弧部件13最不容易产生击穿。从表1和表2的对比可知，若背流气体(He)的压力低，则具有以更低的等离子体输出产生击穿的倾向。表3和表4的对比也可以说同样。可知即使在背流气体的压力低的场合，具有实施例1~实施例16的防电弧部件的静电吸盘也有效地发挥作用。另外，产生一次击穿后，若在相同的静电吸盘上施加等离子体电压，则使用了由聚四氟乙烯构成的防电弧部件的场合，具有以更低的等离子体输出产生击穿的倾向，对此，使用了氧化铝制防电弧部件的场合，以相同的等离子体输出发生击穿。这种不同被认为是由于防电弧部件的耐热性产生的。即、由聚四氟乙烯构成的防电弧部件因击穿而导致形状变化，对此，氧化铝^皮认为形状几乎不发生变化。因此，作为防电弧部件的材质更优选氧化铝等高熔点绝缘性陶瓷。权利要求1.一种静电吸盘，在具备冷却装置和配置在上述冷却装置上且具有工件载置面的静电吸盘主体的半导体制造装置中使用，其特征在于设有以贯穿上述冷却装置且从上述冷却装置的一个主面到达另一主面表面的方式延伸的气体供给孔，在上述气体供给孔的开口部设有直径比上述气体供给孔大的主沉孔部；在上述主沉孔部，埋入由设有与上述气体供给孔连通的气体流路的绝缘部件所构成的防电弧部件；在上述工件载置面，设有通过上述气体流路而与上述气体供给孔连通的细孔。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，上述防电弧部件在上述气体流路具备从上述冷却装置侧向上述静电吸盘主体侧内径呈同心圆状扩展的剖面锥形的内壁。3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，在上述防电弧部件的上述静电吸盘主体侧设有直径比上述防电弧部件的外径还小的副沉孔部，并具备多个直径比从上述副沉孔部的底面连接到上述冷却装置侧主面的上述气体供给孔的内径还小的上述气体流路。4.一种静电吸盘，在具备冷却装置和配置在上述冷却装置上且具有工件载置面的静电吸盘主体的半导体制造装置中使用，其特征在于设有以贯穿上述冷却装置且从上述冷却装置的一个主面到达另一主面表面的方式延伸的气体供给孔，在上述气体供给孔的开口部设有直径比上述气体供给孔大的主沉孔部；将防电弧部件埋入上述主沉孔部，在上述防电弧部件的表面上设有用包含气体流动方向的中心线的剖面图的周围定义的多个槽，以便在将上述防电弧部件插入到上述主沉孔部时上述多个槽成为气体流路；在上述工件载置面，设有通过上述气体流路而与上述气体供给孔连通的细孔。5.根据权利要求4所述的静电吸盘，其特征在于，外径还小的副沉孔部。6.—种静电吸盘，在具备冷却装置和配置在上述冷却装置上且具有工件载置面的静电吸盘主体的半导体制造装置中使用，其特征在于设有以贯穿上述冷却装置且从上述冷却装置的一个主面到达另一主面表面的方式延伸的气体供给孔，在上述气体供给孔的开口部设有直径比上述气体供给孔大的主沉孔部；的两个槽所构成的十字状的副沉孔部，将防电弧部件埋入上述主沉孔部，在上述防电弧部件的圆筒形状的侧面具有在上述十字状的副沉孔部的各个槽的长度方向上直行的平面状的多个切口部，以^便在将上述防电弧部件插入上述主沉孔部时形成气体流路；在上述工件载置面，设有通过上述气体流路而与上述气体供给孔连通的细孔。7.根据权利要求6所述的静电吸盘，其特征在于，上述防电弧部件的直径比上述主沉孔部的直径'J、。8.根据权利要求1~7中任一项所述的静电吸盘，其特征在于，上述防电弧部件的直径为上述静电吸盘主体的厚度两倍以上且四倍以下<9.根据权利要求17中任一项所述的静电吸盘，其特征在于，上述防电弧部件由氧化铝或氮化铝构成。全文摘要本发明涉及静电吸盘。本发明的静电吸盘在具备冷却装置和配置在上述冷却装置上且具有工件载置面的静电吸盘主体的半导体制造装置中使用，其特征在于设有以贯穿上述冷却装置且从上述冷却装置的一个主面到达另一主面表面的方式延伸的气体供给孔，在上述气体供给孔的开口部设有直径比上述气体供给孔大的主沉孔部；在上述主沉孔部，埋入由设有与上述气体供给孔连通的气体流路的绝缘部件所构成的防电弧部件；在上述工件载置面，设有通过上述气体流路而与上述气体供给孔连通的细孔。文档编号H01L23/58GK101533798SQ20091012734公开日2009年9月16日申请日期2009年3月10日优先权日2008年3月11日发明者后藤义信申请人:日本碍子株式会社