专利名称：Led晶片共晶焊接设备的加热装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及LED晶片共晶焊接技术，尤其涉及一种LED晶片共晶焊接设备的加热装置。
背景技术：
共晶焊接技术在电子封装行业具有广泛的应用，如晶片与基板的粘接、基板与管壳的粘接、管壳封帽等等。与传统的环氧导电胶粘接相比，共晶焊接具有热导率高、热阻低、传热快、可靠性强、粘接后强度大的优点，适用于高频、大功率器件中晶片与基板、基板与管壳的互联。随着LED技术的高速发展，LED晶片及封装越来越向大功率和集成方向发展，传统的银胶粘接工艺已经很难满足LED晶片的焊接工艺要求，因而，越来越多的LED封装厂家开·始尝试其他更先进的焊接工艺来实现LED晶片与支架的粘接，其中，共晶焊接技术被普通认为具有很好的应用前景。LED晶片的共晶熔点大约在300°C以上，共晶焊接工艺对晶片和支架的要求比较高，而现有技术的LED晶片共晶焊接设备一般采用热风回流炉作为加热装置或红外焊接技术，这种加热装置加热速度慢、且加热能够达到的最高温度比较低。另外，现有技术中还有采用红外焊接技术的方案，这种方案虽然有热源控制方便、容易控制加热温度上升速度的优点，但也存在很多缺点，如更多的感光点会被遮蔽、较少的统一加热、元件和PCB质量的不同会影响加热效果、温差较大等。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种LED晶片共晶焊接设备的加热装置，该装置加热速度快、能够瞬间达到很高的加热温度，且冷却速度快、效果好。为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案—种LED晶片共晶焊接设备的加热装置，包括有一脉冲电流加热装置和一恒温加热装置，所述脉冲电流加热装置设置在待加热晶片的上方，而所述温加热装置设置在所述待加热晶片的下方。优选地，所述脉冲电流加热装置包括有加热筒体、设置在该加热筒体下端部的焊接吸嘴、设置在所述加热筒体内部并与所述焊接吸嘴连接的脉冲电流产生单元、以及与该脉冲电流产生单元及所述恒温加热装置电连接的加热温度控制单元。优选地，所述加热筒体连接有运动机械臂，所述运动机械臂可滑动地设置在所述LED共晶焊接设备的晶片供给装置的机架的运动导轨上。优选地，所述焊接吸嘴为平头吸嘴、锥形真空吸嘴、木屐式真空吸嘴、或机械式吸嘴。优选地，所述加热筒体上部为圆柱体、下部为方柱体。优选地，所述恒温加热装置设置在所述LED晶片共晶焊接设备可滑动的共晶焊接平台内。优选地，该加热装置还包括有一氮气冷却装置，该氮气冷却装置设置在加热筒体内，与所述焊接吸嘴相连。本实用新型的有益效果是本实用新型的实施例通过设置脉冲电流加热装置，与恒温加热装置配合共同对晶片进行上下加热达到共晶焊接，从而大大提高了加热速度、提高了加热温度，且达到了冷却速度快、焊接效果好的效果 。
以下结合附图对本实用新型作进一步的详细描述。
图I是本实用新型的LED晶片共晶焊接设备的加热装置一个实施例的立体结构图。图2是本实用新型的LED晶片共晶焊接设备的加热装置一个实施例中脉冲电流加热装置的安装示意图。
具体实施方式
下面参考图I和图2详细描述本实用新型提供的LED晶片共晶焊接设备的加热装置的一个实施例；如图I所示，本实施例主要包括有脉冲电流加热装置14和一恒温加热装置(图中未示出)，脉冲电流加热装置14设置在待加热晶片10的上方，而所述恒温加热装置设置在所述待加热晶片10的下方。请参考图2，具体实现时，所述脉冲电流加热装置14可包括有加热筒体11、设置在该加热筒体11下端部的焊接吸嘴12、设置在所述加热筒体11内部并与所述焊接吸嘴12连接的脉冲电流产生单元(图中未示出)、以及与该脉冲电流产生单元11及所述恒温加热装置电连接的加热温度控制单元(图中未示出)。进一步地，所述加热筒体11还连接有运动机械臂13，所述运动机械臂13可滑动地设置在所述LED共晶焊接设备的晶片供给装置的机架100的运动导轨101上。具体实现时，本实施例的焊接吸嘴12可根据实际需要选择平头吸嘴、锥形真空吸嘴、木屐式真空吸嘴、机械式吸嘴、或其他特殊吸嘴。所述加热筒体11上部为圆柱体、下部为方柱体。所述恒温加热装置设置在所述LED晶片共晶焊接设备可滑动的共晶焊接平台20内，共晶焊接平台20通过设置在其下方的纵向滑动导轨21和横向滑动导轨22滑动。另外，本实施例还包括有一氮气冷却装置(图中未示出)，该氮气冷却装置设置在加热筒体11内，与所述焊接吸嘴12相连。当脉冲电流加热装置14加热完成时，通过电磁阀切换到所述氮气冷却装置工作，通过焊接吸嘴12向晶片和支架喷吹氮气，可使其迅速冷却到常温。与现有技术相比，本实用新型具有以下优点利用脉冲电流加热装置产生脉冲电流达到瞬间升温，并通过焊接吸嘴导热到LED晶片表面，使晶片底部的金锡成分的焊接剂与底座材料能瞬间达到共晶溶解后固定粘接，这种方式焊接后的LED晶片能达到更好的导热效果且脉冲电流加热可达到瞬间(数秒钟内)实现从常温到500°C的加温技术从上料、下料、焊接、至完成品的作业时间可控制在
8.5秒/个；可在3-4秒内，实现温度从350°C到200°C的转换，加热时间可控制在2_3秒内(含焊接时间);冷却时间可控制在I秒之内。通过上下供热方式能同时实现批量(或者模组式)封装晶片，并且由于高温部分在集中在焊接吸嘴上，能实现在模组化生产LED封装时不会影响到周围的LED晶片。以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种LED晶片共晶焊接设备的加热装置，其特征在于该装置包括有一脉冲电流加热装置和一恒温加热装置，所述脉冲电流加热装置设置在待加热晶片的上方，而所述恒温加热装置设置在所述待加热晶片的下方。
2.如权利要求I所述的LED晶片共晶焊接设备的加热装置，其特征在于所述脉冲电流加热装置包括有加热筒体、设置在该加热筒体下端部的焊接吸嘴、设置在所述加热筒体内部并与所述焊接吸嘴连接的脉冲电流产生单元、以及与该脉冲电流产生单元及所述恒温加热装置电连接的加热温度控制单元。
3.如权利要求2所述的LED晶片共晶焊接设备的加热装置，其特征在于所述加热筒体连接有运动机械臂，所述运动机械臂可滑动地设置在所述LED共晶焊接设备的晶片供给装置的机架的运动导轨上。
4.如权利要求3所述的LED晶片共晶焊接设备的加热装置，其特征在于所述焊接吸嘴为平头吸嘴、锥形真空吸嘴、木屐式真空吸嘴、或机械式吸嘴。
5.如权利要求4所述的LED晶片共晶焊接设备的加热装置，其特征在于所述加热筒体上部为圆柱体、下部为方柱体。
6.如权利要求1-5中任一项所述的LED晶片共晶焊接设备的加热装置，其特征在于所述恒温加热装置设置在所述LED晶片共晶焊接设备上可滑动的共晶焊接平台内。
7.如权利要求5所述的LED晶片共晶焊接设备的加热装置，其特征在于该加热装置还包括有一氮气冷却装置，该氮气冷却装置设置在所述加热筒体内，与所述焊接吸嘴相连。
专利摘要本实用新型公开一种LED晶片共晶焊接设备的加热装置，包括有一脉冲电流加热装置和一恒温加热装置，所述脉冲电流加热装置设置在待加热晶片的上方，而所述恒温加热装置设置在所述待加热晶片的下方。本实用新型加热速度快、能够瞬间达到很高的加热温度，且冷却速度快、效果好。
文档编号B23K3/047GK202763248SQ20122025491
公开日2013年3月6日 申请日期2012年5月30日 优先权日2012年5月30日
发明者代克明, 胡华武 申请人:惠州市大亚湾永昶电子工业有限公司